反応炉１内で基板１０に成膜を行う工程と、成膜後の基板１０を反応炉１よりアンロード後、反応炉１内に１０基板がない状態で反応炉１内を強制冷却する工程とを有する半導体装置の製造方法を提供する。反応炉１内に付着した堆積膜の応力を自然空冷時よりも増大させて積極的に熱応力を発生させ、堆積膜に自然空冷時以上の強制的な亀裂を発生させる。亀裂の発生により飛散した微細パーティクルは大気圧状態での炉内パージにより強制的に、また効率的に反応炉外に排出される。 （もっと読む）

電子および／または光電子用途用のＧａＮデバイスを作製するための基板を形成するために有用に用いられる大面積単結晶半絶縁性窒化ガリウムを開示する。大面積半絶縁性窒化ガリウムは、たとえばＭｎ、Ｆｅ、Ｃｏ ＮｉおよびＣｕなどの深いアクセプタドーパント種で、成長している窒化ガリウム材料をその成長中にドープして、窒化ガリウムにおけるドナー種を補償しかつ窒化ガリウムに半絶縁特性を付与することによって、容易に形成される。
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１以上の物質層のバリヤ層を原子層堆積により堆積させるために基板を処理する方法が提供される。一態様においては、金属含有化合物の１以上のパルスと窒素含有化合物の１以上のパルスを交互に導入することにより基板表面の少なくとも一部上に金属窒化物バリヤ層を堆積させるステップと、金属含有化合物の１以上のパルスと還元剤の１以上のパルスを交互に導入することにより金属窒化物バリヤ層の少なくとも一部上に金属バリヤ層を堆積させるステップとを含む基板を処理する方法が提供される。金属窒化物バリヤ層及び/又は金属バリヤ層の堆積前に基板表面上で浸漬プロセスが行われてもよい。 （もっと読む）

窒化タンタル／タンタルバリア層を堆積させるための方法および装置が、集積処理ツールでの使用のために提供される。遠隔発生プラズマによる洗浄ステップの後、窒化タンタルは原子層堆積法で堆積され、タンタルはＰＶＤで堆積される。窒化タンタル／タンタルは、堆積された窒化タンタルの下の導電性材料を露呈するために、誘電体層の部材の底部から除去される。場合によって、さらなるタンタル層が、除去ステップの後に物理気相堆積法で堆積されてもよい。場合によって、窒化タンタル堆積およびタンタル堆積は同一の処理チャンバで生じてもよい。シード層が最後に堆積される。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、半導体処理システム（３２０）の前駆物質を生成する装置に関する。装置は、側壁（４０２）、上部、底部を有するキャニスタ（３００）を含んでいる。キャニスタ（３００）は、上の領域（４１８）と下の領域（４３４）を有する内容積（４３８）を画成している。一実施形態においては、装置は、更に、キャニスタ（３００）を部分的に取り囲んでいるヒータ（４３０）を含んでいる。ヒータ（４３０）によって、上の領域（４１８）と下の領域（４３４）間に温度勾配が生じる。また、精製ペンタキス(ジメチルアミド)タンタルから原子層堆積によってバリヤ層、例えば、窒化タンタルバリヤ層を形成する方法も特許請求される。 （もっと読む）

【目的】 硬質被覆層がすぐれた層間密着性を有する被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【構成】 被覆超硬合金製切削工具が、超硬合金基体の表面に、粒状結晶組織を有するＴｉＮからなる第１層、縦長成長結晶組織を有するＴｉＣＮからなる第２層、粒状結晶組織を有するＴｉＣＯまたはＴｉＣＮＯからなる第３層、およびカッパー型結晶を主体とした組織を有するＡｌ₂ Ｏ₃ からなる第４層、さらに必要に応じて粒状結晶組織を有するＴｉＮからなる第５層で構成された硬質被覆層を３〜３０μｍの範囲内の所定の平均層厚で形成したものからなる。 （もっと読む）

【目的】 耐摩耗性および表面保護機能向上のため、切削工具、耐摩工具等の硬質基材表面、或いは電気・電子部品、摺動部品、機械部品の表面に形成される超薄膜積層体を提供する。
【構成】 Ｔｉ、ＡｌおよびＮによって構成されるＴｉ_x Ａｌ_1-x ＮおよびＴｉ_y Ａｌ_1-y Ｎ（０≦ｘ＜０．５、０．５＜ｙ≦１）なる２種類の化合物（Ａ、Ｂ）を交互に繰り返し積層し、その繰り返しの積層周期λを０．５ｎｍ〜２０ｎｍとし、全体の膜厚が０．５μｍ〜１０μｍとした超薄膜積層体１を、基材２の表面に被覆し、切削工具や耐摩工具の硬質被覆層、又は電気・電子部品、摺動部品、機械部品の表面の耐摩耗膜や保護膜として用いる。 （もっと読む）