【課題】ウィスカの主発生原因となるスズ系めっき粒子間へ成長する金属間化合物によるめっき粒子の圧迫、すなわち圧縮応力を吸収することができるめっき皮膜を提供することを目的とする。
【解決手段】素地１上に形成されたスズ系めっきのめっき被膜２において、めっき粒子３内に微小な空孔部４を多数有するものとする。また、素地上にスズ系めっきを形成するスズ系めっきの製造方法において、メタンスルホン酸スズ（ＩＩ）、メタンスルホン酸、硫黄系有機添加剤、アミン−アルデヒド系光沢剤、ノニオン系界面活性剤からなる浴組成中に素地１を浸漬して電着する。 （もっと読む）

【課題】被めっき物同士の固着を低減する、錫または錫合金めっき液に有用な添加剤、およびそれを用いた錫または錫合金めっき液を提供する。
【解決手段】水酸基含有炭化水素化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物とグルタルアルデヒドとの反応生成物とアミン化合物から選ばれる少なくとも１種の化合物から得られる添加剤、およびそれを含有することを特徴とする錫または錫合金めっき液。 （もっと読む）

【課題】鉛を含有しておらず、メッキ層でのウィスカ発生を抑制するためのＳｎ−Ｂメッキ法を提供する。
【解決手段】Ｐｂイオンを含まず、Ｓｎイオン供給源である硫酸スズと、Ｂイオン供給源であるジメチルアミンボランまたはトリメチルアミンボランとを含むＳｎ−Ｂメッキ液及びこれを使用したＳｎ−Ｂメッキ法。 （もっと読む）

【課題】錫−銅合金、錫−銀合金および錫−銅−銀合金から選ばれた錫合金電気めっき皮膜に見られるウイスカ発生を、リフロー処理を利用せずに抑制する。
【解決手段】使用する電気めっき浴にボイド形成剤を含有させることによりめっき皮膜に微小なボイドを導入して、皮膜を軟質化する。錫−銅合金めっき皮膜の場合、ボイドを含有しないめっき皮膜のビッカース硬度を１００％として、ビッカース硬度が８０〜９５％になるようにボイドを導入する。 （もっと読む）

【課題】はんだ濡れ性に優れ、微小部分のはんだ接続に対しても接続信頼性の高いはんだめっきを提供すること。
【解決手段】錫または錫に、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、インジウム、金、銀、銅、ニッケルからなる群より選択される少なくとも一種の金属を含む合金中に、フラックス活性を有する化合物を含有し、また、前記フラックス活性を有する化合物は、分子中にカルボキシル基とフェノール性ヒドロキシル基が少なくとも１つ以上有し、さらに、前記フラックス活性を有する化合物が、めっき皮膜中に５〜３０％含有することを特徴とするめっき。 （もっと読む）

Ｓｎ^２＋イオン源、Ａｇ^＋イオン源、チオ尿素化合物及び／或いは第４級アンモニウム塩の界面活性剤を含む電解メッキ浴にバンプ下冶金構造を曝し、Ｓｎ−Ａｇ合金をバンプ下冶金構造に沈着させるため、外部から電子を電解浴に供給することからなる、マイクロ電子デバイス製造におけるバンプ下冶金構造上にハンダ・バンプを形成するためのプロセス。 （もっと読む）

【課題】 錫及び錫合金半田めっきにおいて、ウィスカーの発生を抑制することのできる、めっき液、めっき膜及びその作製方法を提供する。
【解決手段】 錫めっき膜又は錫合金めっき膜を作製するためのめっき液に、サッカリンナトリウムを含有させる。好ましくは、サッカリンナトリウムを１５ｇ／ｌ以上含有させる。このめっき液を用いて作製されためっき膜は、錫の平均結晶粒径が１．５μｍ以下であり、ウィスカーの発生が抑制されている。めっき時の電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ²以上、カソード電位を飽和カロメル電極（ＳＣＥ）に対して９００ｍＶ以上とすることにより、より確実にウィスカーの発生を抑制することができる。
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【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させたＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の方法は、基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、Ｓｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含むめっき浴を用い、無機系キレート剤は、化学式（Ｉ）で表される金属フルオロ錯体系キレート剤であり、Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、有機系キレート剤は、ポルフィリン類であり、Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合される。
ＭＦ_X^(X-Y)-・・・（Ｉ）
（化学式（Ｉ）中、Ｍは任意の金属を示し、Ｘは任意の自然数を示し、ＹはＭの酸化数を示す。） （もっと読む）

被覆される基板を少なくともスズおよび銅のイオン、アルキルスルホン酸と湿潤剤を含む酸性電解質中でめっきするブロンズの電着の方法、ならびに該電解質の調製方法。 （もっと読む）

【課題】スズ−ビスマス合金層沈着（析出）のための電解質及び方法
【解決手段】本発明は、一種以上のアルキルスルホン酸及び／又はアルカノールスルホン酸、一種以上の可溶性スズ（ＩＩ）塩、一種以上の可溶性ビスマス（ＩＩＩ）塩、一種以上の非イオン性界面活性剤及び一種以上のチアゾール及び／又はチアヂアゾール化合物を含む、スズ−ビスアス合金の沈着のための酸性電解質を記述する。加えて、前記電解質を用いた方法、該方法を用いて得られたコーティング、並びに電子部品コーティングのための前記電解質の使用も可能にする。 （もっと読む）