【課題】本発明は、ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに単結晶の製造方法に関し、鉛（Ｐｂ）の含有量を削減したガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】カリウム（Ｋ）、ビスマス（Ｂｉ）及びホウ素（Ｂ）を溶媒として含む溶液を生成し、その溶液を用いてガーネット単結晶を育成する。溶液がさらにＰｂを含む場合には、Ｐｂの配合率を１１ｍｏｌ％以下にする。 （もっと読む）

【課題】鉛をフラックス成分とする液相エピタキシャル法（ＬＰＥ法）において、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶（ＢＩＧ）に含まれる鉛の量を０.１重量％以下に減らすことのできるＢＩＧの結晶育成技術を提供する。
【解決手段】希土類酸化物と鉛を含んだフラックス成分からなる融液を用いたＬＰＥ法によるＢＩＧ育成において、融液中の酸化鉛モル濃度ｘを５％以上４８%以下、かつ、ＣａＯモル濃度ｙを０．０１％以上０．８％以下とし、さらに、下記条件を満たすよう融液組成を定める。 Ｌｏｇ（ｘ） ＞ −４４.５３／ｙ−０.８５７＋Ｌｏｇ（ｙ） （もっと読む）

【課題】低圧または常圧で、工業的に安価な方法で良質の第１３族金属窒化物結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】反応容器１４中に溶融塩６を入れ、溶解する。仕切り板５で仕切られた部分に、周期表第１３族金属元素および周期表第１３族以外の金属元素を含有する複合窒化物８を置き、溶融塩６中へ溶解させる。溶解した複合窒化物８は、イオン性溶媒に溶解してＧａＮ結晶１の表面に到達し、第１３族金属窒化物結晶が成長する。 （もっと読む）

【課題】 液相エピタキシャル成長により、基板上に膜厚ばらつきが少なく、表面平坦性に優れた単結晶膜を製造することを可能とする単結晶の製造方法を得る。
【解決手段】 複数の原料をルツボ２に供給し、複数の原料を溶解させてなる溶液９中に基板７を浸漬し、液相エピタキシャル法により単結晶基板表面において育成させるに際し、基板７が溶液９中に浸漬される際の高さ位置よりも下方に、溶液９内に生じた結晶粒９ａの上方への移動を抑制する遮蔽板１０を配置し、基板７の表面に単結晶膜を育成する、単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高性能の発光ダイオードやＬＤ等のデバイスを作製するための実用的な大きさのＩＩＩ族窒化物結晶および半導体デバイスを提供し、また、このようなＩＩＩ族窒化物結晶を成長させることの可能な結晶製造装置を提供する。
【解決手段】ＮａとＧａの混合融液中１０７及び混合融液表面１０８で、窒素ガス或いは窒素ガスから供給された融液中の窒素成分とＧａとが反応することで、継続的なＧａＮ結晶が成長し、結晶サイズの大きなものを得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】フラックス法により、欠陥の少ないＡｌＮ単結晶を大きな成長速度で製造可能なＡｌＮ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ、およびＮｉから選択された１種以上からなる金属ＭとＡｌとを含むＭ−Ａｌ合金融液に、またはこれにさらにＳｉを添加したＭ−Ｓｉ−Ａｌ合金融液に、窒化物(例、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＢＮ、ＡｌＮ、ＴｉＮ)を接触させた状態で、ＡｌＮと格子整合性を有する種結晶基板(例、バルクＳｉＣ単結晶)を接触させ、前記種結晶基板上にＡｌＮをエピタキシャル成長させる。窒化物は、合金融液を収容する内坩堝として、または合金融液中に投入した板状体として使用することができる。 （もっと読む）

【課題】直径３．５インチ以上の基板を使用しても基板割れが少ないビスマス置換型磁性ガーネット膜の育成方法の提供。
【解決手段】非磁性ガーネット単結晶基板を用いて液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ法）によりビスマス置換型磁性ガーネット膜を得るに際して、ビスマス置換型磁性ガーネット膜の成長面とベベル面とに化学的作用を起こしながら機械的に研磨するメカノケミカルポリッシュによりポリッシュ加工を施して得た基板を用い、かつＬＰＥ法により基板表面にビスマス置換型磁性ガーネット膜を育成した後、基板を引き上げてこの基板表面に育成されたビスマス置換型磁性ガーネット膜と融液とを切り離し、基板を１００ｒｐｍ以上の回転数で回転させビスマス置換型磁性ガーネット膜上に残留する融液を除去した後冷却する。 （もっと読む）

【課題】 特別な装置を用いることなく、高濃度のｐ型シリコンカーバイド層を形成する製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコンカーバイド基板の表面に、アルミニウム部材と、このアルミニウム部材が融解したとき、アルミニウムへシリコンカーバイド基板表面のシリコン及び炭素の溶解を促進する元素を含む第１の板状部材とを積層し、昇温、降温することでｐ型シリコンカーバイド層を形成する。融解したアルミニウムがシリコンカーバイド基板上に凝集する場合には、第１の板状部材上に、融解したアルミニウムが凝集しない重量で、第１の板状部材と接合しない材料からなる第２の板状部材を、または第２の板状部材上にさらに昇温時に融解することがない高融点金属からなる錘部材とを積層して昇温、降温することでｐ型シリコンカーバイド層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ある周波数ｆ₀ において、ある電力Ｐｓｈ以下の入力信号に対して、周波数ｆ₀ を中心として出力信号が３ｄＢ以上抑圧された範囲の帯域幅Ｂａの狭い静磁波素子を得る。
【解決手段】 静磁波素子１０は、ＧＧＧ基板などの非磁性基板１２を含む。非磁性基板１２上に、ＹＩＧ単結晶膜のような磁性ガーネット単結晶膜１４を形成する。磁性ガーネット単結晶膜１４については、不純物としてのＰｂの含有量が５重量ｐｐｍ以下となるようにする。磁性ガーネット単結晶膜１４上に、間隔を隔ててマイクロストリップライン１６，１８を形成する。マイクロストリップライン１６，１８に平行な向きに磁界Ｈを印加する。そして、マイクロストリップライン１６に信号を入力し、マイクロストリップライン１８から信号を出力する。 （もっと読む）