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国際特許分類[C09D149/00]の内容

国際特許分類[C09D149/00]に分類される特許

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【課題】不溶物の析出がなく均一であり、面状が良好な塗膜を形成できる膜形成用組成物、さらには電子デバイスなどに用いられる、誘電率、機械強度等の特性が良好であるとともに、面状および誘電率の特性が良好な絶縁膜を形成できる膜形成用組成物、該組成物により形成した絶縁膜、及び、該絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】一般式(I)で表される化合物もしくはそれを重合させて得られる重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物、該組成物により形成した絶縁膜、及び、該絶縁膜を有する電子デバイス。
【化1】


一般式(I)中、
Rはアセチレン性炭素三重結合を含む置換基を表わす。Xは置換基を表す。mは1〜8の整数である。nは0〜7の整数を表す。mとnの和は1〜8である。R及びXについて、それぞれ複数存在するときは、同じでも異なっていてもよい。 (もっと読む)


【課題】 電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜形成用組成物に関し、さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 脂環式炭化水素構造と、炭素、水素、酸素、窒素、ハロゲン原子から選ばれる原子により構成される化合物を含む膜形成用組成物であって,該脂環式炭化水素構造と、炭素、水素、酸素、窒素、ハロゲン原子から選ばれる原子により構成される化合物が、粒径2nm〜15nmの粒子形状であることを特徴とする膜形成用組成物、該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】 電子デバイスなどに用いられる誘電率、機械強度等の膜特性が良好な膜、その製法、およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 脂環式炭化水素構造を有する化合物を含む膜形成用組成物を塗布し、乾燥して形成される膜であって、形成過程においてマイクロウエーブを照射して形成されることを特徴とする膜。 (もっと読む)


【課題】電子デバイスなどに用いられる、誘電率、機械強度等の特性が良好であり、不溶物の析出がなく均一であり、面状が良好な塗膜を形成できる重合体および膜形成用組成物、該組成物を用いてい形成した絶縁膜及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】一般式(I)で表される化合物を重合促進剤の存在下で重合して得られることを特徴とする重合体、該重合体を含有する膜形成用組成物、該組成物を用いて形成した絶縁膜及び電子デバイス。


式中、R1及びR2は炭素-炭素三重結合を含む置換基、X1及びX2は炭素-炭素三重結合を含む置換基以外の置換基、l及びmは0〜15、p及びnは0〜14の整数を表す。 (もっと読む)


【課題】 より微細化が進む半導体デバイスの絶縁膜加工プロセスに対し、エッチング加工あるいは洗浄液処理等の工程が容易となる、比誘電率2.2以下の有機多孔化膜の製造方法および当該有機多孔化膜を形成できる組成物を提供する。
【解決手段】
[1]下記の成分(A)および(B)を含有する絶縁膜形成用組成物。
成分(A):式(1)で示される化合物を重合して得られる樹脂であって、GPC分析における樹脂を検出するピークP、残存する式(1)で示される化合物を検出するピークMとしたとき、ピークPのポリスチレン換算重量平均分子量が1000以上500000以下であり、かつピークP、ピークMの面積値をそれぞれAp、Amとしたとき、面積比Am/(Am+Ap)が0〜10%である樹脂;
成分(B):空孔形成用化合物;


[2]上記[1]記載の組成物を基板に塗布し、加熱処理する工程を含む絶縁膜の製造方法。 (もっと読む)


半導体装置用のポリマー性誘電フィルムの形成に有用な化合物、ならびに、得られる硬化フィルムおよび装置であり、前記化合物は、i)3つ以上のジエノフィル基(A−官能性基)およびii)2つの共役炭素−炭素2重結合および脱離基Lを含む単一環構造(一括してB−官能性基という)を含む化合物であり、ここで、前記化合物の分子の1つのA−官能性基の1つは、付加環化反応条件下で第2の分子のB−官能性基と反応し、脱離基Lを脱離し、これによってポリマーを形成する能力があることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 プラズマ処理や処理液による処理といった処理を行うことなく、層間密着性に優れ、比誘電率の低い有機絶縁膜およびそれを製造する方法ならびにかかる絶縁膜の製造に用いられる絶縁膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】 以下の成分(A)および成分(B)を含有することを特徴とする絶縁膜形成用組成物。該組成物を基板に塗布した後、加熱処理する工程を含むことを特徴とする絶縁膜の製造方法、ならびに、該製造方法により得られる絶縁膜。
成分(A):分子内に架橋性基を有する有機樹脂。
成分(B):半導体基板(但し、該半導体基板に対する水の接触角が80°以上である)に対する接触角が20°以下の有機溶剤。 (もっと読む)


【課題】 電子デバイスにおける絶縁膜として好適であり、誘電率、機械強度、密着性等の特性が良好な絶縁材料を提供できる組成物、及び該組成物を用いて得られる絶縁膜、更には該絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 特定のカゴ型構造を有する化合物、空孔形成剤、接着促進剤などを含むことを特徴とする膜形成用組成物、該膜形成用組成物から形成された絶縁膜、該絶縁膜を有する電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】 膜形成組成物、特に、電子デバイスなどに用いられる低誘電率でかつ比誘電率の経時変化の少ない絶縁膜を形成することができる膜形成組成物、絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 カゴ型構造を有する化合物を含む膜形成用組成物であって,組成物中の溶存酸化性ガスの含有率が該酸化性ガスの飽和濃度の1%以下であることを特徴とする膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜、および電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】 膜形成組成物、特に、電子デバイスなどに用いられる低誘電率でかつ比誘電率の経時変化の少ない絶縁膜を形成することができる膜形成組成物、絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】 カゴ型構造を有する化合物を含み,比誘電率30以上の成分が1質量%以下であることを特徴とする膜形成用組成物、それを用いた絶縁膜、および電子デバイス。 (もっと読む)


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