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国際特許分類[C07F9/6506]の内容

国際特許分類[C07F9/6506]に分類される特許

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本発明は、少なくとも2の供与体部分を持つ配位子を含む配位錯体系であって、該少なくとも2の供与体部分が遷移金属およびランタニドから選ばれた少なくとも1の金属と錯体化されている配位錯体系において、該配位子が少なくとも2のビルディングブロックを含み、該ビルディングブロックのそれぞれが少なくとも1の官能基および少なくとも1の供与体部分を持ち、1のビルディングブロックがその官能基を通してもう1つのビルディングブロックのまたはテンプレートの相補的な官能基に非共有結合的に結合され、該テンプレートはもう1つのビルディングブロックの相補的な官能基に非共有結合的に結合された少なくとも1の他の官能基を含み、かつテンプレートが2より多い官能基を含有するときはすべてのビルディングブロック−テンプレート−ビルディングブロック構造が同じであることを特徴とする配位錯体系に関する。 (もっと読む)


本発明は、式(I)の新規の窒素を有する単座配位子ホスファンリガンドおよび触媒反応における、特にハロゲン化芳香族化合物の改善におけるその使用に関する。
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