半導体基板上に形成する絶縁膜を高性能化して、リーク電流の少ない電子デバイスを製造する方法を提供する。高誘電材料金属のみを半導体基板上に金属膜として形成し、その金属膜を２５０〜４５０℃に加熱し、その加熱した金属膜に、クリプトンガス（またはキセノンガス）を酸素ガスと混合させ、その混合ガスをプラズマ化したガスを加えることにより、金属膜を酸化して、半導体基板上に絶縁膜を形成するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも一つの薄い誘電体層がコートされた基板（１）、例えばガラス基板に関する。本発明によれば、誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。本発明は、イオンビームに曝露された誘電体層がイオン源のパラメータに基づいて調整できる屈折率を有し、前記イオン源が線状源であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性のすぐれた表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】 表面被覆超硬合金製切削工具が、ＷＣ基超硬合金またはＴｉＣＮ基サーメットからなる超硬工具基体の表面に、組成式：（Ｔｉ_a Ａｌ_b Ｍ_c ）Ｎ、および組成式：（Ｔｉ_a Ａｌ_b Ｍ_c ）Ｃ_d Ｎ_1-d （ただし、原子比で、ａ：０．２〜０．６、ｂ：０．１〜０．７９、ｃ：０．０１〜０．３、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、ｄ：０．０１〜０．５を満足し、ＭはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＳｉのうちのいずれか１種を示す）で表される（Ｔｉ，Ａｌ，Ｍ）Ｎおよび（Ｔｉ，Ａｌ，Ｍ）ＣＮのうちの１種の単層または２種の複層からなる蒸着硬質層の加熱酸化層で構成され、この加熱酸化層の構成層が、（Ｔｉ，Ａｌ，Ｍ）ＮＯまたは（Ｔｉ，Ａｌ，Ｍ）ＣＮＯからなる素地に微細なＴｉ酸化物とＡｌ酸化物とＭ酸化物が分散分布した組織を有する硬質被覆層を、０．５〜１５μｍの平均層厚で形成したものからなる。 （もっと読む）

【目的】スチル特性、走行耐久性の向上した金属薄膜型磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【構成】非磁性基体上に、金属薄膜型磁性層、プラズマ重合硬質炭素膜および潤滑剤が積層されている磁気記録媒体において、上記プラズマ重合硬質炭素膜を酸素または酸素原子を含むガスでプラズマ処理した後、潤滑剤を塗設したことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法、及びそれにより得られた磁気記録媒体。
【効果】金属薄膜型磁性層上のプラズマ重合硬質炭素膜を酸素または酸素原子を含むガスでプラズマ処理することにより、潤滑剤の固定が十分となり、スチル特性及び走行耐久性が著しく向上すると共に、変換もすぐれた磁気記録媒体が得られる。 （もっと読む）

【目的】ＩＴＯ膜の結晶化を十分進行させ、且つＩＴＯ膜中に含まれる酸素のばらつきを無くしあるいは少なくすることができ、これによって安定した特性を有するＩＴＯ膜を形成し得るＩＴＯ膜の形成方法、及びかかるＩＴＯ膜の形成方法を適用した液晶表示装置の製造方法を提供する。
【構成】ＩＴＯ膜の形成方法は、スパッタリング法によって成膜されたＩＴＯ膜３０上に水素を含有する膜３２を形成した後、熱処理することを特徴とする。あるいは又、スパッタリング法によって成膜されたＩＴＯ膜を水素ガス雰囲気中で熱処理することを特徴とする。また、このＩＴＯ膜の形成方法を適用して液晶表示装置の画素電極を形成する。 （もっと読む）