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国際特許分類[C07D333/52]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 有機化学 (230,229) | 複素環式化合物 (108,186) | 異項原子として1個の硫黄原子のみをもつ5員環を含有する複素環式化合物 (2,506) | 炭素環または環系と縮合するもの (711) | ベンゾ〔b〕チオフェン;水素添加したベンゾ〔b〕チオフェン (458)

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【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、 前記酸発生剤成分(B)は、一般式(b1−1)[式中、Zは有機カチオンを表す。]で表される化合物からなる酸発生剤(B1)を含有するレジスト組成物。
[化1]
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多環式化合物、その合成方法、該化合物を含む医薬組成物、及びその使用方法を本明細書で提供する。本明細書で提供される化合物は、精神病及び統合失調症を含むが、これらに限定されない、様々な神経障害の治療、予防、及び/又は管理に有用である。 (もっと読む)


【課題】有機半導体が平坦で、動作速度が速く、且つ製造が容易な有機半導体トランジスタ素子及びその製造方法、並びに該有機半導体トランジスタ素子を用いた半導体装置及び表示素子を提供すること。
【解決手段】ソース電極と、ドレイン電極と、該ソース電極および該ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも含み、該有機半導体が、下記一般式(I)で示される化合物から選択された少なくとも1種を含有することを特徴とする有機半導体トランジスタ素子。
(一般式(I)において、R〜Rは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、または置換もしくは未置換のアラルキル基を表す。)
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本発明はヒストンデアセチラーゼの阻害に関する。本発明は、ヒストンデアセチラーゼ酵素活性を阻害するための化合物及び方法を提供する。本発明は、細胞増殖性疾患及び病態を治療するための組成物及び方法も提供する。 (もっと読む)


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