【課題】半導体結晶の膜厚を均一にすると共に、その結晶性を高く均一にする方法を提供する。
【解決手段】昇温開始後、混合フラックス中の窒素（Ｎ，Ｎ₂）が過飽和近くに達するまでの２０時間、坩堝を４０ｒｐｍの回転数で、それぞれ１分の正回転期間と、１分の負回転期間とで２分を１周期として、回転方向を切り換える。半導体結晶の成長工程においては、漸増期間、正回転期間、漸減期間、停止期間、漸増期間、負回転期間、漸減期間、停止期間を１周期として、回転速度が制御される。この様な攪拌処理によって、雰囲気中の窒素成分（Ｎ₂またはＮ）が混合フラックス中に常時十分に取り込まれる。また、フラックスの種結晶基板面上の速度分布が変化するために、面上に成長する半導体結晶の厚さが均一一様となる。また、回転を切り換えるときに、フラックスの乱流が発生しないため、結晶粒界が大きくなり、結晶転位密度を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】設備コストの上昇を抑えつつ、高品質の薄板を製造することができる溶融炉、薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】固体材料を不活性ガス雰囲気中で溶融して融液１０２を形成するための加熱室１４０と、加熱室１４０に下地板１０４を搬入するための搬入通路１３１と、加熱室１４０から下地板１０４を搬出するための搬出通路１３２と、加熱室１４０に設けられた不活性ガス導入部１０６とを備え、不活性ガス導入部１０６から加熱室１４０に導入された不活性ガスが搬入通路１３１および搬出通路１３２から排出され、搬入通路１３１から排出される不活性ガス１０６ａの流速が搬出通路１３２から排出される不活性ガス１０６ｂの流速よりも大きい溶融炉１００およびそれを用いた薄板製造装置および薄板製造方法である。 （もっと読む）

【課題】フラックス法において、高品質な高電子濃度のｎ型半導体結晶を製造できるようにすること。
【解決手段】少なくとも III族元素をフラックスを用いて溶融させて溶液とし、この溶液に窒素を含むガスを供給し、この溶液から種結晶上に、 III族窒化物系化合物半導体からなる半導体結晶を育成させるフラックス法による III族窒化物系化合物半導体の製造方法である。炭素と、ゲルマニウムを溶液中に溶解して、半導体結晶にゲルマニウムをドナーとして取り込むことにより、ｎ型の半導体結晶を得る。ガリウムに対するゲルマニウムのモル比を０．０５ｍｏｌ％以上、０．５ｍｏｌ％以下であり、炭素のナトリウムに対するモル比を０．１ ｍｏｌ％以上、３．０ｍｏｌ％以下とした。 （もっと読む）

【課題】坩堝に収容された、単結晶原料が溶解している融液に、種結晶基板を接触させ、基板上に単結晶を成長させる液相エピタキシー法によるバルク単結晶の成長における欠陥発生を、オフ角を利用せずに抑制する方法を提供する。
【解決手段】単結晶が成長面［例、（０００１）面］に対して鏡映対称性を有していない結晶構造を持つ、ＳｉＣやＡｌＮ等のＩＶ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である場合に、基板保持具４と坩堝６に電源３から通電して、単結晶の成長面と基板２の単結晶成長面とは反対側の面との間にパルス電圧を印加しながら単結晶を成長させる。坩堝６と結晶保持具４は導電性の材質とし、結晶保持具４の先端部の周囲には、この保持具４と融液１との電気的接触を防止するための絶縁材５を配置する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｂｉ置換希土類鉄ガーネット単結晶膜及びその製造方法、及びそれを用いたファラデー回転子に関し、膜育成中や冷却中あるいは研磨加工中に割れを生じ難い磁性ガーネット単結晶膜及びその製造方法を提供することにある。また、膜育成中や冷却中あるいは研磨加工中に割れを生じ難い磁性ガーネット単結晶膜を用いて高い歩留まりで作製できるファラデー回転子を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｂｉ置換磁性ガーネット単結晶を液相エピタキシャル成長法を用いて育成する磁性ガーネット単結晶膜の製造方法において、単結晶膜の成長と共に磁性ガーネット単結晶の格子定数を一定、または徐々に減少させ、次いで単結晶膜の成長と共に格子定数を増加させて磁性ガーネット単結晶膜を成膜する。 （もっと読む）

本発明はIII属元素を含む溶融金属中でのIII属金属のIII属窒化物への変換を増やす方法であって、III属元素を含む溶融金属中に１１００℃以下の温度、１×１０⁸Ｐa以下の圧力で窒素を導入し、溶媒添加物が前記III属元素を含む溶融金属中に加えられる。前記溶媒添加物は、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｆｅのうちの少なくとも１つの元素、および／または、希土類元素のうちの少なくとも１つを含む合金、または複数の希土類元素の化合物、特に希土類元素の窒化物を含む。
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本発明は、圧力Ｐで窒素を溶融金属中に混合して、第１温度範囲の第１温度Ｔ₁での析出によって、前記溶融金属中に配置されたＩＩＩ属窒化物の種結晶上に、または前記溶融金属中に配置された異質の基板上に、前記ＩＩＩ属を含む溶融金属から１つのＩＩＩ属窒化物のまたは異なる複数のＩＩＩ属窒化物の混合物の結晶層あるいはバルク結晶を製造する方法に関する。本法では、前記溶融金属中でＩＩＩ属窒化物へのＩＩＩ属金属の変換速度を増やす溶媒添加物を前記溶融金属に加える。前記溶融金属が、第１処理段階と第２処理段階とをもつ少なくとも１回の温度サイクルを通過し、前記温度サイクルにおいて、前記溶融金属が、前記第１処理段階の後で前記第１温度Ｔ₁から前記第１温度範囲より低い第２温度Ｔ₂まで冷却され、前記第２処理段階の終わりに前記第２温度Ｔ₂から前記第１温度範囲の温度まで加熱される。上記の方法は、１１００℃以下の温度と５×１０⁵Ｐａ以下の処理圧で、転位密度１０⁸ｃｍ^-2未満を有し、１０ｍｍより大きい直径を有するかなり大きな結晶と１０μｍより大きい厚さを有するＩＩＩ属窒化物結晶層を製造することを可能にする。
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