【課題】Ｎａフラックス法によるＧａＮ結晶の製造方法において、ＧａＮ結晶にインクルージョンが発生せず、かつ転位密度を減少させること。
【解決手段】種結晶１８として、ＧａＮからなる自立基板を用い、種結晶１８上に７μｍ／ｈ以下の成長速度でＧａＮ結晶１００を成長させた。ＧａＮ結晶１００はステップフロー成長し、種結晶１８から伝搬する転位はＧａＮ結晶１００中において曲げられ、転位密度が減少する。その後、ＧａＮ結晶１００上に７μｍ／ｈよりも速く、２５μｍ／ｈよりも遅い成長速度でＧａＮ結晶１０２を成長させた。 （もっと読む）

【課題】結晶成長速度、育成量を向上させ、かつ結晶の厚さの均一性を高めることが可能なＮａフラックス法によるＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎａフラックス法によるＧａＮ結晶育成中、混合融液中のＧａＮ結晶表面から気液界面までの距離を１０ｍｍ以下に保持し、坩堝と種結晶とを下記回転モードでそれぞれ独立に回転させた。すなわち、坩堝の回転方向を周期的に反転させ、種結晶の回転方向を坩堝の回転方向とは完全に逆方向とした。このような条件で坩堝および種結晶を回転させながらＧａＮ結晶を育成することにより、ＧａＮ結晶の成長速度が早くなって育成量を向上させるとともに、ＧａＮ結晶の厚さを均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化物結晶製造方法に関するもので、結晶の品質向上を目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、種基板と、結晶材料とアルカリ金属またはアルカリ土類金属を、坩堝に収納する第１の工程と、前記坩堝を加熱して前記結晶材料と前記アルカリ金属または前記アルカリ土類金属の混合液を形成するとともに、前記坩堝に窒素ガスを供給して、前記種基板上に結晶を育成する第２の工程を備え、前記種基板上の前記混合液の平均流速をα、前記種基板上の最大流速平均値をＡ、前記種基板上の前記混合液の最大流速バラツキをＢとしたときに、前記第２の工程中に式（１）及び式（２）を満たす条件で前記混合液が流動するように、前記混合液を撹拌する。
α≧0.008（m/s） （１）
B／A≦0.6 （２） （もっと読む）

【課題】高い結晶成長温度であっても特別な装置を必要とせず単結晶中の多結晶の混入確率およびボイド密度を低減し得るＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】溶液法により原料溶液からＳｉＣ種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長させる方法であって、溶液界面の面積（Ｓｓ）に対するＳｉＣ種結晶の表面積（Ｓｃ）の割合（Ｓｃ／Ｓｓ）を０．１３以下、結晶成長開始前の坩堝内の雰囲気圧力を５５ｋＰａ以上とするＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高抵抗且つ低転位密度のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】本発明のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶は、比抵抗が１×１０²Ω・ｃｍ以上、３Ｂ族窒化物結晶中のＺｎ濃度が１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上２×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下、エッチピット密度が５×１０⁶／ｃｍ²以下のものである。この結晶は、液相法（Ｎａフラックス法）により得ることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶の品質を向上させることができる窒化物結晶製造方法と窒化物結晶製造装置を提供する。
【解決手段】育成炉と、育成炉内に配置された結晶成長容器と、結晶成長容器を加熱するヒーターと、結晶成長容器内に原料ガスを供給する原料ガス供給部と、結晶成長容器内に設けた坩堝２と、この坩堝２内に設けた種基板１とを備え、坩堝２内には、炭素粒１８を種基板１とは非接触状態で配置する凹部１７を設けた。また、種基板１の外周より外側に網状壁を設けて炭素粒１８を収容してもよい。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法によるＧａＮの製造において、Ｇｅを効率的に添加する方法を提供する。
【解決手段】種結晶基板１９を、その一端が保持用台座１８上となるように配置する。これにより、坩堝１１底面に対して種結晶基板１９が傾斜した状態で保持されるようにし、種結晶基板１９と坩堝１１底面との隙間に固体ガリウム１６、固体ゲルマニウム１７を配置し、種結晶基板１９上に固体ナトリウム２０を配置する。以上のように材料を配置してＮａフラックス法により種結晶基板１９にＧａＮ結晶を育成すると、ナトリウムとゲルマニウムの合金が生じる前に、ガリウム融液にゲルマニウムが融解するので、ＧａＮ結晶にＧｅを効率的にドープすることができる。 （もっと読む）

【課題】溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造において、いわゆる坩堝加速回転法（ＡＣＲＴ：Accelerated Crucible Rotation Technique）の理想的なＡＣＲＴパターンを見いだして、理想的な溶液の流れを実現し、高速成長かつ高品質のＳｉＣ単結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】回転可能な坩堝内の珪素を含む融液中に炭素が溶解した溶液に、回転可能な種結晶固定軸に固定したＳｉＣ種結晶を接触させて、該ＳｉＣ種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長させる方法において、該種結晶固定軸を回転開始し、所定の遅れ時間（Ｔｄ）後に該坩堝を回転開始し；その後、該種結晶固定軸と該坩堝の回転を同時に停止し；そしてその後、該種結晶固定軸と該坩堝を所定の停止時間（Ｔｓ）の間停止する、ことを含む回転・停止周期を繰り返す。これにより、溶液内の攪拌をより一層高めることができる。 （もっと読む）

【課題】核発生防止および高品質無極性面の成長の少なくとも一方を実現可能なＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともアルカリ金属とガリウムとを含む融液中において、ＧａＮ結晶を製造する方法であって、融液中の炭素の含有量を調整する調整工程と、ガリウムと窒素とが反応する反応工程とを包含する。アルカリ金属としては、Ｎａを用いる。この製造方法により、核発生を防止し、無極性面を成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】フラックス法により種結晶基板上に窒化ガリウムの結晶を生成させた窒化ガリウム結晶板であって、高品質なものを提供する。
【解決手段】種結晶基板５４を金属ガリウム及び金属ナトリウムを含む混合融液に浸漬した容器５０を、７００〜１０００℃で加圧窒素ガスの雰囲気下、種結晶基板５４上での窒化ガリウムの結晶成長速度が１０〜２０μｍ／ｈとなるように回転させる。その後、容器５０にエタノールを加えて金属ナトリウムを溶かし、溶け残った窒化ガリウム結晶板を回収する。 （もっと読む）