【課題】本発明は、めっき膜が形成された半導体基板の吸着不良及び搬送ミスを抑制可能であると共に、コンタクトシール部材の交換頻度を少なくすることの可能な半導体装置の製造方法、及びめっき装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板１１の表面１１ａ（主面）に形成されためっき用レジスト膜２５の表面のうち、外周部分と接触し、該めっき用レジスト２５の表面側にめっき液３２を保持するコンタクトシール部材３５を用いて、めっき膜４７を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、コンタクトシール部材３５のうち、めっき用レジスト膜２５と接触する第１の部分４１の材料として、コンタクトシール部材３５を洗浄する薬液及びめっき液３２に対して耐性を有した材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】高品質で均一な膜厚のめっき膜を得ることが可能であると共に、めっき効率を向上させ、省エネを図ることができるめっき装置、めっき方法およびチップ型電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】素子本体１０を収容する収容部２４を持つキャリアプレート２２と、キャリアプレート２２と共に移動する搬送ベルト３０と、キャリアプレート２２の移動途中で、収容部２４に、めっき液を供給するめっき液含浸ロール４０と、収容部２４に、めっき液が供給されている状態で、素子本体１０におけるめっきすべき予定部分に直接または間接的に接続するアノード電極およびカソード電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】電解めっき処理方法および装置において、少ないめっき液量でかつ短い時間で、緻密かつ膜厚の大きいめっき被膜をめっき基材に形成することができるようにする。
【解決手段】めっき基材３０にめっき液１中の金属イオンによるめっき被膜を形成する電解めっき処理方法において、めっき処理時に生成されるガスが拡散できる経路をめっき被膜形成箇所と分離して形成した状態でめっき処理を行う。具体的には、一方の極に帯電した円筒状の電極ローラー２１の周面にめっき液１が含浸できる空隙を備えた非導電性の保液材２２を卷装しためっき液保持部材２０を、その一部がめっき液１に入り込んだ状態で配置し、他方の極に帯電した基材３０を前記保液材２２に接触させた状態でめっき処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ダマシンプロセスに適した溝や孔への優先的なメッキ膜形成を実現する。
【解決手段】半導体基板と少なくとも前記半導体基板に形成された導電層を有する被処理基板と、メッキ液を含む第１の含浸体１１１１及び電解液を含む第２の含浸体１１１４が設けられたメッキヘッド１１１０とを用意し、第１の含浸体１１１１に陽極１１１２の電位を与えると共に、第２の含浸体１１１４に陰極１１１５の電位を与えた状態で、第１及び第２の含浸体１１１１，１１１４を導電層に対向させ、導電層の少なくとも一部にメッキ層を形成するために、メッキヘッド１１１０を導電層に対して相対的に移動させる。 （もっと読む）

本発明は金属積層板の製造方法に関し、より詳しくは絶縁体からなる基材フィルムの片面または両面に特殊な構造を有する銀錯体化合物を利用して導電性層を形成してこの導電性層の外側に金属を電解メッキして金属積層板を製造する方法に関するものである。また、本発明は大量生産が可能であり、工程が簡単で不良率が少なくて製造単価が低廉な金属積層板を製造する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】１つのトーチだけで種々の電解表面処理を行えるようにする。
【解決手段】金属を表面処理するための電解液供給部を備える電極装置であって、外部電源からの単極電流供給部（７）（１６）に接続されたノズル（２）を備え、他方の極は、被処理金属表面に接続され、前記トーチ内のチャンネルを通し、前記ノズルに供給するよう、前記装置に接続されたタンク（６）（２１）に、特定の処理に使用される電解液が収容されている。該電解液が、ユーザーによって制御される計量装置を通過するよう、電解液に送り方向の圧力をかけるようになっている。ユーザーにより噴霧ができるよう、マニュアル操作式ポンプ、または剛性もしくは可撓性タンクを有する別の例もある。タンク（６）（２１）は、迅速に電解液を交換し、金属表面で実行すべき作業を変えることができるよう、取り外し自在であることが好ましい。 （もっと読む）