対応する金属含有薄膜のＣＶＤ／ＡＬＤに有用なアンチモン、ゲルマニウム、およびテルル前駆体、ならびに該前駆体を含む組成物、該前駆体を作製する方法、ならびに該前駆体を使用して製造される膜およびマイクロ電子デバイス製品、さらに対応する製造方法が記載される。本発明の前駆体は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル（ＧＳＴ）膜、および該膜を含む相変化メモリデバイス等のマイクロ電子デバイス製品の形成に有用である。
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【課題】簡単なプロセスで製造され、特性が良好であり、酸素に対して安定で経時劣化が十分抑制された有機半導体材料、有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される有機半導体材料。
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【課題】高移動度で耐久性に優れた有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物の少なくとも１種を含有することを特徴とする有機半導体材料。
【化１】


〔式中、各水素原子は置換基により置換されていても良い。Ｘ₁、Ｘ₂は、各々Ｏ，Ｓ又はＳｅを表す。ｎ１、ｎ２は、各々１〜３の整数を表す。〕 （もっと読む）

【課題】置換基による修飾が容易で、反応自体も簡便な、シロール、ゲルモール等のメタロールの合成方法を提供する。
【解決手段】下式に示したように、ジイン化合物（１）と有機金属化合物（２）とからトランス付加環化反応を利用してメタロール（３）を合成する方法である。


［ＭはＳｉまたはＧｅを意味する。］ （もっと読む）

【課題】常圧下で、塗布法により、基体上に、均一なゲルマニウムドープシリコン導電膜を形成する方法およびそのためのリン原子含有高次シラン化合物の製造法の提供。
【解決手段】光重合性シラン化合物およびゲルマニウム化合物を含有する溶液に、４００ｎｍより長い波長の光線を照射せしめてゲルマニウム原子含有高次シラン化合物を生成せしめるゲルマニウム原子含有高次シラン化合物の製造法。上記方法で得られたゲルマニウム原子含有高次シラン化合物を含む溶液を基板に塗布し、さらにその塗布基板を熱処理することからなるゲルマニウム含有シリコン膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】キャリアー移動度が高く、空気中の酸素に対して安定で経時劣化が抑制された、溶解性の高い、有機半導体材料を提供し、それを用い、簡単なプロセスで調製可能で、生産効率の高い、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される部分構造を有する化合物を含有する有機半導体材料。


〔Ｘ₁は、ＧｅまたはＳｉを表す。Ｒ₁〜Ｒ₅は、水素原子あるいは置換基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】簡単なプロセスで製造され、トランジスタとしての特性が良好であり、空気中の酸素に対して安定で経時劣化が抑制された有機半導体材料、有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式で表される有機半導体材料。
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【課題】簡単なプロセスで製造され、トランジスタとしての特性が良好であり、さらに空気中の酸素に対して安定で経時劣化が十分抑制された有機半導体材料、それを用いた有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする有機半導体材料。
【化１】


（式中、Ｒ₁、Ｒ₂は水素原子または置換基を表す。Ａ₁は置換または無置換の芳香族炭化水素環、あるいは置換または無置換の芳香族複素環を表す。ｎ１は２以上の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】塗布プロセスで製造でき、トランジスタ特性が良好で、酸素に対して安定で経時劣化が十分抑制された有機半導体材料、有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式で表される化合物を含有する有機半導体材料。
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【課題】屈折率およびアッベ数の高い光学材料の原料として有用な有機ゲルマニウム化合物、およびそれを効率よく製造する方法を提供すること。
【解決手段】一般式（１）で表される有機ゲルマニウム化合物を製造する方法。


（Ｒ₁は、メルカプト基、あるいはメルカプト基を有し、アルカン残基、シクロアルカン残基、ヘテロ環式化合物残基または芳香族化合物残基を示す。Ｒ₂は、水素原子、メルカプト基、アルカン残基、シクロアルカン残基、ヘテロ環式化合物残基または芳香族化合物残基を示す。） （もっと読む）