【課題】 成膜時、エッチング時において、下地膜へのダメージが小さい金属系膜、金属系膜の作製方法、金属系膜作製装置、プラズマ処理方法及びエッチング装置を提供する。
【解決手段】 Ｃｌ₂を供給する前に、Ｘｅを供給して、プラズマを生成し、その後、Ｃｌ₂を含有するガスを所定流量まで漸増して供給すると共に、Ｃｌ₂のラジカル（Ｃｌ^*）生成し、Ｃｌ₂を所定流量まで漸増する際、Ｃｌ^*とＣｌ^*により生成される金属成分の前駆体とのモル比が所定値になるように、Ｘｅの流量を制御し、Ｃｌ₂を所定流量まで漸増した後、モル比を維持するように、Ｘｅの流量を漸減することで、成膜の初期において、Ｘｅ^*によりＣｌ^*が失活され、前駆体が所定数のＣｌ^*により還元され、下地膜へダメージを与えることなく、金属系膜が基板上に作製される。 （もっと読む）

【課題】ナノクリスタルを有する不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板を準備する段階と、前記半導体基板上にトンネル絶縁膜を形成する段階とを具備する。続いて、前記トンネル絶縁膜を有する半導体基板を原子層蒸着装置内に入れて、原子層蒸着工程サイクルを進行して前記トンネル絶縁膜上にナノクリスタルを形成する。前記ナノクリスタルの大きさを確認しながら、前記原子層蒸着工程サイクルを複数回繰り返して要求する大きさの前記ナノクリスタルを形成する。前記ナノクリスタルを有する半導体基板上に制御ゲート絶縁膜を形成して、前記制御ゲート絶縁膜を有する半導体基板上に制御ゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 複数のガスを用いて被処理基板に成膜を行う場合に、ガスの供給路で複数のガスが混合することを防止し、パーティクルの発生を抑制した安定で清浄な成膜を可能とする。
【解決手段】 被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器に、金属を含む第１の処理ガスと、当該第１の処理ガスを還元する第２の処理ガスを供給し、前記被処理基板上に前記金属を含む膜を成膜する成膜方法であって、第１のガス供給路から前記処理容器に前記第１の処理ガスを供給する第１の工程と、第２のガス供給路から前記処理容器に前記第２の処理ガスを供給し、前記処理容器に設けられたプラズマ励起手段によって当該第２の処理ガスをプラズマ励起する第２の工程と、を有し、前記第２の工程では、前記第１のガス供給路から前記処理容器に、Ｈ_２またはＨｅよりなる逆流防止ガスが供給されることを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）