【課題】非極性面を主面とする転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、下地基板１０を準備する工程を備え、下地基板１０は一主面１０ｍを有するＩＩＩ族窒化物種結晶１０ａを含みかつ主面１０ｍがＩＩＩ族窒化物結晶の｛１−１００｝面１０ｃに対して０．１°以上１０°以下の傾き角を有し、下地基板１０の主面１０ｍにＩＩＩ族金属とアルカリ金属を含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液を接触させて、下地基板１０の主面１０ｍ上に第１のＩＩＩ族窒化物結晶２０をエピタキシャル成長させる工程をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】非極性面を主面とする転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、少なくとも主面１０ｍ側にＩＩＩ族窒化物種結晶１０ａを含み、主面１０ｍがＩＩＩ族窒化物種結晶１０ａの｛１−１００｝面１０ｃに対して０．５°以上１０°以下の傾き角を有する下地基板１０を準備する工程と、下地基板１０の主面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程とを備え、ＩＩＩ族窒化物結晶２０の成長の際に、ＩＩＩ族窒化物結晶２０に残留する転位の少なくとも一部が、｛１−１００｝面１０ｃに対して実質的に平行な方向に伝搬して、ＩＩＩ族窒化物結晶２０の外周部に排出される。 （もっと読む）

【課題】転位密度の低減が可能なＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、液相法により、ＩＩＩ族金属元素とアルカリ金属元素とを含む融液を用いて、下地基板１０の主面１０ｍ上に第１のＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる方法であって、下地基板１０は少なくとも主面１０ｍ側にＩＩＩ族窒化物結晶層１０ａを含み、下地基板１０の主面１０ｍの法線１０ｍｖは、ＩＩＩ族窒化物結晶層１０ａの＜０００１＞方向１０ｃｖに対して１°以上１０°以下の傾き角を有し、第１のＩＩＩ族窒化物結晶２０の成長の際に、第１のＩＩＩ族窒化物結晶２０に残留する転位の少なくとも一部を｛０００１｝面２０ｃに対して実質的に平行な方向に伝搬させて第１のＩＩＩ族窒化物結晶２０の外周部に排出させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】超伝導体層を鋳型緩衝層に直接蒸着させることができる、簡略化された層構造を有する被覆導体の提供。
【解決手段】二軸配向組織化基板と、一般式ＲＥ_2-xＢ_2+xＯ₇（ここで、Ｒｅは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される少なくとも１種の金属であり、Ｂは、Ｚｒ及びＨｆから選択される少なくとも１種の金属であり、−０．４≦ｘ≦＋０．７である。）を有する材料から構成される鋳型緩衝層と、該鋳型緩衝層上に直接被覆され、ハイブリッド液相エピタキシーにより得られる超伝導体層とを備える被覆導体を提供する。 （もっと読む）

【課題】液相法において大型の結晶を成長させることができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】 本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、液相法によるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、平坦な主面１ｍを有し、少なくとも主面１ｍ側にＩＩＩ族窒化物結晶１０と同じ化学組成を有するＩＩＩ族窒化物種結晶１ａを含み、主面１ｍにおける貫通転位の平均密度が５×１０⁶ｃｍ^-2以下である基板１を準備する工程と、基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属を含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】液相法において大型の結晶を成長させることができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、液相法によるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、平坦な主面１ｍを有し、少なくとも主面１ｍ側にＩＩＩ族窒化物結晶１０と同じ化学組成を有するＩＩＩ族窒化物種結晶１ａを含み、主面１ｍにおける貫通転位の平均密度が５×１０⁶ｃｍ^-2以下である基板１を準備する工程と、基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属を含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来に望むことの出来ない高密度で、かつサイズ揺らぎの少ない均一な量子ドットの作成が可能な方法を提供する。
【解決手段】従来のＧａＡｓ（１００）基板でなく、ＧａＡｓ（３１１）Ａ基板上にガリウムのみを供給して液状のガリウム金属微粒子を作製し、その液滴に砒素分子線を照射してガリウム砒素に結晶化することにより、サイズ揺らぎの少ない量子ドットを作製する。 （もっと読む）

【課題】ＴｂＢｉ系ガーネットが本質的に持っている波長約１.６μｍ以上での吸収を忌避するものであり、ＧｄＢｉ系ガーネットのθfの温度変化率の改善したビスマス置換型ガーネット厚膜材料及びその製造方法を提供し、更に、波長の中でも、約１.５μｍを越える波長帯域で使用できるファラデー回転素子を提供すること。
【解決手段】ガーネット基板上に、液相成長法により育成されたＧｄ，Ｙｂ，Ｂｉ，Ｆｅ及びＡｌを主成分とする光学用のガーネット厚膜であって、前記ガーネット厚膜の組成式が、Ｇｄ_3-x-yＹｂ_xＢｉ_yＦｅ_5-zＡｌ_zＯ₁₂、（ただし、０＜ｘ≦０.４５，０.８５≦ｙ≦１.５５，０＜ｚ≦０.９５で表わされるＧｄＢｉ系ガーネット厚膜材料。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物種結晶を含み、ＩＩＩ族窒化物種結晶は主領域１ｓと主領域１ｓに対して＜０００１＞方向の極性が反転している極性反転領域１ｔとを有する下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主領域１ｓおよび極性反転領域１ｔ上に少なくともＩＩＩ族元素と窒素とアルカリ金属元素とを含む原料溶液５からＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程を含み、主領域１ｓ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の大きい第１の領域１０ｓが、極性反転領域１ｔ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の小さい第２の領域１０ｔを覆うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物種結晶を含み、ＩＩＩ族窒化物種結晶は主領域１ｓと主領域１ｓに対して＜０００１＞方向の極性が反転している極性反転領域１ｔとを有する下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主領域１ｓおよび極性反転領域１ｔ上に液相法によりＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程を含み、主領域１ｓ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の大きい第１の領域１０ｓが、極性反転領域１ｔ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の小さい第２の領域１０ｔを覆うことを特徴とする。 （もっと読む）