【課題】プラズマ処理に伴うくもりをなくした透明な天井板を通してチャンバ内の状態を確認することができる基板処理装置とする。
【解決手段】チャンバ１の内部を観察するために透明な天井板７を設け、温度の不均一を抑制する冷却風を加温するヒータ２４を設け、加温された冷却風を天井板７に供給して天井板７を暖め、プラズマ処理に伴うくもりをなくして赤外線センサーによりチャンバ１の内部の温度分布を観察する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の清掃に先立ちこのチャンバ内を迅速且つ容易に無害化することができる金属膜作製装置を提供する。
【解決手段】内周面にハロゲン乃至金属ハロゲン化物が吸着乃至付着し得るチャンバ１と、前記チャンバ１の内部空間にキャリアガスとともに低濃度の水蒸気を供給する水蒸気供給手段３１と、前記チャンバ１内への水蒸気の供給に伴うこの水蒸気の作用により発生したハロゲン化水素ガスをチャンバ１の外部に排出するための排気手段５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板処理中の熱による被エッチング部材の熱変形や位置の変動、及び被エッチング部材同士の接触等を防止し、均一な基板処理が可能な基板処理装置の提供。
【解決手段】 円環部材１２や桁部材１３などの被エッチング部材の熱変位を抑制可能な被エッチング部材支持体１４により被エッチング部材１１を支持して基板処理を行う。これにより基板処理中の被エッチング部材１１の熱変位が抑制され、基板処理をより均一にすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】Ｗを材質とするコンタクトプラグあるいはビアプラグを有する半導体装置およびその製造方法であって、コンタクトプラグあるいはビアプラグ内のバリアメタル膜を薄く形成する場合であっても、バリアメタル膜の下層に影響を与えにくい半導体装置およびその製造方法を実現する。
【解決手段】コンタクトホールまたはビアホール内に、ＴｉＮ膜等のバリアメタル膜を形成する。その後、ＷＦ₆ガスをＢ₂Ｈ₆ガスにより還元させるＣＶＤ法により、Ｗ核付け膜をバリアメタル膜上に形成する。そして、ＣＶＤ法によりＷ核付け膜上にコンタクトプラグまたはビアプラグとしてＷプラグを形成する。 （もっと読む）

【課題】有機金属組成物の提供
【解決手段】ゲルマニウム含有膜の蒸着前駆体として用いるのに好適なゲルマニウム化合物を含有する組成物が提供される。かかる組成物を用いる、ゲルマニウムを含有する膜の堆積方法も提供される。かかるゲルマニウム含有膜は電子装置の製造において特に有用である。 （もっと読む）

【課題】 結晶構造をコントロールすることによって，従来以上に低い抵抗を有する金属系膜を形成する。
【解決手段】 金属系原料ガスとして例えばＷＦ_６ガスを供給するステップと水素化合物ガスとして例えばＳｉＨ_４ガスを供給するステップとを，不活性ガス例えばＡｒガス，Ｎ_２ガスを供給するパージステップを介在させて，交互に繰り返し実行することによって，非晶質を含む第１タングステン膜を成膜する第１タングステン膜成膜ステップと，第１タングステン膜上に，上記ＷＦ_６ガスと還元性ガスとして例えばＨ_２ガスを同時に供給することによって，第２タングステン膜を成膜する第２タングステン膜成膜ステップとを含む。ＳｉＨ_４ガスを供給するステップ後のパージステップの実行時間を変えることにより第１タングステン膜が含む非晶質の割合をコントロールする。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールから露出する導電層間を連結するコンタクトパッドの形成の際、金属シリサイド層を用いて電気的な抵抗を低減する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第１導電層、第１層間絶縁膜、第２導電層、及び第２層間絶縁膜を順次形成し、マスク膜を食刻マスクとして用いて第２層間絶縁膜、第２導電層、及び第１層間絶縁膜を順次除去して第１導電層が露出するコンタクトホールを形成する段階と、コンタクトホールの側壁に露出した第２導電層を選択的に食刻してコンタクトホールの側壁に露出する第１層間絶縁膜と第２層間絶縁膜との間にリセスを形成する段階と、コンタクトホールの底部または側壁の少なくともいずれか一方に所定厚さの第３導電層を形成するとともに、リセスを埋める金属シリサイド層を形成する段階と、金属シリサイド層が形成された後、コンタクトホールを埋める第４導電層を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 アスペクト比が高いホールが形成された半導体基板に対しても、ステップカバレッジを向上させてホール内部に十分なタングステン層を埋め込むことが可能な気相堆積方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る気相堆積方法は、供給工程と第一ガス排気工程と核形成層形成工程と堆積工程とを含み、核形成層形成工程（Ｓ２２）では、タングステン含有化合物ガスのガスａをシリコン含有化合物の第二ガスよりも先に半導体基板に供給して第一の核形成層を形成する工程（Ｓ２２ａ）と、第一の核形成層にシリコン含有化合物の第三ガスを供給・排気する工程（Ｓ２２ｂ）と、当該第三ガス排気後に、タングステン含有化合物ガスのガスｂがシリコン含有化合物の第四ガスよりも先に第一の核形成層に供給して第二の核形成層を形成する工程（Ｓ２２ｃ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ励起を要する成膜方法において、清浄で安定な成膜を実現する。
【解決手段】 被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器と、前記処理容器内に成膜のための処理ガスを供給し、当該処理容器内にプラズマを励起するための高周波電力が印加されるシャワーヘッド部と、を有する成膜装置による成膜方法であって、前記被処理基板上に金属を含む薄膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程の前に前記シャワーヘッド部に別の金属を含む保護膜を形成する保護膜形成工程と、を有することを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】 不純物の少ない合金の金属薄膜を均一にしかも高速に作製する。
【解決手段】 Ｆｅ製の被エッチング部材２１とＮｉ製の被エッチング部材２２とを備え、Ｃｌ₂ガスをプラズマ化してそれぞれの被エッチング部材２１、２２をエッチングした前駆体の金属成分を基板９にそれぞれ吸着させ、その後、基板９を移動させてＦｅ薄膜とＮｉ薄膜を積層することで合金６０を作製し、緻密な多元層膜構造を形成する。 （もっと読む）