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国際特許分類[C25D3/60]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 電気分解または電気泳動方法;そのための装置 (15,555) | 電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳 (10,553) | 電気鍍金;そのための鍍金浴 (804) | 溶液から (766) | 合金 (209) | 錫を50重量%より多く含有するもの (33)

国際特許分類[C25D3/60]に分類される特許

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【課題】 比較的短時間で形成することができ、環境への負荷が小さく耐食性に優れためっき皮膜およびそのめっき皮膜を形成するためのめっき液を提供する。
【解決手段】 めっき皮膜が、スズと鉄との二元合金、または、スズと、鉄と、亜鉛、コバルト、ニッケル、タングステン、モリブデン、銅、銀、金、ビスマス、インジウム、パラジウム、ロジウム、白金、リンおよびホウ素からなる群から選択される少なくとも1種との多元合金からなる。このめっき皮膜は電気めっき法を用いて基材上に形成される。 (もっと読む)


【課題】 非シアン系のスズ−銀合金メッキ浴において、浴から得られる電着皮膜のハンダ付け性や外観を向上する。
【解決手段】 (a)脂肪族アミノ酸類、含窒素芳香族カルボン酸類の少なくとも一種と、(b)芳香族スルフィド類、芳香族メルカプタン類、チオ尿素類の少なくとも一種とを含有するスズ−銀合金電気メッキ浴である。(a)の脂肪族アミノ酸類にはグリシンなどが、(a)の含窒素芳香族カルボン酸類にはピコリン酸などが、(b)の芳香族スルフィド類には3,4,5−トリヒドロキシ−4′−アミノジフェニルジスルフィドなどが、芳香族メルカプタン類には2,6−ジヒドロキシ−2−メルカプトピリジンなどが挙げられる。成分(b)のイオウ化合物を銀の安定剤とし、さらに、グリシンやピコリン酸などの成分(a)を併用することで、スズ−銀合金皮膜のハンダ濡れ性と外観を良好に向上できる。 (もっと読む)


【課題】 スズとスズより貴な金属(銀、ビスマス、銅など)との合金の電気メッキに際して、電析中にスズ(合金)陽極での貴な金属の置換析出を円滑に防止する。
【解決手段】 スズ合金電気メッキ浴に、グルタミン酸−N,N−二酢酸、メチルグリシン−N,N−二酢酸、アスパラギン酸及びこれらの塩よりなる群から選ばれた溶解電流抑制剤の少なくとも一種を添加して、陽極の溶解電流を抑制し、電析中に貴な金属の陽極への置換析出を防止可能にしたスズ合金電気メッキ方法である。当該抑制剤の添加で溶解電流を抑制するため、陽極電流密度を従来より低くしても、陽極の電位を貴な金属の自然電極電位より貴に変移させ、もって貴な金属の陽極への置換析出を有効に防止できる。 (もっと読む)


【課題】 非シアン系のスズ−銀合金メッキ浴において、浴から得られる電着皮膜のハンダ付け性や外観を向上する。
【解決手段】 (a)脂肪族アミノ酸類、含窒素芳香族カルボン酸類の少なくとも一種と、(b)脂肪族スルフィド類、脂肪族メルカプタン類の少なくとも一種とを含有するスズ−銀合金電気メッキ浴である。(a)の脂肪族アミノ酸類にはグリシンなどが、(a)の含窒素芳香族カルボン酸類にはピコリン酸、3−アミノピラジン−2−カルボン酸などが、(b)の脂肪族スルフィド類には4,7−ジチアデカン−1,10−ジオールなどが、脂肪族メルカプタン類にはチオグリコールなどが挙げられる。成分(b)のイオウ化合物を銀の安定剤とし、さらに、グリシンやピコリン酸などの成分(a)を併用することで、スズ−銀合金皮膜のハンダ濡れ性と外観を良好に向上できる。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性(低融点)を両立させるとともに、微摺動摩耗等の不都合を伴うことなく薄くかつ均一な厚みを有するSn合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にSn−Ag−Cu三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Sn−Ag−Cu三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともSn化合物と、Ag化合物と、Cu化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ag化合物1質量部に対して1質量部以上300質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Cu化合物1質量部に対して1質量部以上200質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】 鉛フリーのスズ−銀系合金又はスズ−銅系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面への銀又は銅の置換析出を有効に防止する。
【解決手段】 第一スズ塩と、銀又は銅塩と、各種の酸を含有するスズ−銀系合金又はズ−銅系合金電気メッキ浴において、HLBが7.3〜15.2のジスチレン化フェノールポリアルコキシレート、HLBが7.0〜10.4のトリスチレン化フェノールポリアルコキシレート、HLBが8.2〜15.0のジスチレン化クレゾールポリアルコキシレート、HLBが7.7〜13.9のトリスチレン化クレゾールポリアルコキシレートよりなるノニオン系界面活性剤を添加した鉛フリーのスズ−銀系合金又はスズ−銅系合金電気メッキ浴である。所定のHLBを有する特定化学構造種のノニオン系界面活性剤を選択添加するため、アノード表面への銀又は銅の置換析出を防止して浴中の銀又は銅の消耗を抑止し、メッキ浴組成を安定化できる。 (もっと読む)


本発明は、基体のめっき性部分上におけるスズ又はスズ合金の沈着に関連して使用するための溶液に関する。この溶液は、水;基体のめっき性部分上にスズ沈着物を提供するのに十分な量のスズイオン;金属イオンを該溶液に可溶化させるのに十分な量で存在し、5.5より大きく10未満のpHで安定な酸の錯化剤又はその塩;及び該基体の該めっき性部分上へのスズの沈着を容易にするのに十分な量で存在するアルコキシル化ポリアルコールの界面活性剤を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、めっき時における被めっき物の2個付き及び凝集現象がなく、また、電析めっき皮膜のはんだ付け性能の劣化のない錫又は錫合金めっき浴を提供することにある。
【解決手段】本発明は、下記一般式(I)で表されるジスルフィド化合物、及びカルボン酸又はその塩を含有する錫又は錫合金めっき浴であって、前記カルボン酸はモノカルボン酸、ジカルボン酸、ポリカルボン酸、オキシ又はケトカルボン酸、アミノ酸及びアミノカルボン酸からなる群より選ばれ、かつ、pHが2.0〜9.0である、前記錫又は錫合金めっき浴を提供する。
A-R1-S-S-R2-A (I)
(式中、R1及びR2はそれぞれ炭素数1〜20個の炭化水素残基を表し、それらは同一であっても又は異なっていてもよく、AはSO3Na、SO3H、OH、NH2又はNO2を表す。) (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性(低融点)を両立させるとともに、薄くかつ均一な厚みを有するSn合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にSn−Ag−Cu三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Sn−Ag−Cu三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともSn化合物と、Ag化合物と、Cu化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ag化合物1質量部に対して1質量部以上300質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Cu化合物1質量部に対して1質量部以上200質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】 鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面へのビスマスの置換析出を防止する。
【解決手段】 ジエチレントリアミンペンタ酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸、N,N−ジカルボキシメチル−L−グルタミン酸、N,N−ジカルボキシメチル−L−アスパラギン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、ニトリロトリス(メチレンホスホン酸)、ホスホノブタントリカルボン酸、ヒドロキシエチルアミノジメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、N,N−ジカルボキシメチル−L−アラニン、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、1,3−ジアミノ−2−ヒドロキシプロパンテトラ酢酸、メルカプトコハク酸、これらの塩から選ばれた錯化剤を添加した鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴である。特定種のアミノカルボン酸類又はホスホン酸類などを選択添加する。 (もっと読む)


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