【課題】 パーティクル汚染を防止しながら、良好な成膜効率で薄膜を形成することができ、特に特にＡＬＤ法を含むＣＶＤ法等の気化工程を有する薄膜製造方法に好適な薄膜形成用原料を提供すること。
【解決手段】 下記一般式（I）で表される金属化合物を含有してなる薄膜形成用原料。
【化１】
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（ａ）ルテニウム、ロジウム、鉄、オスミウムまたはパラジウム、および（ｂ）有機ホスフィンを含む触媒の存在下で、ジカルボン酸および／または酸無水物を水素化の均一系方法で、少なくとも約１重量％の水の存在下に水素化が実施され、またその反応が、約５００ｐｓｉｇ〜約２０００ｐｓｉｇの圧力下、約２００℃〜約３００℃の温度で行われ、約１モル〜約１０モルの水素を用いて１モルの生成物を反応器から取り出す。 （もっと読む）