【課題】反射率を低減でき、エッチング耐性が高く、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、特に基板のエッチング中によれの発生がないレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で示される置換又は非置換のナフトール基を有するトルクセン化合物を含有するものであることを特徴とするレジスト下層膜形成材料。


（一般式（１）中、Ｒ^１、Ｒ^４、Ｒ^７、Ｒ^１０、Ｒ^１１、及びＲ^１２は、水素原子等であり、Ｒ^２、Ｒ^５、及びＲ^８は、酸不安定基等であり、Ｒ^３、Ｒ^６、及びＲ^９は、炭素数６〜２０のアリール基等である。） （もっと読む）

【課題】高炭素密度、高耐熱性、高屈折率及び蛍光特性等の高い機能性を有するフェノール樹脂、これを含む硬化性組成物及び硬化物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物をフェノール成分とし、酸性触媒の存在下、アルデヒド類、ジメチロール化合物類、アルケン類、ケトン類からなる群より選択される少なくとも１種である架橋剤で重合して得られるフェノール樹脂。


（式（１）中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立にヒドロキシアリール基を示す。） （もっと読む）

【課題】優れたエッチング耐性、高い耐熱性等を有するレジスト下層膜を形成する。
【解決手段】一般式（１）で表されるビフェニル誘導体。


（Ａｒ１、Ａｒ２はベンゼン環又はナフタレン環を表す。ｘ、ｚはそれぞれ独立に０又は１を表す。） （もっと読む）

【課題】３層レジストプロセス用下層膜として反射率を低減でき（反射防止膜として最適なｎ値、ｋ値を有し）、埋め込み特性に優れ、パターン曲がり耐性が高く、特には６０ｎｍよりも細い高アスペクトラインにおけるエッチング後のラインの倒れやよれの発生がない下層膜を形成できるレジスト下層膜材料、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下記一般式（１−１）及び／又は（１−２）で示される１種類以上の化合物と、水酸基を有するベンズアルデヒド、及び／又は、水酸基を有するナフトアルデヒドの１種類以上の化合物及び／又はその等価体とを縮合することにより得られるポリマーを含有するレジスト下層膜材料。
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【課題】 断熱材用として充分な機械的強度を発現することができ、環境対応性にも優れたフェノール樹脂組成物と、断熱材用フェノール樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 フェノールとアルデヒド類とを塩基性触媒の存在下で反応させて得られる第一のフェノール樹脂と、
レゾルシノールとアルデヒド類とを塩基性触媒の存在下で反応させて得られる第二のフェノール樹脂と、
を含有するフェノール樹脂組成物であって、上記フェノール樹脂組成物は、
ａ）第一のフェノール類と、第二のフェノール類とのモル比が、第二のフェノール類／第一のフェノール類＝０．０１２〜０．２３であり、
ｂ）含有される遊離フェノール類及び遊離アルデヒド類が各々１重量％以下であるフェノール樹脂組成物であり、また前記フェノール樹脂組成物と、アミン化合物とを含有してなる断熱材用フェノール樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】 優れた耐熱性と良好な感度を併せもつフォトレジスト用樹脂組成物に用いることができるノボラック型フェノール樹脂と、これを用いたフォトレジスト用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 フェノール類と、ジヒドロキシベンゼン又はその誘導体と、アルデヒド類と、を酸性触媒のもとで反応させて得られるノボラック型フェノール樹脂であって、フェノール類の組成がメタクレゾール５０〜９０重量％、パラクレゾール１０〜５０重量％であることを特徴とするノボラック型フェノール樹脂。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、ドライエッチング耐性に非常に優れ、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくとも、（Ａ）フラーレン骨格を有する物質と電子吸引基含有１，３−ジエン化合物誘導体との反応生成物であるフラーレン誘導体、（Ｂ）有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】炭素密度が高い新規な９，９−ビスアリールフルオレン骨格を有する化合物を提供する。
【解決手段】酸触媒の存在下、フルオレノン類と９，９−ビス（ヒドロキシアリール）フルオレン類とを反応させ、下記式で表されるフルオレン多核体化合物を得る。


（式中、環Ｚは芳香族炭化水素環、Ｒ^１は置換基、ｋは０〜４の整数、ｎは１〜４の整数、Ｒ^３は置換基、ｐは０〜４の整数、ｑは０以上の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板の段差埋め込み性に優れ、耐溶媒性を有し、基板のエッチング中によれの発生がないだけでなく、エッチング後のパターンラフネスが良好なレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜形成用組成物、及びこれを用いたレジスト下層膜形成方法、パターン形成方法。
【解決手段】少なくとも、フルオレン骨格を有するビスナフトール化合物の酸触媒縮合樹脂（Ａ）、フルオレン骨格を有するビスナフトール化合物（Ｂ）、フラーレン化合物（Ｃ）及び有機溶剤を含有することを特徴とするレジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】従来のリグノフェノールを用いた場合に比べても、耐熱性に優れるプリプレグならびにこのプリプレグを硬化させた基板を提供する。
【解決手段】リグニン化合物と架橋剤を含む樹脂組成物を、基材に含浸させたプリプレグであって、前記リグニン化合物は、バイオマスを分解して得られるフェノール性水酸基とアルコール性水酸基をモル比として９：１から８：２の比率で有するリグニン化合物、及び該リグニン化合物のフェノール性水酸基に反応性基を導入したリグニン誘導体から選ばれる１種又は２種であることを特徴とするプリプレグ。前記プリプレグを、１枚又は２枚以上の積層体を硬化させた基板。 （もっと読む）