【課題】高耐熱、高機械強度、低誘電率、表面平滑性、及び、良好な保存経時安定性を有する膜を形成することができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる膜、並びに、前記膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】式（１）で示される化合物、及び／又は、式（１）で示される化合物を少なくとも用いて重合した重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて形成された膜、並びに、前記膜を有する電子デバイス。なお、式（１）中、Ａ^１は４又は６価の有機基を表し、Ａ^２はアルケニル基又はアルキニル基を表し、Ａｒは（ａ１＋１）価のアリール基を表し、Ｒは水素原子又は炭素数１〜３０のアルキル基を表し、ａ１は１〜５の整数を表し、ａ２は２又は３を表す。
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【課題】半導体の製造に有用な高い耐熱性及び極めて低い比誘電率を有するとともに、比誘電率のばらつきの少ない絶縁膜を形成しうる重合性化合物、該化合物を含む絶縁膜形成材料、該絶縁膜形成材料を重合反応に付して得られる空孔構造を有するポリマーからなる絶縁膜の提供。
【解決手段】絶縁膜を形成しうる重合性化合物として、下記式（１）


（式中、Ｚは有橋脂環骨格を示し、Ｘは複素環又はその前駆構造を含む２価以上の有機基を示し、Ｙは置換基を有していてもよいエチニル基を含む基を示す。Ｒは水素原子又は炭化水素基を示す。ｍは１〜５の整数、ｎは２〜７の整数、ｋは０〜５の整数を示す。ｎ＋ｋ＝２〜７である。分子内の複数のＸ、Ｙ、及び複数存在する場合のＲは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい）で表されるエチニル基含有有橋脂環式化合物。特に、Ｚとしてアダマンタン骨格、Ｘとしてベンズイミダゾリル基を有する化合物が好ましい。 （もっと読む）

【課題】金属不純物成分が極めて低減されることにより、充分な機械強度とともに、絶縁膜のリーク電流やブレークダウン電圧に優れており、なおかつその経時安定性に優れた塗布型層間絶縁膜形成用組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一種のイオン交換基を有する構造体がグラフトされている多孔質ポリオレフィン濾材で濾過される工程を含むことを特徴とし、塗布型絶縁膜形成用組成物がカゴ型構造を含む繰り返し単位を有する高分子化合物を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誘電率、機械強度等の特性が良好であるとともに、面状が良好な膜を形成することができる膜形成用組成物、該膜形成用組成物を用いて形成された膜、及び、該膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】式（I）で表される化合物を含むことを特徴とする膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて形成された膜、並びに、前記膜を有する電子デバイス。なお、式（I）中、Ｘはアダマンタン構造、ジアマンタン構造、ビアダマンタン構造、及び、トリアマンタン構造よりなる群から選択された構造であり、Ｘがアダマンタン構造の場合、ｎは３又は４であり、Ｘがアダマンタン構造以外の場合、ｎは３〜６の整数である。
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【課題】電子デバイスなどに用いられる絶縁膜を形成するための組成物であって、得られた絶縁膜の誘電率、機械強度等の膜特性が良好であり且つ基板との密着性に優れ、更に塗布液の安定性に優れる絶縁膜形成用塗布液を提供することである。
【解決手段】以下の成分を含む層間絶縁膜用組成物により、解決される。
（Ａ）炭素-炭素二重結合を少なくとも一つ有するアルコキシシランまたはアシロキシシランの加水分解物、
（Ｂ）分子内に、炭素-炭素二重結合または炭素-炭素三重結合を少なくとも２つ有する化合物、
（Ｃ）炭素数１６以下のカルボン酸、及び
（Ｄ）溶媒。 （もっと読む）

【課題】低い比誘電率であり、高い機械強度を有し、かつ面状が優れた膜を得ることができる膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、及び、前記絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】式（I）で表される化合物を重合させた重合体を含むことを特徴とする膜形成用組成物、前記膜形成用組成物を用いて得られる絶縁膜、並びに、前記絶縁膜を有する電子デバイス。なお、式（I）中、Ｘは、それぞれ独立に、炭素−炭素三重結合又は炭素−炭素二重結合を含む基を表し、Ｙは、それぞれ独立に、置換基を表し、ｍは、３〜６の整数を表し、ｎは、０〜１７の整数を表す。
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【課題】誘電率、機械強度、耐熱性等の膜特性が良好な膜形成用組成物、該組成物を用いて得られる絶縁膜およびそれを有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド微粒子と熱硬化性材料とを含むことを特徴とする膜形成用組成物、該組成物から形成された絶縁膜およびそれを有する電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスなどに用いられる、誘電率、機械強度等の膜特性が良好な絶縁膜を形成できる組成物を提供する。さらには該組成物を用いて得られる絶縁膜、および該絶縁膜を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】三重結合及びまたは二重結合を合計で複数個有するトリプチセン誘導体を重合単位として重合した重合体を含有することを特徴とする組成物、該組成物を用いた絶縁膜及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】低誘電率性を損なうことなくリーク電流やブレークダウン電圧のような絶縁特性に優れ、機械強度、耐熱性等の膜特性も良好な絶縁膜形成用組成物の製造方法を提供すること。また、当該製造方法より製造される絶縁膜形成用組成物、該組成物を用いて得られる絶縁膜および該絶縁膜を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】ポリエチレンもしくはナイロンを材質とするフィルターにより濾過を行う濾過工程を少なくとも有することを特徴とする絶縁膜形成用組成物の製造方法、該製造方法により製造された絶縁膜形成用組成物、絶縁膜および電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】高弾性率かつ密着性に優れる樹脂膜が得られる芳香族エチニル化合物、これを含む樹脂組成物及びワニスを提供し、また、前記樹脂膜を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】１つ以上のエチニル基と、１つ以上のｏ−ヒドロキシアミドフェニル基とを有する芳香族エチニル化合物により達成される。前記芳香族エチニル化合物は、一般式（１）で表される構造を有するものである。


（式（１）中、Ｒはｏ−ヒドロキシアミドフェニル基を含む基を示し、式（１）で表される構造における水素原子上の水素原子は、炭素数１以上２０以下のアルキル基で置換されていても良く、アダマンタン構造を含む基で置換されていても良い。ｎ₁及びｎ₂は、それぞれ、１以上４以下の整数である。） （もっと読む）