【課題】種結晶基板上に窒化物単結晶を育成する時に、窒化物単結晶の単位時間当たりの生産性を向上させる方法を提供する。
【解決手段】育成容器内でフラックスおよび単結晶原料を含む融液に種結晶基板を浸漬し、この種結晶基板の育成面上に窒化物単結晶を育成する。フラックスおよびＩＩＩ属原料を含む融液を未飽和温度ＴＳ１に加熱することによって、フラックスおよびＩＩＩ属原料を含む融液中に窒素を溶解させる（窒素溶解工程Ａ１）。フラックスおよびＩＩＩ属原料を含む融液を飽和温度以下ＴＫ１に冷却する（冷却工程Ｂ１）。次いでフラックスおよびＩＩＩ属原料を含む融液を未飽和温度ＴＳ２に加熱する（再加熱工程Ａ２）。次いでフラックスおよびＩＩＩ属原料を含む融液を飽和温度以下に再冷却する。 （もっと読む）

【課題】液相法において大型の結晶を成長させることができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、液相法によるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、ＩＩＩ族窒化物結晶１０と同じ化学組成を有しかつ０．５ｍｍ以上の厚さを有するＩＩＩ族窒化物結晶基板１を準備する工程と、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属を含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】種結晶基板上に窒化物単結晶を育成する時に、窒化物単結晶の品質を保持しつつ、窒化物単結晶の到達膜厚を向上させることである。
【解決手段】育成容器内でフラックスおよびＩＩＩ族原料を含む融液に種結晶基板を浸漬し、窒素含有雰囲気下で、この種結晶基板上に窒化物単結晶を育成する。融液を加熱して未飽和状態で保持することによって、融液中に窒素を溶解させる。次いで融液を過飽和状態とし、種結晶基板上に窒化物単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】フラックス成分に鉛を含まないＬＰＥ法にて、安定的に結晶育成が可能で量産性に富み、かつ挿入損失が低く、ファラデー効果の大きいビスマスを置換した希土類鉄ガーネット単結晶を提供する。
【解決手段】鉛成分をフラックスとして用いない液相エピタキシャル法によって、非磁性ガーネット単結晶基板上に育成され、一般式 ： Ｒ_{３−ｘ−ｙ-ｗ}Ｂｉ_ｘＣａ_ｙＭ_ｗＦｅ_{５−ｚ−ｖ}Ａ_ｚＰｔ_ｖＯ_１２ （１）（式中、ＲはＹ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｏ、ＹｂおよびＬｕからなる群から選ばれる一種または二種以上の元素である。ＭはＮａまたはＫから選ばれる一種または二種以上の元素である。Ａは、ＧａまたはＡｌ、およびその両方の元素である。また、０．７＜ｘ＜１．４、０．０１＜ｙ＜０．１、ｚ＜１．０、ｗ＜０．０５、０．０１＜ｖ＜０．１である。）で示されるビスマスとカルシウムを置換した希土類鉄ガーネット単結晶。 （もっと読む）

【課題】量産に用い得る厚さと面積を確保しながら、容易な生産方法でかけやわれの発生を抑制してオリエンテーションフラットを形成することを目的とする。
【解決手段】窒化ガリウム結晶体２７から、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４を陵線等に平行に除去することで、欠けや割れの発生を抑制した窒化ガリウム基板を提供できる。しかも、ファセット１５を有する硬質の立体構造物１４の陵線等は特有の結晶方位を有し、かつ、明瞭であるので、立体構造物１４の陵線等に平行に切断加工した窒化ガリウム結晶体２７の切断線２１をデバイス加工の基準線となるオリエンテーションフラットに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】高性能の発光ダイオードやＬＤ等のデバイスを作製するために実用的な大きさで、かつ、低コスト，高品質のIII族窒化物結晶を成長させることの可能なIII族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置を提供する。
【解決手段】混合融液保持容器１０２には、III族金属としてのＧａとアルカリ金属としてのＮａとから構成される混合融液１０３が収容されている。ここで、Ｎａの純度が９９％、Ｇａの純度が９９．９９９９％、窒素ガスの純度が９９．９９９％、混合融液保持容器１０２の材質が焼結体のＢＮの場合には、固体物１１０は一部に穴１１１が開いたような形状となる。その穴１１１を通して窒素が混合融液１０３中に溶け込むことにより、混合融液１０３中に、III族窒化物としてのＧａＮの単結晶１０９を結晶成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】液相法において大型の結晶を成長させることができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、液相法によるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、平坦な主面１ｍを有し、少なくとも主面１ｍ側にＩＩＩ族窒化物結晶１０と同じ化学組成を有するＩＩＩ族窒化物種結晶１ａを含み、主面１ｍに最も近い（ｈｋｉｌ）面１ｎ（ここで、ｉ＝−（ｈ＋ｋ）であり、ｈ、ｋおよびｌはそれぞれ−９以上９以下の整数）の反りの曲率半径が２ｍ以上である基板１を準備する工程と、基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属を含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】品質の良い非極性面ＩＩＩ族窒化物の単結晶からなる自立基板を高い生産性で得る方法を提供する。
【解決手段】非極性面ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。下地膜２上に金属膜を形成する。この金属膜を窒化することによって、空隙を有する金属窒化物膜４を設ける。金属窒化膜４上に種結晶膜５を気相成長法により形成する。非極性面ＩＩＩ族窒化物の単結晶６を種結晶膜５上にフラックス法によって育成する。単結晶６は金属窒化物膜４に沿って基板１から容易に剥離する。 （もっと読む）

【課題】 高価なＧａＮの薄膜を堆積した種結晶基板を用いることなく、結晶性に優れたＧａＮ単結晶等の窒化物単結晶を得ること。
【解決手段】 窒化物単結晶の製造方法は、種結晶基板４の表面に化学式ＸＮ（ただし、ＸはＧａ，Ａｌ及びＩｎから選ばれる少なくとも１種である。）で表される窒化物単結晶８をフラックス法によって成長させる窒化物単結晶８の製造方法であって、種結晶基板４は窒化物単結晶８を成長させる成長面が窒素で終端されている。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法によるIII 族窒化物半導体の製造において、従来結晶成長工程終了後に廃棄されていたＮａを再利用できる製造装置を実現すること。
【解決手段】
Ｎａフラックス法によるIII 族窒化物半導体の結晶成長工程終了後、坩堝１１の温度が１００℃以上である時に、回収装置２０にてＮａを吸引し、保持容器２２内に液体状態で保持する。回収したＮａは、蛇口２４より取り出すことができる。ここで、結晶成長工程終了後に残存するＮａは、蒸気圧の高い不純物を含んでいないため高純度である。そのため、回収したＮａをフラックスとして再利用すると、不純物濃度の低いIII 族窒化物半導体を製造することができる。 （もっと読む）