【課題】本発明は膜形成用組成物に関し、さらに詳しくは電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度、耐熱性等の膜特性が良好な組成物に関し、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜、およびそれを有する電子デバイスに関する。
【解決手段】カゴ型構造を有する化合物及び酸化防止剤を含有することを特徴とする膜形成用組成物、該組成物を用いて得られる絶縁膜、およびそれを有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】形成された膜が均一であり、不純物の析出がなく、低い誘電率や高い金属拡散バリア性が得られるため、電子デバイスなとにおける層間絶縁膜として適する膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、イオン系酸化防止剤、ラクトン系酸化防止剤等の酸化防止剤を含有することを特徴とする膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】誘電率や金属拡散バリア性絶縁性の膜特性の観点において優れた絶縁膜を得るための膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の膜形成用組成物は、炭素数８から１８の炭化水素、あるいは炭素数４から１０のアルコールから選ばれる少なくとも1種の溶剤を含有し、該炭化水素、該アルコールは、分子内に置換基として、カルボニル部位およびエーテル結合部位のいずれをも含まないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】形成される膜が均一であり、不純物の析出がなく、低い誘電率、高い金属拡散バリア性が得られるため、電子デバイスになどにおける層間絶縁膜として適している膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】該組成物の酸含有量が酢酸換算もしくは塩酸換算で１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする膜形成用組成物、該膜、およびそれを有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、良好な面状とともに、耐熱性、機械的強度に優れた膜を提供できる膜形成用組成物、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】カゴ構造を有する化合物及び架橋性化合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であるとともに、経時保存後も良好な膜を提供できる膜形成用組成物、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスに関する。
【解決手段】カゴ型構造を有する化合物を含有する膜形成用組成物であって、該組成物から塗布成膜によって得られる膜のハロゲン含量が１００×１０¹⁰ａｔｏｍ／ｃｍ²以下であることを特徴とする膜形成用組成物、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜、さらには該絶縁膜の形成に用いる膜形成用組成物および該絶縁膜を有する電子デバイス等を提供する。
【解決手段】カゴ型構造を有する化合物と有機溶媒とを含有する膜形成用組成物を用いて形成され、ガラス転移温度が３００℃以上であることを特徴とする絶縁膜、該絶縁膜を有する電子デバイス、カゴ型構造を有するモノマーの重合体でありガラス転移温度が２００℃以上であることを特徴とする化合物、該化合物と有機溶媒とを含有する膜形成用組成物、該膜形成用組成物を用いて形成したガラス転移温度が３００℃以上である絶縁膜、該絶縁膜を有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好であるとともに、経時保存後も良好な膜を提供できる膜形成用組成物、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスに関する。
【解決手段】カゴ型構造を有するモノマーを重合単位として含む共重合体を含有することを特徴とする膜形成用組成物、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜形成用組成物に関し、それに有用な新規な重合体、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】炭素数１１個以上のカゴ構造と炭素−炭素三重結合を有する化合物を重合開始剤の存在下で重合して得られることを特徴とする重合体、それを含む膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜および電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率で機械的強度の高い絶縁膜を形成可能な組成物を提供する。
【解決手段】少なくとも２つ以上のアセチレン基を持つ下記一般式（３）で表される化合物（Ａ）と、少なくとも２つ以上のヒドロシリル基をもつポリシロキサン（Ｂ）とをヒドロシリル化反応させて得られることを特徴とするポリマー。
【化１】


一般式（３）中、
Ｒ^４は、炭素原子１０個以上で形成されるカゴ型構造を含有する基を表す。
Ｒ^５は各々独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、またはシリル基を表す。
ｒは２〜２０の整数を表す。 （もっと読む）