【課題】フラックス法によりＧａＮ基板を得る際に種結晶との界面の応力を低減する。
【解決手段】サファイアから成る異種基板１を用いてＨＶＰＥ法により、種結晶となるＧａＮ自立基板２１を作製する。この際、窒化ガリウム層２の表面２ｆが、サファイア基板の主面と平行となる部分が少なくなるようにＨＶＰＥ条件を設定して窒化ガリウム層２を厚膜に形成し、異種基板１を分離する（１．Ａ〜１．Ｄ）。表面２１ｓはｃ面に平行ではないが、種結晶となるＧａＮ自立基板２１は実質的にｃ面に平行な板状である。ＧａＮ自立基板２１をフラックス結晶成長装置に搬入し、高温高圧下、ナトリウム／ガリウムフラックス中で表面２１ｓに結晶成長させて、膜厚２ｍｍの窒化ガリウム層３を形成した（１．Ｅ）。ＧａＮ自立基板２１を研磨により除去した。フラックス法により結晶成長した窒化ガリウム単結晶基板３１には、クラックがほとんど生じていなかった（１．Ｆ）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サファイア基板の厚みに関係なく、ＧａＮ結晶のクラックを抑制し、結晶品質を向上させることができるテンプレートの提供を目的とするものである。
【解決手段】板状の結晶基板２２と、前記結晶基板２２の表面に格子定数または熱膨張係数の異なる結晶薄膜２３と、を備え、前記結晶薄膜２３に前記結晶基板２２を露出させる第１の溝２４を設け、前記露出した前記結晶基板の第２の溝２５を設けることで、所期の目的を達成するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反りの改善したテンプレートを得ることと共に、テンプレート上に成長させた結晶のクラックを抑制し、結晶の品質を向上することを目的とするものである。
【解決手段】テンプレート１の基板の上面にマスク材を設ける第1の工程と、前記基板の上面に結晶薄膜を成長させる第２の工程と、によりテンプレートを製造する。結晶薄膜は、マスク材の上には成長しないため、基板に溝を形成せずに結晶薄膜を分割することができ、反りの改善したテンプレートを得ることができる。さらに、このテンプレート上に、厚膜のＧａＮ結晶を育成させた場合、テンプレートの基板に溝を有していないため、基板にＧａＮ結晶が嵌合されるように形成されないため、テンプレート上に成長させたＧａＮ結晶のクラックを抑制することができ、ＧａＮ結晶の品質を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】成長させる結晶全体の転位密度が低減するＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族金属とアルカリ金属とを含む融液３に窒素原料ガス５を溶解させた溶液６をＩＩＩ族窒化物種結晶１に接触させることにより、ＩＩＩ族窒化物種結晶１からＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、ＩＩＩ族窒化物種結晶１は、（０００−１）Ｎ原子表面１ｎである上面を有し、結晶成長容器２３の内面２３ｉに接触するよう配置された下面を有し、ＩＩＩ族窒化物種結晶１の実質的に側表面１ｓ上に（０００−１）Ｎ原子表面１ｎ，１０ｎに平行な方向にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる。 （もっと読む）

発明は、光電池の作製に有用であり得る半導体材料のような、半導体材料品の作製方法及びこの方法で形成される半導体材料品に関する。
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【課題】空洞が生じることを抑制し、かつ手間およびコストを低減したスーパージャンクション構造を有するエピタキシャルウエハの製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエハの製造方法は、スーパージャンクション構造１２を有するエピタキシャルウエハ１０の製造方法であって、以下の工程を備えている。基板１１を準備する。基板１１上に第１導電型の第１の層を形成する。第１の層にメサ構造を形成する。第１の層のメサ構造の凹部に、液相成長法により第２導電型の第２の層を形成する。半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。エピタキシャルウエハ１０を製造する。エピタキシャルウエハ１０上に、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｎａフラックス法によってIII族窒化物半導体のｃ面基板を育成する場合において、従来よりも短時間で育成する方法を提供する。
【解決手段】種結晶１４は、長手方向をｍ軸方向、長手方向側面がａ面、ｃ面である直方体状のIII族窒化物半導体。この種結晶１４のａ面である側面に、Ｎａフラックス法によってIII族窒化物半導体をａ軸方向に結晶成長させる。これにより、二等辺三角形の板状のIII族窒化物半導体からなるｃ面基板１８を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】平均転位密度が低く結晶性が高いＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法は、一主面１０ｍを有するＩＩＩ族窒化物種結晶１０ａを含み、ＩＩＩ族窒化物種結晶１０ａの｛０００１｝面１０ｃに対する主面のオフ角θが０．５°≦θ≦１０．０°の範囲にある下地基板１０を準備する工程と、下地基板１０の主面１０ｍに、ＩＩＩ族金属を含む溶媒１３に窒素含有ガス１５を溶解させた溶液１７を接触させて、主面１０ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程と、を備える。また、ＩＩＩ族窒化物結晶２０を成長させる工程において、溶液１７の表面１７ｍに対する下地基板１０の主面１０ｍの傾斜角φがθ≦φ≦θ＋２６．５°の範囲となるように下地基板１０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】析出板の厚みばらつきを容易に減少させることができる基板および析出板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板９の第１の表面２２には、１つの辺に平行に延びるスリット３１が、一定の間隔を空けて複数設けられる。基板９は、スリット３１が、溶融原料への浸漬方向に対して直交するように保持される。基板９の前方部が溶融原料に浸漬したときに、未だ浸漬されていない後方部への熱の移動は、基板９のスリット３１を除く基板実体部２７を介して行われる。このため、スリット３１が構成されない基板と比較して、後方部が浸漬する時点での局所温度と、前方部が浸漬する時点での局所温度との差が減少するので、基板９の材料を変更することなく析出板の浸漬方向におけるばらつきを減少できる。 （もっと読む）

【課題】特別な基板を用いなくても結晶欠陥がほとんど無い単結晶薄膜を有する基板を容易に製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、ドナー基板とハンドル基板を準備する工程Ａと、前記ドナー基板上に単結晶層を積層成長させる工程Ｂと、前記単結晶層が形成されたドナー基板の単結晶層中にイオン注入してイオン注入層を形成する工程Ｃと、前記イオン注入されたドナー基板の単結晶層の表面と前記ハンドル基板の表面を貼り合わせる工程Ｄと、前記貼り合わせられたドナー基板の前記単結晶層中のイオン注入層で剥離する工程Ｅとにより前記ハンドル基板上に単結晶薄膜を形成し、少なくとも、前記単結晶薄膜が形成されたハンドル基板をドナー基板として前記Ａ〜Ｅの工程を繰り返すことを特徴とする単結晶薄膜を有する基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）