【課題】広範囲に適用可能で良好な研磨結果を得られるＳｉＣ半導体の製造方法の提供。
【解決手段】ＳｉＣウェハを電解研磨するＳｉＣウェハの製造方法において、
前記電解溶液のＨＦ濃度が０．００１〜１０ｗｔ％であり、
印加電圧と発生電流密度の関係から最大電流密度Ｉmaxとそのときの印加電圧Ｖ₀を予め求めておき、電解研磨中の電流密度Ｉと印加電圧Ｖが
Ｖ＜Ｖ₀ のときは ０．５Imax≦Ｉ≦Ｉmax、
Ｖ≧Ｖ₀のときは ０．８Imax≦Ｉ≦Ｉmaxとなるように電圧を印加することを特徴とするＳｉＣウェハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】電解研磨における研磨ステップの終了点を検出するためのシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】電解研磨システムは、電解液を通る電流を送出するように構成された電源を有する。電源が供給する電気信号の信号特性を監視して研磨終了点を決定する。例えば、監視信号特性は電流および電圧を含む。別の実施形態では、電流は研磨で除去した材料量に関連付けられ、全時間にわたる電流を監視することによって研磨で除去した材料の全量を決定することが出来る。 （もっと読む）

【課題】Ｌｏｗ−ｋ膜等の絶縁膜に対するダメージが少なく、ディッシング、エロージョンが低減できる基板を電解研磨する方法を提供する。
【解決手段】バリア膜３と配線金属層４とを被加工面に有する基板１Ａ，１Ｂを陰極とし、当該被加工面と陽極との間に電圧を印加して、当該被加工面と当該被加工面に対向して接触する研磨パッドとを相対運動させることによってバリア膜３を除去する、基板を電解研磨する方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】ディッシングやエロージョンなどの過研磨を防止しつつ、研磨速度を向上させることが可能な電解複合研磨方法を提供する。
【解決手段】基板表面と研磨パッドとの接触面圧を０とした状態で、基板表面の導電膜に印加する電圧を増加させた場合に、電流密度が増加から減少に転じる第１変化点Ｃの電圧を最小電圧とし、接触面圧を有限値とした状態で、前記電圧を増加させた場合に、電流密度が増加後の減少から一定値に転じる第２変化点Ｂの電圧を最大電圧とし、前記最小電圧以上かつ前記最大電圧以下に前記電圧を維持しつつ、導電膜の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】
研磨中にウエーハ表面が酸化されて電気伝導率及び機械的強度が変化し、それが研磨レートの変化につながることを防止する、電解研磨を付加した化学的機械研磨方法及びその装置を提供する。
【解決手段】
スラリを供給しながら、表面に導電性膜が形成されたウェーハ表面を陽極とし、研磨定盤上面に取り付けられた研磨パッドを陰極として研磨ヘッドで保持した前記ウェーハを前記研磨パッドに押付け、前記ウェーハと前記研磨パッドとの間に電圧を印加して、電解作用により前記ウェーハ表面の導電性材料を電解溶出して除去しながら前記ウェーハを研磨して表面を平坦化する化学的機械研磨装置において、前記ウエーハ表面に形成された金属膜の酸化を防止するためのガスを噴射する複数のノズルを備えており、前記複数のノズルは、前記ガスを前記ウェーハの外周から中心に向けて噴射するように、前記ウェーハ周囲に等間隔で配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の加工面の傷や加工時に生じる不純物などを効果的に除去する洗浄方法を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法により作製したＳｉＣ成形体を所望の形状に加工した後、酸洗浄し、次いで、（１）該ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を陽極として２．０Ｖ以上の正電位を印加して表面に二酸化ケイ素の膜を形成する電解研磨処理、（２）引き続き、フッ化水素酸系の酸により二酸化ケイ素膜の溶解除去処理、を施した後、純水で洗浄し、乾燥することを特徴とするＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】電解加工中の導電性膜の除去加工状況を確認しつつ導電性膜を均一に除去し、導電性膜の取り残しや削り過ぎを無くすことができる、ウェハ表面の導電性膜を電解研磨により除去する電解加工の加工量制御方法及び電解加工装置を提供する。
【解決手段】電解加工装置１は、電解加工の進行に伴うウェハＷの導電性膜Ｍの除去領域と未除去領域との加工境界部分Ｓの色変化を電気信号として検出する膜Ｍ色変化検出手段１９と、膜色変化検出手段１９で検出した色変化の検出信号に基づいて前記導電性膜Ｍの加工境界位置と加工進行速度を算出するコントローラと、該コントローラで算出した加工境界位置及び加工進行速度を表示するモニタ装置とを備える。加工ヘッド３はウェハＷの中心Ｏから外周部に向けて移動して導電性膜Ｍを除去加工し、除去加工中に導電性膜Ｍの加工境界位置及び加工進行速度を監視しつつ、電解加工量を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板処理工程の一部を、純水、好ましくは超純水等を用いた電解加工に置き換え、更に高効率で平坦性の高い加工を行うことができるようにする。
【解決手段】イオン交換体４８ｄまたは４８ｅを用いた電解加工で基板表面の導電性配線材料の除去加工を行い、しかる後、イオン交換体４８ｄまたは４８ｅとは異なるイオン交換体４８ｆを用いた電解加工、または電解液を用いた電解加工で基板表面のバリア層の除去加工を行う。 （もっと読む）

【課題】化学的機械的研磨（ＣＭＰ）を用いずに半導体ウエーハ表面を電気研磨する装置および方法、および電気めっきする装置、方法を提供する。
【解決手段】電気研磨の場合、ａ）ウェーハ上の金属薄膜の所望の厚さを決定すること、ｂ）ウェーハ上の金属薄膜の一部分を除去すること、ｃ）金属薄膜の厚さを反射率によって測定すること、ｄ）金属薄膜の厚さが所望の厚さよりも大きい場合に、所望の厚さが測定されるまで、ｂ）、ｃ）、ｄ）を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成された金属層を効果的に研磨する。
【解決手段】半導体ウエハ上に形成された金属層（６１２）を研磨する方法であって、この金属層（６１２）は、障壁層（６０４）上に形成されており、障壁層（６０４）は、凹部領域（６０６）と非凹部領域（６１０）を具備する誘電体層（６０８）上に形成されており、この金属層（６１２）は、誘電体層の凹部領域（６０６）と非凹部領域（６１０）を覆っているものにおいて、金属層（６１２）を研磨し、非凹部領域（６１０）を覆っている金属層（６１２）を除去する段階と、凹部領域（６０６）内の金属層を非凹部領域（６１０）の高さに研磨する段階であって、この高さを障壁層（６０４）の厚さ以上とする方法。 （もっと読む）