【課題】発光量を増加させた積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】バンドギャップが異なるＺｎＯ系半導体の積層体を製造し、バンドギャップが小さい層をα線や電子線などの電離放射線が侵入できる厚みである５μｍ〜５０μｍにすることで、積層型ＺｎＯ系単結晶シンチレータ１１０の発光量を大幅に増加させる。ＺｎＯ系単結晶の組成は（Ｚｎ_1-x-yＭｇ_xＣｄ_y）Ｏ[０≦ｘ≦０．１４５、０≦ｙ≦０．０７]である。 （もっと読む）

【課題】シンチレータ結晶を放射線検出に利用する場合に、蛍光寿命が長い長波長発光により放射線検出の弁別機能の安定性が害されるという問題を解決できる４５０〜６００ｎｍの発光が少ない励起子発光型シンチレータＺｎＯ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液に、基板を直接接触させることによりＺｎＯ単結晶を成長させる液相エピタキシャル成長法により、ノンドープＺｎＯ単結晶やＩＩＩ族元素やランタノイド元素をドープしたＺｎＯ単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属の酸素および水との反応を防止可能であり、かつ成長レートが向上した３族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】３族元素、アルカリ金属および３族元素窒化物の種結晶基板２０を結晶成長容器１８に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、結晶成長容器１８内を加圧加熱し、種結晶基板２０を核として３族元素窒化物結晶を成長させる３族元素窒化物結晶の製造方法であって、さらに、第１の炭化水素および第１の炭化水素よりも沸点が高い第２の炭化水素を準備し、結晶成長容器１８内の加圧加熱に先立ち、アルカリ金属を、第１の炭化水素および第２の炭化水素の少なくとも第１の炭化水素により被覆した状態で結晶成長容器１８に入れ、アルカリ金属の被覆に使用した第１の炭化水素を結晶成長容器１８内から除去した後、第２の炭化水素の存在下、結晶成長容器１８内を加圧加熱して３族元素窒化物結晶を成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶成長速度を小さくしても、再現性よく転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法は、液相法によるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属とを含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液６を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、を備え、ＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程において、結晶成長速度を０μｍ／ｈｒから１μｍ／ｈｒ²以下の速度変化率で徐々に増大させる。 （もっと読む）

【課題】工業的に有利な製造方法であって、得られる結晶中のＬｉ含有量が低い第１３族金属窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】窒素元素と第１３族金属元素とイオン性溶媒を含む液９中において、シード６上に第１３族金属窒化物結晶を成長させる際に、イオン性溶媒としてハロゲン化ナトリウム、ハロゲン化カリウムおよびハロゲン化セシウムからなる群より選択される１つ以上のハロゲン化物を合計０．１〜１４モル％含有し、かつ、ハロゲン化リチウムを含む溶媒を用いる。 （もっと読む）

【課題】液相法であるフラックス法において作業性が高められたＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、液相法によるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法であって、下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属とを含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、を備え、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属との合計のモル数に対するアルカリ金属のモル数の比が０．００１以上０．２未満である。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法によるIII 族窒化物半導体結晶の製造において、ＧａとＮａの混合融液を簡易かつ効率的に攪拌すること。
【解決手段】種結晶ホルダ１５は、４枚の羽根１５ａを有したプロペラ形状である。羽根１５ａ上に種結晶１４が配置される。この種結晶ホルダ１５は、坩堝１１の回転に伴って回転する。したがって、ＧａＮ結晶の育成中にＧａとＮａとの混合融液１９を効率的に攪拌することができる。その結果、雑晶の発生が抑制され、均一で高品質なＧａＮ結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉ濃度が低い自立ＺｎＯ単結晶を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液８に、種結晶基板７を直接接触させ、種結晶基板７を連続的あるいは間欠的に引上げることによって、液相エピタキシャル成長法によりＺｎＯ単結晶を種結晶基板７上に成長させることができる。ＺｎＯ単結晶を成長させた後、基板７を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した−ｃ面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立ＺｎＯ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】組成均一性が高い自立Ｍｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶ウエファーおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯおよびＭｇＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液８に、種結晶基板７を直接接触させ、種結晶基板７を連続的あるいは間欠的に引上げることによって液相エピタキシャル成長法によりＭｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶を成長させ、その後、基板７を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した−ｃ面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立Ｍｇ含有ＺｎＯ系混晶単結晶ウエファーを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 従来よりもより一層、欠陥密度が低減された、実用的な大きさの大型，大面積の高品質なＩＩＩ族窒化物結晶を作製する。
【解決手段】 反応容器１１３内で、フラックスと少なくともＩＩＩ族金属を含む物質とが混合融液１０３を形成し、該混合融液１０３と少なくとも窒素を含む物質とから、ＩＩＩ族金属と窒素とから構成されるＩＩＩ族窒化物を結晶成長させるフラックス法によるＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法において、混合融液１０３中の窒素溶解量を制御して、所望の成長モードでＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）