【課題】入射側部材と出射側部材との間に生じる隙間を減少させることにより、積層部材を確実に密着し、接合不良が起き難く且つ安定したレーザ接合をすることができるレーザ接合装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、複数の透明部材１０２，１０４からなる積層部材１００の接合領域１０１にレーザ光１１０を照射し、積層部材を接合するレーザ接合装置１であって、積層部材を載置する載置部２と、積層部材にレーザ光を出射するレーザ光源ユニット５と、載置された積層部材の一方の面に接する第１の押え部材８１であって、レーザ接合時において、積層部材の少なくとも２つの透明部材の合わせ面１０３とレーザ光とが交わる領域に対して、合わせ面の法線方向に位置する第１押え部材と、載置された積層部材の一方の面と対向する他方の面に接する第２の押え部材８０とを備え、第１及び第２の押え部材の少なくとも一方は、積層部材を押圧する、構成とした。 （もっと読む）

【課題】主面の結晶欠陥が少ない単結晶ダイヤモンド、及び該単結晶ダイヤモンドを含むダイヤモンド複合体とその製造方法の提供。
【解決手段】少なくとも、板状の２つ以上の単結晶ダイヤモンドより構成されており、それぞれの単結晶ダイヤモンドが、それぞれの主面間に介在する接合層によって接合されてなることを特徴とするダイヤモンド複合体。前記ダイヤモンド複合体から接合層を境にして分離されたことを特徴とする単結晶ダイヤモンド。 （もっと読む）

【課題】大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる炭化珪素基板を提供する。
【解決手段】第１の単結晶板１１は、第１の側面Ｓ１を有し、炭化珪素からなる。第２の単結晶板１２は、第１の側面Ｓ１と対向する第２の側面Ｓ２を有し、炭化珪素からなる。接合部ＢＤａは、第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２の間で第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２を互いにつないでいる。接合部ＢＤａの少なくとも一部は、炭化珪素から作られた１μｍ以下の最大長さを有する粒子から作られている。 （もっと読む）

【課題】大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる炭化珪素基板を提供する。
【解決手段】第１の単結晶板１１は、第１の側面を有し、炭化珪素からなる。第２の単結晶板１２は、第１の側面と対向する第２の側面を有し、炭化珪素からなる。接合部ＢＤは、第１および第２の側面の間で第１および第２の側面を互いにつなぎ、炭化珪素からなる。接合部ＢＤの少なくとも一部は多結晶構造を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の向上、および、製造歩留りの向上を容易に実現可能な接合基板の製造方法、接合基板を提供する。
【解決手段】第１基板において第２基板に接合する接合面について親水化処理を実施するＳＴ１１。つぎに、第１基板において親水化処理が実施された接合面に第２基板を密着させることで、第１基板と第２基板との間を水素結合によって仮接合するＳＴ２１。つぎに、その仮接合された第１基板と第２基板とについて熱処理を実施することで、第１基板と第２基板との間を共有結合によって接合するＳＴ３１。上記の親水化処理では、第１基板および第２基板の各接合面に重水素化水酸基（ＯＤ基）を形成する。これと共に、第１基板と第２基板との各接合面に吸着する表面吸着水を重水（Ｄ_２Ｏ）に置換する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板の表面に形成されたＧａＮ系化合物結晶層を剥離するためのレーザリフトオフ処理において、ワークの温度が多少上昇したとしても、レーザリフトオフ装置内で、レーザリフトオフ後のサファイア基板がＧａＮ層から、完全に剥がれてしまうことがないようにすること。
【解決手段】レーザ光をＧａＮ結晶層の一部に複数回（２回以上）照射する。詳しくは、レーザ光を１回照射してＧａＮ層のサファイア基板との界面がガリウム（Ｇａ）となったところに、再度サファイア基板越しにレーザ光を照射する。 （もっと読む）

【課題】 ２つの部材を、接着剤、接合膜等を用いることなく、透過波面収差特性や耐湿性を維持したまま接合することが可能となる光学素子の製造方法及びその方法を用いた光学素子を提供する。
【解決手段】 ガラス、樹脂、水晶のいずれか２つの基板の表面に、水酸基が存在するように親水化処理を施し、ガラス、樹脂、水晶のいずれか２つの基板の処理表面同士を密着させた後に、５０℃〜１５０℃に加熱し、１〜１０ＭＰａの圧力で加圧することによって、接着剤、接着膜なしで接合させて、光学素子を作製する。ガラス、樹脂、水晶のいずれか２つの基板の表面は、表面の酸素を介した共有結合または水素結合により接合されている。光学素子は、位相差板、回折素子、プリズム、レンズのいずれか１つである。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される自立基板の生産歩留まりを改善することを課題とする。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される基板の小片１０Ａ乃至１０Ｄが複数集まった基板小片層１０と、基板小片層１０の第１の面に積層され、複数の小片１０Ａ乃至１０Ｄを結合する、ＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される裏打ち層２０と、を有するＩＩＩ族窒化物半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の密度が比較的高い場合であっても、炭化ケイ素焼結体の内部にシリコンを十分に含浸させることができる貼り合わせ基板用支持基板の製造方法を提供する。
【解決手段】貼り合わせ基板用支持基板（支持基板）の製造方法は、ケイ素を含浸させるための含浸導入部を炭化ケイ素焼結体に設けるステップＳ１と、少なくとも炭化ケイ素を含むスラリー層を炭化ケイ素焼結体の外面に形成するステップＳ２と、スラリー層を形成した炭化ケイ素焼結体に溶融シリコンを含浸させるステップＳ３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数の炭化珪素単結晶を有する複合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素と異なる材料から作られた支持層３１と、支持層３１上に形成された炭化珪素層３２とを有するベース部３０が準備され、前記ベース部３０の炭化珪素層３２上に第１および第２の炭化珪素単結晶１１、１２の各々が接合される。前記接合する工程は、前記炭化珪素層３２に前記第１および第２の炭化珪素単結晶１１，１２の各々を対向させる工程と、前記炭化珪素層１１，１２のうち前記第１および第２の炭化珪素単結晶１１，１２に対向する部分のそれぞれを、前記第１および第２の炭化珪素単結晶１１，１２上に昇華および再結晶させることによって、前記第１および第２の炭化珪素単結晶１１，１２の各々に前記炭化珪素層３２を接合する工程とを含む複合基板の製造方法。 （もっと読む）