【課題】フラックス法で窒化アルミニウムを高い生産性で育成する方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムとフラックスとを含む融液から窒素含有ガスの存在下に窒化アルミニウム単結晶を育成する。窒化アルミニウム単結晶の育成温度が１２５０℃以上、１５００℃以下であり、育成時の窒素含有ガスの窒素分圧が０．０１ＭＰａ以上、１ＭＰａ以下であり、融液におけるアルミニウムとフラックスとのモル比率が４０：６０〜９０：１０であり、フラックスがスズ、ガリウム、インジウムおよびビスマスからなる群より選ばれた一種または二種以上の第一金属とアルカリ土類に属する一種または二種以上の第二の金属とからなり、第一の金属と第二の金属とのモル比率が１：９９〜９９：１である。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質の単結晶を製造することが可能な単結晶製造装置、該単結晶製造装置を用いて製造される単結晶材料、電子部品並びに単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶の原料１０２が収容される金属ルツボ１０１と、該金属ルツボ１０１を高周波加熱する加熱手段（高周波誘導加熱コイル１０３、高周波加熱電源１０４）と、電磁シールド１０９でシールドされ前記金属ルツボ１０１の温度を熱電対１１０で検出する温度センサーと、前記金属ルツボ１０１の原料融液１０２から単結晶１０７を成長させる単結晶成長手段と、前記加熱手段を制御する制御手段である温度調節器１１１とを備え、前記温度調節器１１１は、前記温度センサーの検出信号に基づいて、前記加熱手段を制御して単結晶成長過程における前記原料融液１０２の温度調整を行う。 （もっと読む）

【課題】フラックス法において、用いるフラックスの純度を高く確保しつつ、フラックスの材料コストを節約し、更に作業効率を向上させる方法を提供する。
【解決手段】ナトリウム（Ｎａ）精製装置１３０には、精製後のＮａを液体状態で保持するＮａ保持管理装置１４０が設けられており、このＮａ保持管理装置１４０には、１００℃に維持された液体Ｎａ供給管１３９を介して、液体Ｎａが供給される。更に、このＮａ保持管理装置１４０は、自身の内部空間を満たすアルゴン（Ａｒ）ガスの状態を管理するためのＡｒガス精製装置１４１を有している。したがって、Ｎａ精製装置１３０から供給される精製後の液体のＮａは、液体Ｎａ供給管１３９，Ｎａ保持管理装置１４０，配管１４９を介して、所望のタイミングで蛇口１２１の開閉操作に基づいて自在に坩堝ｃの中に取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長（ＬＰＥ）法により、４Ｈもしくは６Ｈ炭化珪素単結晶基板上に２Ｈ炭化珪素単結晶が３０μｍ厚以上形成された基板と、その製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ３内でリチウムフラックス中で珪素と炭素の融液１２を形成し、種結晶基板１１として融液１２に浸漬した４Ｈ炭化珪素単結晶もしくは６Ｈ炭化珪素単結晶のＣ面［（０００−１）面］上に、２Ｈ炭化珪素単結晶のＬＰＥ膜を３０μｍ厚以上成長させる。 （もっと読む）

【課題】安定した大きなドメインを持ち、かつ均一で高品質なIII 族金属窒化物単結晶を育成する方法を提供する。
【解決手段】基板本体と、基板本体の表面に形成されたIII 族金属窒化物単結晶の下地膜とを備えているテンプレート基板に、フラックスを使用してIII 族金属窒化物単結晶５を育成する。この際、テンプレート基板の成膜面において、下地膜が複数の島状部７に分かれており、隣接する島状部７の間に基板本体の表面の露出部分が設けられており、島状部７が、互いに異なる方向に向かって延びる複数の腕部７ａ、７ｂ、および複数の腕部７ａ、７ｂと連続する連結部７ｃを備えている。 （もっと読む）

【課題】光学分野、電気・電子工業分野において有用な3.30＜Eg≦3.54eVのバンドギャップを有するMg含有ZnO系混晶単結晶、その積層体及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】溶質と溶媒の混合比が、ZnOのみに換算した溶質：溶媒＝5〜30mol％：95〜70mol%であり、溶媒であるPbOとBi2O3の混合比がPbO：Bi2O3＝0.1〜95mol%：99.9〜5mol%である融液に基板を直接接触させ、液相エピタキシャル成長法により、膜厚が5μｍ以上のMg含有ZnO系混晶単結晶を基板上に成長させる。このようにして製造したMg含有ZnO系混晶単結晶を基板として用い、この基板上に更にMg含有ZnO系混晶単結晶を成長させることによりMg含有ZnO系混晶単結晶積層体を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶の成長速度を高速化できる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０は、ＮａとＧａとを含む混合融液２７０を保持する。支持装置４０は、種結晶５が混合融液２７０中に浸漬されるように一方端に種結晶５を保持する。加熱装置５０，６０は、坩堝１０および反応容器２０を９００℃に加熱し、加熱装置３００は、種結晶５周辺の混合融液２７０の温度を１０５０℃に加熱する。圧力調整器１２０は、反応容器２０の窒素ガス圧が１．０１ＭＰａになるようにガス供給管９０およびバルブ１１０を介して窒素ガスを反応容器２０へ供給する。ガスボンベ２２０、流量計２１０およびガス供給管２００は、種結晶５の温度が１０００℃に設定されるように窒素ガスを配管１８０へ供給する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長レートが高く、高品質の結晶が得られるIII族元素窒化物結晶の製造方法、およびIII族元素窒化物結晶を提供する。
【解決手段】III族元素、アルカリ金属およびIII族元素窒化物の種結晶２０を結晶成長容器１８に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、結晶成長容器１８を加圧加熱し、III族元素、アルカリ金属および窒素を含む融液中でIII族元素および窒素を反応させ、種結晶２０を核としてIII族元素窒化物結晶を成長させるIII族元素窒化物結晶の製造方法であって、結晶成長容器１８を加圧加熱する前に、沸点がアルカリ金属の融点よりも高い炭化水素を添加するものである。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程を経てＩＩＩ族窒化物結晶を製造可能な結晶製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０は、ＮａとＧａとを含む混合融液２７０を保持する。支持装置４０は、その一方端が混合融液２７０に浸漬される。加熱装置５０，６０は、坩堝１０および反応容器２０を８５０℃に加熱する。圧力調整器１２０は、反応容器２０内の窒素ガス圧が分解モードに含まれる圧力になるようにガス供給管９０およびバルブ１１０を介して反応容器２０へ窒素ガスを供給する。流量計２１０は、坩堝１０および反応容器２０内の圧力を保持したままで、流量ｆｒ２からなる窒素ガスを配管１８０へ供給して支持装置４０の一方端の温度を７５０℃に低下させて一定期間保持し、その後、流量ｆｒ１（＜ｆｒ２）からなる窒素ガスを配管１８０へ供給して支持装置４０の一方端の温度を８００℃に上昇させて一定期間保持する。 （もっと読む）

【課題】フラックス法によって窒化物単結晶を育成するのに際して、結晶基板の反りや粒界生成を抑制する方法を提供する。
【解決手段】融液中で針状種結晶９の側面９ａから単結晶１０を成長させる。好ましくは、針状種結晶９が窒化物単結晶からなる。また、好ましくは、育成される窒化物単結晶１０のｃ軸が針状種結晶９の主軸Ｘと略平行となるように単結晶を育成する。好適な実施形態においては、針状種結晶９の主軸Ｘが窒化物単結晶基板の法線と平行になるように、基板を切り出す。 （もっと読む）