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国際特許分類[C07C69/736]の内容

国際特許分類[C07C69/736]に分類される特許

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【課題】種々の光学的及び電気光学的応用に使用可能なコレステリックフィルムを生産するのに最適な新規の反応性キラル化合物を提供する。
【解決手段】次式IIIa:


で表わされる反応性キラル化合物が提供される。 (もっと読む)


【課題】レジスト組成物の原料となる化合物、および該化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】ビス(4−(t−ブトキシカルボニルメチルオキシ)−3−ホルミル)ジフェニルメタンにジメチルフェノールを縮合させた化合物を合成し、これを加水分解してカルボン酸を得る。該カルボン酸およびそのアダマンチルオキシメチルエステルは表面荒れの少いレジスト用高分子の原料となる。 (もっと読む)


【課題】 ポジ型レジスト組成物用として好適な低分子材料を容易に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】 多価フェノール化合物(I)、および該多価フェノール化合物(I)のフェノール性水酸基の一部または全部が酸解離性溶解抑制基で保護された化合物からなる群から選択される2種以上の化合物からなる混合物(A0)が溶解した有機溶剤溶液(P)と、アルカリ水溶液(Q)とを混合し、有機相と水相とに分離する。
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【課題】レジスト組成物用としての利用が期待される低分子化合物の中間体、および該化合物を用いて得られる低分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式(I)で表される化合物および該化合物から得られる低分子化合物を含むポジ型レジスト組成物。
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【課題】ポジ型レジスト組成物に使用できる低分子量の化合物の提供。
【解決手段】式Iで表される化合物[式中、R11はそれぞれ独立にアルキル基;R12は水素または酸解離性溶解抑制基であって、R12のうち少なくとも1つは前記酸解離性溶解抑制基であり;aは0〜2の整数;bは1〜2の整数;Aは式IaまたはIbで表される基である。]。
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【課題】
重合性、重合体の重合速度、重合度、重合体の透明性、機械的強度、塗布性、溶解度、結晶化度、収縮性、透水度、吸水性、ガス透過性、融点、ガラス転移点、透明点、耐熱性、耐薬品性等を有する光学異方性を有する化合物、組成物、重合体、または重合体を含む成形体を提供する。
【解決手段】
式(1)で表される化合物。
【化68】



[式(1)中、Q1は、水素、ハロゲン、−CN、炭素数1〜10のアルキル、炭素数2〜10のアルケニルまたは炭素数2〜10のアルキニルであり;Qは、−COO−、−CHO−、−C=C−または−C≡C−であり;Q3は、式(T1)または(T2)で表される基であり、式(T1)と(T2)中、Rbは水素、ハロゲン等であり、Aは独立して1,4−シクロヘキシレン等であり、Zは独立して炭素数1〜20のアルキレン等であり、Yは独立して炭素数1〜20のアルキレン等であり、rは、0〜5の整数である。]により上記課題を解決する。
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【課題】 レジスト組成物用として使用できる低分子量の化合物、該化合物の原料として好適な多価フェノール化合物、前記化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 例えば、下記式で表される多価フェノール化合物。
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【課題】トリアセチルセルロースフィルム、シクロオレフィンポリマーフィルムなどの透明プラスチックフィルムまたはガラスなどの支持基板に塗工することができる重合性液晶組成物であり、その重合性液晶組成物を基板上に配向させ、その配向を保ったまま高分子化したフィルムを提供する。
【解決手段】第1成分として、下記式で示されるような化合物、および下記式に類する特定の構造を有する化合物を含有する重合性液晶組成物、この重合性液晶組成物を重合させることによって得られる重合体。
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【課題】ラフネスの低減されたレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法、該ポジ型レジスト組成物用として好適な化合物、ならびに該化合物の原料として好適な多価フェノール化合物の提供。
【解決手段】式(I)[R11〜R12はそれぞれ独立に炭素数3〜10の分岐状のアルキル基である。]で表され、分子量が300〜2500である多価フェノール化合物。該多価フェノール化合物におけるフェノール性水酸基の水素原子の一部または全部が酸解離性溶解抑制基で置換された化合物。該化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
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【課題】 基材成分として低分子材料を用いた、高解像性のレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法、該ポジ型レジスト組成物用として好適な化合物および溶解抑制剤を提供する。
【解決手段】 分子量500〜3000の非重合体であり、酸の作用によって分解し、分子量200以上の分解物を2分子以上生じる化合物。前記化合物からなる溶解抑制剤。前記化合物および酸発生剤成分を含有するポジ型レジスト組成物。該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法。 (もっと読む)


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