【課題】 装置構成の複雑化を回避するとともに、適切な単結晶生成を可能とする半導体単結晶製造装置を提供すること。
【解決手段】 半導体単結晶の成長速度で移動する低速モードと、半導体単結晶の成長速度を超える速度で移動する高速モードと、を有する種結晶ホルダ５を備えた半導体単結晶製造装置Ａ１であって、種結晶ホルダ５およびルツボ１に対して単一の駆動経路で連結されたサーボモータ７１Ａ，７１Ｂと、サーボモータ７１Ａ，７１Ｂの回転量を検出するロータリーエンコーダ７２Ａ，７２Ｂと、サーボモータ７１Ａ，７１Ｂを制御するサーボアンプ７５Ａ，７５Ｂと、サーボアンプ７５Ａ，７５Ｂに対して、少なくとも上記低速モードにおいて位置制御指令を送るシーケンサ８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】単結晶製造装置における単結晶の引き上げを行うシードワイヤーの交換サイクルを延ばすことにより、コストが低減されて、品質ロスが少なく高重量の単結晶を歩留まり良く製造することができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により単結晶１６を引き上げる際にシードチャック１４で保持された種結晶１５をシードワイヤー１３で引き上げる単結晶製造装置１２であって、シードワイヤー１３の下端に先端ワイヤー１９の上端が引っ掛け金具を介して連結され、先端ワイヤー１９の下端にシードチャック１４が結合されたものである単結晶製造装置であり、前記シードワイヤー１３が、前記単結晶引き上げの際に７００℃以下となる領域に位置するように連結する。 （もっと読む）

【課題】育成されるサファイア単結晶内部に気泡が含まれ難いサファイア単結晶育成装置を提供すること。
【解決手段】サファイア原料が充填される坩堝１と、坩堝を加熱する円筒状ヒータ部３と円盤状ヒータ部４を有するカーボン製ヒータ30と、坩堝が保温される断熱空間室６と、断熱空間室の底面部60に設けられた絶縁筒８と、絶縁筒内に挿入されカーボン製ヒータに接続されて電力を供給するヒータ電極５を備え、サファイア原料融液10から回転引き上げ法によりサファイア単結晶を製造するサファイア単結晶育成装置であって、断熱空間室の底面部60を構成する断熱材料の厚さが９０ｍｍ以上、断熱空間室の底面部表面から円盤状ヒータ部４下端までの距離が１０ｍｍ以上に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成長する単結晶の近傍における高い程度の粒子形成を予想する必要なく、上部ネック部分を可逆的に弛緩させることが可能な単結晶引き上げ装置を提供する。
【解決手段】引上げケーブル６を巻き取るためのケーブルドラム７を有する、単結晶５を引き上げるための引き上げ装置が設けられており、単結晶５の重量の上部ネック部分を弛緩させるための支持装置に、開口及び掴み捕捉部材を有する支持リングが設けられており、掴み捕捉部材が、互いに向き合い、軸受の軸線を中心にして回動させられることができるように、支持リングに取り付けられており、掴み捕捉部材が待機位置から保持位置への可逆的な回動を行うことができ、掴み捕捉部材の軸受の軸線の両側において掴み捕捉部材に取り付けられた支持ケーブル１４及び補助ケーブル１５を巻き取るためのケーブルドラム７が設けられている。 （もっと読む）

【課題】単結晶引き上げ装置において、ワイヤの巻取り限界検出手段の設置方法および引上げ結晶の上限検出機構を提供する。
【解決手段】ワイヤ巻上げ機構によりワイヤ１２が巻上げられると、カプラ１４が引上げられ、中段フランジ２０の開口３４周辺部に当接し、該中段フランジ２０を押し上げる。これにより、中段フランジ２０が上昇し、右側部も上昇し、リミットスイッチ３０のパッド３２が右方向に移動させられ、リミットスイッチ３０が作動する。前記リミットスイッチ３０をワイヤ１４が引上げられる環境とは隔離された環境に配置することにより、スペースユーティリティ上有利となり、配置の自由度も高くなり、保守管理が容易となる。また、検出手段の選択の範囲が広がる。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により、単結晶製造装置を用いてシリコン単結晶を製造する際に、単結晶製造装置の駆動部をデジタル信号で制御して、無欠陥結晶を安定して育成し、単結晶の歩留まりと生産性を向上させることができる単結晶製造装置の駆動部の制御方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、ルツボ内に収容したシリコン融液から単結晶を引き上げてシリコン単結晶を製造する単結晶製造装置の駆動部の制御方法において、駆動部のモーターを制御するモーターアンプに送信する信号をデジタル信号とし、モーターアンプにデジタル信号を送信して所定の回転速度になるように駆動部のモーターを制御し、さらに、駆動部への供給電源がバックアップ用電源に切り換わる停電時には、送信する信号をアナログ信号に切り換えて、所定の回転速度になるように駆動部のモーターを制御する。 （もっと読む）

【課題】自動的に結晶軸とルツボ軸の軸芯出しを精度よく行うことができ、育成中の単結晶の振れを抑制することができ、生産性よく単結晶を製造できる単結晶引上方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法を用いた単結晶引上方法において、少なくとも単結晶のクラウンあるいは直胴部育成時、原料溶液に磁場を印加しながら、結晶の芯出し位置を確定する芯出しを行い、単結晶育成中にワイヤが所定振幅以上の振れが生じたとき、水平面内でワイヤを水平面内で移動させて振れを収束させる。軸芯調整方法としては、ワイヤ１２の位置をレーザセンサ１４で検知し、予めＲＡＭに記憶されたルツボ軸芯情報とワイヤ軸芯（結晶軸芯）情報を比較して、結晶軸芯がルツボ軸芯とずれている場合には、コントローラ１６を介して、調芯機能を備えるＸＹテーブル機構１０のＸＹテーブルをサーボ機構により動かし、結晶軸芯とルツボ軸芯を一致させる。 （もっと読む）

【課題】原料調達を安価で安定して行え、不純物濃度の低い高品質のシリコン単結晶を製造できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶製造用の原料として使用されないシリコン原料であるルツボ残シリコン塊８を石英ルツボ１ａ内に投入（a)したあと、溶融し（b)、この融液９からＣＺ法により原料シリコンインゴット１０を引き上げる（c)、（d)。石英ルツボ１ａ内に残存している残存融液９ａを石英ルツボ１ａから排出する（e)。シリコン単結晶製造用に通常用いるシリコン原料１１を石英ルツボ１ａ内に投入して溶融させる（f)。上記原料シリコンインゴット１０を吊下げ支持して石英ルツボ１ａ内の初期シリコン融液に上方から供給して溶融する。原料シリコンインゴット１０を保持していた種結晶７は、シリコン融液３の表面近傍で待機する（g)。上記種結晶７を浸漬して、シリコン融液３からシリコン単結晶４を引き上げる（h)、（i)。 （もっと読む）

【課題】ルツボ内のシリコン融液に磁場を印加し、チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶引上装置において、容易に高酸素濃度のシリコン単結晶を得ることができる単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】炉体内においてルツボ３の周囲を囲む円筒状の発熱部４ａを有し、発熱部４ａの熱放射により原料シリコンＭを溶融するヒータ４と、炉体の周囲を囲むように設けられ、ルツボ３内のシリコン融液Ｍに対し水平磁場を印加する電磁石１３とを備え、ヒータ４の発熱部４ａにおける引上げ軸方向の長さ寸法ｈが、ルツボ３の内径の０．５倍〜０．９倍に形成されると共に、ヒータ４の発熱部４ａにおける引上げ軸方向の第一の中央位置が、電磁石１３における引上げ軸方向の第二の中央位置よりも下方に配置され、且つ、それら第一及び第二の中央位置の距離差ｄが、ルツボ３の内径Ｒの０．１５倍〜０．５５倍である。 （もっと読む）

【課題】可能な限り簡単に形成されていて、したがって、ほとんど故障しにくい、結晶のための支持装置を備えた結晶引上げ設備を提供する。
【解決手段】各爪７が、旋回軸８を中心として旋回可能に基体１に支承されており、該基体１が、各爪７に対して、休止位置を規定するストッパと、作業位置を規定するストッパとを有しており、休止位置において、爪７の重心が、ネック４から見て旋回軸８よりも外側に位置していて、作業位置において、旋回軸８よりも内側に位置しているように、ストッパが配置されているようにした。 （もっと読む）