【課題】複数の単結晶を同時育成可能な引下げ方法を提供する。
【解決手段】坩堝１１下部に内部から外部に連通する複数の貫通孔１１ｃの開口部を形成し、且つシード５には該開口部形成面と正対する平板形状のものを用いる。シードタッチ時には該シード５によって坩堝１１を所定量押し上げ、その状態で原料７の溶解、貫通孔１１ｃから漏出する原材料融液とシード５とのシードタッチの実施を行い、その後複数の単結晶の引下げ育成を行う。 （もっと読む）

【課題】複数の単結晶を同時育成可能な引下げ装置を提供する。
【解決手段】所定の中心軸周りに等配された複数の引下げ用の坩堝１１と、坩堝１１各々を巻回す複数の加熱コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃと、を有する構成とし、加熱コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃを各コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃの軸心に対して同一方向に電流が流れるように各々直列に接続し、単一の電力導入端２１より複数の加熱コイル部１７ａ、１７ｂ、１７ｃを有する回路に電力を投入する。 （もっと読む）

【課題】複雑な断面形状を有する単結晶を製造する引下げ方法を提供する。
【解決手段】坩堝１１下部の原材料融液９の漏出孔開口が形成される面を傾斜面とし、開口を傾斜面上部に配置する。単結晶の断面形状に対応するパターンを傾斜面に形成する。また、シード７は融液９との接触面に単結晶の断面形状に対応するパターンを形成し且つ接触面を坩堝１１側の傾斜面と同じ傾斜を有した面とする。シードタッチではシード７最上部と坩堝１１のパターン最下部とを接触させた後シード７を傾斜面に沿って平行移動させ、最終的に各々のパターンを相対するように配置させることでパターン全域のシードタッチを完了する。 （もっと読む）

【課題】外形形状に優れ高品位のファイバー状単結晶を製造可能な引下げ装置を提供する。
【解決手段】原材料融液９を保持する坩堝１１は孔１１ａが開口する端面から引下げ軸に沿って突出して、前記原材料融液９の前記引下げ軸に垂直な平面内での拡径挙動を抑制する鍔状部材１１ｃを有し、前記ファイバー状結晶９ａの外径は前記鍔状部材１１ｃによって制御される。なお、融解されて前記原材料融液９となる前の原材料段階において、シード保持具を予め所定量上昇させることにより前記孔１１ａを介して前記シードを前記原材料に接触させ、前記シードが前記原材料に接触した状態を維持して前記原材料の融解を行い、前記原材料融液９が所定温度に達した段階で前記シード保持具による前記シードの降下を行う。 （もっと読む）

【課題】外形形状に優れ高品位のファイバー状単結晶を製造可能な引下げ装置を提供する。
【解決手段】単結晶の原材料融液９を保持する坩堝１１において、円筒部１１ｂの開口端面に対して、該円筒部１１ｂの軸に対して垂直な平面において端面外径を拡大させた所謂鍔状のフランジ部１１ｃが配置されている。挙動抑制部材である当該フランジ部１１ｃの存在によって該円筒部１１ｂを這い登る原材料融液の量は抑制され、これに伴って結晶外表面に影響し得る不安定に開口端近傍に存在する原材料融液が減少し、外表面の状態のよりファイバー状単結晶９ａが得られる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料の顆粒物を半導体材料からなる流出管を備えた皿上で溶融させ、単結晶を下方に成長させる単結晶の製造方法において、融液が結晶化する相界面の軸方向位置の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体材料の顆粒物１３を、コイル端子５、コイル体１及び複数のセグメント２から構成された第１の誘導加熱コイルにより、前記半導体材料からなる流出管１１を備えた皿９上で溶融させ、溶融した顆粒物１３の、融液ネック部１８及び融液肩部１６の形で前記流出管１１から相界面４にまで延びる融液を形成させ、前記融液ネック部１８が貫通する開口部６を有する第２の誘導加熱コイル１５により前記融液に熱を供給しながら前記相界面４で前記融液を結晶化させる半導体材料単結晶の製造方法において、前記流出管１１と前記融液ネック部１８との間の界面の軸方向位置を制御するために、冷却ガスを前記流出管１１及び前記溶融ネック部１８に向かって供給する。 （もっと読む）

【課題】シリコン等の単結晶の製造において、原材料としての細粒を溶融させかつ溶融状態を維持するための誘導加熱コイルを提供する。
【解決手段】出口管１１を有するプレート９上で、半導体材料から成る細粒１３を溶融させるための誘導加熱コイルにおいて、電流案内スロットが設けられたコイルボディ１が設けられている。コイルボディ１の中央外側に位置する領域に、細粒のための通過開口６を有しており、コイルボディ１の下側中央において突出し、下端部においてウェブ３によって導電可能に結合された通電セグメント２とを有している。細粒を溶融させるための前記誘導加熱コイルは、溶融した半導体材料のフィルム１２と、フィルム１２によって包囲された自由面を備えた溶融物とを誘導加熱し、これらを液体に保つので、プレート９から単結晶１０への連続的で制御可能な溶融物流を保証する。 （もっと読む）

【課題】 良好な品質の圧電単結晶（Ｌａ₃Ｇａ₅ＳｉＯ₁₄の単結晶、Ｓｒ₃Ｇａ₄Ｇｅ₂Ｏ₁₄の単結晶）の育成を、マイクロ引き下げ法により十分な速度で実施する。
【解決手段】 坩堝２の底面のダイ部９の直下の位置と、そこから１０ｍｍ下方の位置との温度差をΔＴ（℃）と定め、また育成時の種結晶４の引き下げ速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）と定める。このとき、温度差ΔＴが１０℃≦ΔＴ≦２５℃の場合に、引き下げ速度Ｖが０．０５ｍｍ／ｍｉｎ≦Ｖ≦１．５ｍｍ／ｍｉｎの範囲の条件において前記の圧電単結晶を育成するか、もしくは温度差ΔＴが２５℃≦ΔＴ≦５０℃の場合に、引き下げ速度Ｖが０．０５ｍｍ／ｍｉｎ≦Ｖ≦０．３ｍｍ／ｍｉｎの範囲の条件において前記の圧電単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】組成の安定した単結晶育成を実現可能とする単結晶製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝１はイリジウム金属、レニウム金属、モリブデン金属、タンタル金属、タングステン金属、白金、または、これらの合金、あるいはカーボン製であり、坩堝底部外周にイリジウム金属、レニウム金属、モリブデン金属、タンタル金属、タングステン金属、白金、または、これらの合金、あるいはカーボンからなる発熱体であるアフターヒーターを配置し、坩堝１及びアフターヒーターは、誘導加熱手段の出力調整により発熱量の調整を可能とすることによって所望の凸起面（曲面を含む）１３を有する坩堝底部の凸起面１３に設けた細孔７部分から融液を引き出し単結晶１０を製造するマイクロ引下げ法において、坩堝底部の凸起面１３の細孔７の数を複数個とすることで、結晶面内で添加元素分布の安定した単結晶作製を可能とした。 （もっと読む）

【課題】Ｐｒを含む酸化物ガーネット単結晶からなるシンチレータ用発光材料の発光特性を向上させる。
【解決手段】一般式(Pr_xRE_1-x)₃(Al_1-yGa_y)₅O₁₂（ただし、REはY、Sc、Yb、Luから選ばれた１種または２種以上である。Prの濃度Xの範囲は0.0001≦x≦0.0500。Gaの濃度yの範囲は0.0000≦y≦1.0000）で表されるシンチレータ用酸化物ガーネット単結晶の製造方法であり、育成されたシンチレータ用酸化物ガーネット単結晶を、Ｏ_２を含有するＮ_２またはＡｒガス雰囲気において熱処理する。 （もっと読む）