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国際特許分類[C25D3/60]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 電気分解または電気泳動方法;そのための装置 (15,555) | 電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳 (10,553) | 電気鍍金;そのための鍍金浴 (804) | 溶液から (766) | 合金 (209) | 錫を50重量%より多く含有するもの (33)

国際特許分類[C25D3/60]に分類される特許

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【課題】本発明は、従来の錫−亜鉛合金電気めっきでは困難であった短時間での処理を可能にする電気めっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、めっき液温度:30〜90℃、めっき液の攪拌速度:5〜300m/min及び陰極電流密度:5〜200A/dm2の条件下で錫−亜鉛合金電気めっきを行う方法を提供する。好ましくは、錫−亜鉛合金めっき浴中の2価の錫イオン濃度は1〜100g/Lであり、亜鉛イオン濃度は0.2〜80g/Lである。 (もっと読む)


【課題】 鉛フリーのスズ−ビスマス系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面へのビスマスの置換析出を有効に防止する。
【解決手段】 第一スズ塩と、ビスマス塩と、各種の酸とを含有するスズ−ビスマス2元合金電気メッキ浴において、HLBが7.3〜15.6のジスチレン化フェノールポリアルコキシレート、HLBが2.8〜16.6のcis−9−オクタデセニルアミンポリアルコキシレートなどの所定のHLBを有する特定化学構造種のアルキレンオキシド付加物、或は曇点が15℃〜30℃であるエチレンジアミンのポリアルコキシレートよりなるノニオン系界面活性剤を添加した鉛フリーのスズ−ビスマス系合金電気メッキ浴である。所定のHLB又は曇点を有する特定化学構造種のノニオン系界面活性剤を選択添加するため、アノード表面へのビスマスの置換析出を防止して浴中のビスマスの消耗を抑止し、メッキ浴組成を安定化できる。 (もっと読む)


本発明は、電気的接続のための部材上にSnリッチ堆積層を有する電子部品であって、Snリッチ堆積層が、堆積表面に対して平行な方向におけるサイズよりも堆積表面に対して垂直な方向におけるサイズの方が小さい粒子からなる微細粒Snリッチ堆積層である電子部品に関する。本発明はまた、電気的接続のための部材上にSnリッチ堆積層を形成するために電子部品をメッキするプロセスであって、開始添加物及び光輝性添加物が含まれているスズメッキ溶液の組成を調整するステップと、前記スズメッキ溶液中を通して前記電子部品を動かして、電気的接続のための前記部材上に前記Snリッチ堆積層を形成するステップと、を含むプロセスに関する。従来の技術と比較すると、本発明は、低コストで且つ信頼できる特性をもってウィスカ成長を有効に抑制することができる。
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