国際特許分類[C23C16/08]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般 (43,865) | ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着 (14,497) | 金属質材料の析出に特徴のあるもの (514) | 金属ハロゲン化物からのもの (128)
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クロムのみの析出 (3)
アルミニウムのみの折出 (7)
その他の1金属元素のみの析出 (75)
国際特許分類[C23C16/08]に分類される特許
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気相拡散技術を用いた、反応成分量の低い、反応成分で修飾されたアルミニウム化合物コーティング
本発明は、源から、コーティングされる物品へ、アルミニウムと反応成分とを共転送および共堆積する処理の制御が改善された気相コーティング技術である。一つの方法は、反応成分源を供給する工程を含んでおり、反応成分源の少なくとも一部が反応成分の非ハロゲン化合物を含んでおり、また、アルミニウム源を供給する工程と、ハロゲン化合物活性化剤を供給する工程と、アルミニウムと反応成分とを含んでいる種が、上記金属性表面上に共堆積されてコーティングを形成する効果的な条件で、金属性表面を持つ物品と、反応成分源と、アルミニウム源と、ハロゲン化合物活性化剤とを加熱する工程とを含んでいる。
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小臨界次元のタングステン接点装置及び相互接続子の製法
【課題】高縦横比の特徴部のボイドなしの充填方法を提供する。
【解決手段】種々の実施例に於いて、この方法は低温化学蒸着工程によるタングステンでの特徴部の充填に関する。或る実施例に於いて、工程温度は特徴部充填の化学蒸着の間約350°C以下に維持される。この低温化学蒸着タングステン充填により、標準の化学蒸着充填と同様は薄膜抵抗を達成する一方、高縦横比の特徴部への向上された充填と下地層へとのフッ素移動への向上されたバリヤが得られる。発明は更に低抵抗を有するタングステンフィルムの堆積方法に関する。種々の実施例に於いて、この方法ではタングステンバルク層の堆積及び/或は低温化学蒸着によるバルク層の堆積の前に堆積された核形成層に低温低抵抗処理を実施し、その後高温化学蒸着を実施する。
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小臨界次元の接点装置及び相互接続子用の超薄低抵抗タングステンフィルムの堆積方法
【課題】高縦横比の特徴部のボイドなしの充填方法を提供する。
【解決手段】種々の実施例に於いて、この方法は低温化学蒸着工程によるタングステンでの特徴部の充填に関する。或る実施例に於いて、工程温度は特徴部充填の化学蒸着の間約350°C以下に維持される。この低温化学蒸着タングステン充填により、標準の化学蒸着充填と同様は薄膜抵抗を達成する一方、高縦横比の特徴部への向上された充填と下地層へとのフッ素移動への向上されたバリヤが得られる。発明は更に低抵抗を有するタングステンフィルムの堆積方法に関する。種々の実施例に於いて、この方法ではタングステンバルク層の堆積及び/或は低温化学蒸着によるバルク層の堆積の前に堆積された核形成層に低温低抵抗処理を実施し、その後高温化学蒸着を実施する。
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スパッタリング装置
【課題】生産性の低下を抑えつつ組成の異なる合金薄膜を形成可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置10は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ12と、チャンバ12内で基材14を保持する保持部16と、保持部16で保持された基材14に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極18であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極18と、回転陰極18の表面に金属材料を供給可能な複数の補助陰極320,330と、を備える。複数の補助陰極320,330は、互いに異なる金属材料を回転陰極18の表面に供給する。
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金属単結晶ナノプレート及びその製造方法
本発明は、金属、金属ハロゲン化物、またはこれらの混合物を前駆物質として利用した金属ナノプレート(Metal nano-plate)の製造方法であって、詳細には、反応炉の前端部に位置させた金属、金属ハロゲン化物、またはこれらの混合物を含む前駆物質と、反応炉の後端部に位置させた単結晶基板とを、不活性気体が流れる雰囲気で熱処理し、前記単結晶基板上に単結晶体の金属ナノプレート(nano-plate)が形成される特徴がある。
本発明の製造方法は、触媒を使用しない気相移送法を利用して、数マイクロメートル大きさの金属ナノプレートを製造することができ、その工程が簡単で且つ再現性があって、製造されたナノプレートが、欠陥及び不純物を含まない高結晶性及び高純度単結晶状態の貴金属ナノプレートである長所があり、単結晶基板の表面方向を制御し、金属ナノプレートの形状及び単結晶基板との配向性を制御できる長所を有して、数マイクロメートル大きさの金属ナノプレートを大量生産することができる長所がある。
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成膜方法及び成膜装置
【課題】成膜すべき薄膜と同じ材料のコーティング膜を母材の表面に形成した触媒体により還元ガスを活性化することにより、不純物元素の汚染がない低抵抗のタングステン膜を効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Sの表面に薄膜を形成する成膜方法において、真空排気が可能になされた処理容器内へタングステン含有ガスと還元ガスとを供給すると共に、還元ガスを、触媒作用を有する母材94Aの表面に薄膜と同じ材料よりなるコーティング膜94Bが形成されて通電により加熱された触媒体94により活性化させて成膜する成膜工程を行うようにする。これにより、不純物元素の汚染がない低抵抗のタングステン膜を効率的に形成する。
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薄膜の成膜方法及び成膜装置
【課題】被処理体の凹部の径が小さくても、例えばバリヤ層として機能する薄膜が凹部の側壁へ堆積することを抑制しつつ、凹部の底部に効率的に堆積させることが可能な薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】表面に凹部6が形成されている被処理体Wの表面に薄膜を形成する成膜方法において、凹部の内面を含む被処理体の表面にチタン化合物ガスと還元ガスとを用いてチタン膜100を形成するチタン膜形成工程と、窒化ガスを用いてチタン膜を全て窒化して第1の窒化チタン膜104を形成する窒化工程と、凹部の内面を含む被処理体の表面に第2の窒化チタン膜106を堆積させて形成する窒化チタン膜堆積工程と、を有する。これにより、被処理体の凹部の径が小さくても、薄膜が凹部の側壁へ堆積することを抑制しつつ、凹部の底部に効率的に堆積させる。
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埋め込み成膜方法及び装置
【課題】CMP等の後処理工程を必要としない埋め込み成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】ラジカルCl*で、Cuを含む被エッチング部材をエッチングして前駆体CuClを形成する一方、バリアメタル膜25が形成された基板3に形成した凹部3aにCuClを吸着させ、その後CuClをCl*で還元してCu膜26を形成する成膜反応と、このCu膜26をCl*でエッチングするエッチング反応とを共存させるとともに、成膜反応の速度がエッチング反応の速度よりも大きくなるように制御することにより凹部3aにその底部から順にCu膜26を積層して埋め込みを行なうとともに、Cu膜26が基板3における凹部3aの開口部よりも若干突出するまで成膜し、その後エッチングモードとすることにより開口部より突出したCuのエッチングを行なうとともに基板3の表面のバリアメタル膜25も除去し、Cu膜26と基板3の表面とが面一になるように制御する。
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タングステン材料の原子層堆積法
【課題】ALDプロセスを使用して、均一性が良好で、ほとんどまたは全く汚染がなく、かつ導電率が高いつまり抵抗率が低いタングステン含有材料を堆積するための改良されたプロセスを提供する。
【解決手段】一実施形態では、プロセスチャンバ内に基板を位置決めするステップであって、該基板がこの上に配置されている下地層を含有するステップと、該基板をタングステン前駆体および還元ガスに順次曝してALDプロセス時に該下地層上にタングステン核形成層を堆積するステップであって、該還元ガスが約40:1、100:1、500:1、800:1、1,000:1以上の水素/ハイドライド流量比を含有するステップと、該タングステン核形成層上にタングステンバルク層を堆積するステップとを含む、基板上にタングステン含有材料を形成するための方法が提供される。該還元ガスはジボラン、シランまたはジシランなどのハイドライド化合物を含有している。
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半導体装置の製造方法及び半導体装置
【目的】コンタクトプラグを従来よりも低抵抗化する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、半導体基体上にSiO2膜を形成する工程(S102)と、SiO2膜にコンタクトホールを形成する工程(S104)と、コンタクトホール内にTi膜を形成する工程(S106)と、Ti膜を窒化処理する工程(S108)と、コンタクトホール側壁に形成されたTiN膜を除去する工程(S110)と、コンタクトホール内にW膜を堆積させる工程(S114)と、を備えたことを特徴とする。
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