【課題】約１．６μｍ以上の波長帯域における本質的な吸収を示すＴｂＢｉ系ガーネット厚膜の代替材料として、Ｔｂイオンによる吸収スペクトルの影響があらわれる１．５μｍ以上の波長帯域において、改善された挿入損失とθ_ｆ／Ｔをもつガーネット厚膜材料、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＬＰＥ法によるビスマス置換型ガーネット厚膜材料であって、ＮＧＧを基板とし、化学式が、Ｇｄ_{３−ｘ−ｙ−ｚ}Ｙ_ｘＹｂ_ｙＢｉ_ｚＦｅ_５−ａＡｌ_ａＯ_１２、ただしｘ＝０〜０．２，ｙ＝０〜０．２で、かつｘおよびｙが同時には０ではなく、さらに、ｚ＝０．８〜１．４，ａ＝０．２〜０．７で示される組成を有し、０〜３．７重量％のＢ_２Ｏ_３を含有し、９５０〜１１３０℃の温度範囲、酸素濃度が５％以上の雰囲気中で保持する熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】多結晶炭化ケイ素基板を使って単結晶炭化ケイ素種結晶を自己成長させ、単結晶炭化ケイ素種結晶小片を生成する。
【解決手段】多結晶炭化ケイ素基板５の表面を炭化処理した炭化処理面１１に対向して多結晶炭化ケイ素基板５を近接設置して両者の基板の隙間に金属シリコン融液１２を介在させて液相エピタキシャル成長させることにより炭化処理した多結晶炭化ケイ素基板５の表面に単結晶炭化ケイ素種結晶が自己成長して複数の単結晶炭化ケイ素種結晶小片１３ａが生成される。 （もっと読む）

【課題】ガーネット単結晶の厚みを550μｍ未満に抑えてLPE法での育成を可能にすると共に、単体で45度の回転角を有し、絶対値で温度特性0.030度/℃以下を実現するガーネット単結晶とその製造方法の提供。
【解決手段】波長1.3μｍ帯域用で、格子定数を12.482Å以上且つ12.484Å以下の範囲とし、ファラデー回転角45度、温度特性が絶対値で0.030度／℃以下の単体からなるビスマス置換型テルビウム−鉄−ガーネット単結晶を製造する。その製造方法としては、格子定数が12.482Å以上且つ12.486Å以下の範囲の非磁性ガーネット結晶基板上に、LPE法によって12.482Å以上且つ12.484Å以下の範囲の格子定数のビスマス置換型テルビウム−鉄−ガーネット単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】ArFエキシマレーザー光学系用またはF₂レーザー光学系用光学部材として好適な、該レーザー波長において透過率の高いフッ化カルシウム単結晶、または該単結晶製造用前処理品としてのフッ化カルシウム結晶を安定して製造する。
【解決手段】フッ化カルシウムをルツボに充填する工程と、該ルツボを加熱して前記フッ化カルシウムを融解する工程と、融解されたフッ化カルシウムを冷却して結晶化させる工程とを有するフッ化カルシウム結晶の製造方法において、前記ルツボに充填する際におけるフッ化カルシウムのＢＥＴ比表面積を3m²/g以下とする。 （もっと読む）

【課題】液相エピタキシャル成長法で育成される高品質のビスマス置換型磁性ガーネット膜、及び非磁性ガーネットの単結晶ウエハのベベル面に発生するマイクロクラックを除去した非磁性ガーネット基板を用いたビスマス置換磁性ガーネット膜の製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性ガーネット単結晶基板を用いて液相エピタキシャル成長法によりビスマス置換磁性ガーネット膜を製造する方法において、非磁性ガーネット単結晶基板は、格子定数の最大値と最小値の差が０．０１Å以内であることを特徴とするビスマス置換磁性ガーネット膜の製造方法；この製造方法により得られる、ＹｂＴｂＢｉＦｅ系のビスマス置換磁性ガーネット膜などにより提供する。 （もっと読む）

本発明は、表面のパターン処理の方法、および制御された析出成長物を用いたビアの製造、ならびにそのような本発明による方法によって調製されたパターン化された基板に関する。本発明による方法は、上部に材料をパターン化する必要のある、少なくとも一つの表面を有する基板を提供するステップであって、前記表面は、異なる表面特性を有する少なくとも第1および第2の表面領域を有し、前記第1の領域には、さらに保護析出成長物が設置されるステップと、少なくとも前記第2の表面領域に、少なくとも一つの材料を設置するステップであって、前記設置された材料は、前記第1の表面領域には実質的に設置されないか、前記第1の表面領域に設置される場合、前記設置された材料は、前記第1の表面領域から選択的に除去されるステップと、を有する。
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【課題】 ビスマス置換型磁性ガーネット膜の育成中に非磁性ガーネット基板が割れ難く、育成されたビスマス置換型磁性ガーネット膜に結晶欠陥が生じ難い非磁性ガーネット基板の製造方法と非磁性ガーネット基板およびビスマス置換型磁性ガーネット膜を提供する。
【解決手段】 非磁性ガーネット単結晶ウェハの外周端面をべべリングする工程と上記ウェハ表面をポリッシュする工程を有し、ビスマス置換型磁性ガーネット膜を液相エピタキシャル成長法により育成するために適用される非磁性ガーネット基板の製造方法において、ベベリング処理された単結晶ウェハのベベル面と研磨材との間に化学的作用を生じさせながらベベル面を機械的に研磨するメカノケミカルポリッシュによりベベル面に存在するマイクロクラックと加工歪み層を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高品位であり、製造効率も高く、しかも半導体製造プロセスの基板として使用可能で、有用なIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 III族窒化物結晶の製造方法において、組成式Ａｌ_sＧａ_tＩｎ_1-s-tＮ（ただし、０≦ｓ≦１、０≦ｔ≦１、ｓ＋ｔ≦１）で表される半導体からなる第１の層１１を形成し、窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも１つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に第１の層１１の表面を接触させることによって、第１の層１１よりも転位密度等の結晶構造の欠陥が大きい第２の層１２を形成し、窒素を含む雰囲気下において、上記融液中で、組成式Ａｌ_uＧａ_vＩｎ_1-u-vＮ（ただし、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、ｕ＋ｖ≦１）で表される半導体からなり転位密度等の結晶構造の欠陥が第２の層１２よりも小さい第３の層１３を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ基板裏面からのＡｓ抜けを防止して特性不良の少ない発光ダイオードを製造することができる液相エピタキシャル成長方法を提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１を収容する基板ホルダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを対向させ、且つ相対的に摺動可能としたエピタキシャル成長装置を用いて、化合物半導体のエピタキシャル層を成長する液相エピタキシャル成長方法において、所定の温度から冷却しながら成長用原料溶液にＧａＡｓ基板１を接触させて基板上にエピタキシャル層を成長するに際し、前記ＧａＡｓ基板１の裏面に予めＳｉＯ₂膜５を設けておき、成長中におけるＧａＡｓ基板１の裏面からのＡｓ抜けを防止する。 （もっと読む）