【課題】窒化ガリウム（ＧａＮ）の結晶成長を促進するフラックスとして機能するナトリウムを低コストで精製し供給する装置及び方法を提供する。
【解決手段】原料である固体ナトリウムｓｌを収容すると共に、液体ナトリウムｍｌについて通過自在かつ前記固体ナトリウムｓｌに不可避的に含まれるナトリウム化合物については通過を阻止して除去するろ過機能を有するろ過容器１と、固体ナトリウムｓｌが溶融し、かつ、前記ナトリウム化合物が溶融しない温度に固体ナトリウムｓｌを加熱する加熱保温部１５と、ろ過機能に基づいてろ過容器１から流れ出た液体ナトリウムｍｌを坩堝Ｂに供給する供給手段と、ろ過容器１、加熱保温部１５及び供給手段を非酸化性雰囲気に保持するチャンバ１６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】混合比、ガス圧力および温度を制御してＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】圧力／温度相関図ＰＴ１〜ＰＴ３は、金属Ｎａと金属Ｇａとの量比を示す混合比ｒ＝０．４，０．７，０．９５にそれぞれ対応して決定される。圧力／温度相関図ＰＴ１〜ＰＴ３は、ＧａＮ結晶を溶解する領域（領域ＲＥＧ１１，ＲＥＧ２１，ＲＥＧ３１）と、ＧａＮ結晶を種結晶から結晶成長する領域（領域ＲＥＧ１２，ＲＥＧ２２，ＲＥＧ３２）と、柱状形状のＧａＮ結晶を結晶成長させる領域（領域ＲＥＧ１３，ＲＥＧ２３，ＲＥＧ３３）と、板状形状のＧａＮ結晶を結晶成長させる領域（領域ＲＥＧ１４，ＲＥＧ２４，ＲＥＧ３４）とを含む。混合比ｒが複数の混合比の範囲で決定され、その決定された混合比に応じた圧力／温度相関図に含まれる所望の圧力および温度を用いてＧＡＮ結晶が結晶成長される。 （もっと読む）

本発明は人工結晶分野の低温β−ＢａＢ_２Ｏ_４単結晶、その育成方法およびそれによる周波数変換器部品を提供する。溶融塩法を採用し本単結晶が得られる。この単結晶は完全にＢＢＯ潮解性が強い欠点を克服し、ほとんど潮解しない。本単結晶のダブル周波数の効果と光損傷限界値はＢＢＯ結晶に比べかなり改善され、かつ硬度も著しく増加している。この単結晶はショア硬度が１０１．３で、モース硬度が６であることに対し、ＢＢＯはショア硬度が７１．２で、モース硬度が４である。可視光―紫外線光エリアの透過率曲線のテストにより、この単結晶のカットオフ波長が１９０ｎｍで、吸収開始波長が２０５ｎｍである。これらはＢＢＯの性能より優れていて、ＢＢＳＡＧがレーザー非線形光学分野、紫外線、深紫外線周波数変換器部品などにおいて将来性がある。 （もっと読む）

【課題】環境負荷が極めて小さいフラックス法により合成したタンタル酸塩結晶粒子とその製造方法、及び該タンタル酸塩結晶粒子を半導体電極に用いた色素増感型太陽電池を提供する。
【解決手段】層状ペロブスカイト型構造もしくは層状構造を有し、かつ下記一般式（１）または（２）で表される化合物であることを特徴とするタンタル酸塩結晶粒子。
一般式（１）
ＸαＹβＴａγＯδ
一般式（２）
ＹζＴａηＯθ
〔式中、Ｘはアルカリ金属、Ｙはアルカリ土類金属を表し、α＋２β＋５γ＝２δ、２ζ＋５η＝２θの関係式からなり、γ、ηは１より大きい正数を表す。〕 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物結晶を成長させる際にフラックスとして用いるアルカリ金属やアルカリ土類金属の酸化を抑えて、結晶性、結晶成長の再現性を向上できるIII 族窒化物結晶の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】結晶成長容器10内でIII 族窒化物結晶を製造する際に、予め、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とIII 族元素との合金、たとえばＮａＧａ26を形成し、合金表面をＧａ22などの不活性物質で被覆し、この被覆された合金を用いて窒素を含む溶液を形成して結晶成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溶液法による結晶成長層表面のモフォロジーの向上を実現する炭化珪素単結晶の成長法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ内で加熱されたＳｉを融解した融液に炭化珪素結晶を接触させ基板上に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、融液内にＣｒおよびＸ（ＸはＮｉ、Ｃｏである）の元素を全組成中の各々の元素の割合としてＣｒが３０〜７０ａｔ．％、Ｘが１〜２５ａｔ．％となる範囲として添加した融液より炭化珪素単結晶を析出成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の成長法。 （もっと読む）

【課題】混合比、ガス圧力および温度を制御してＩＩＩ族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】圧力／温度相関図ＰＴ１〜ＰＴ３は、金属Ｎａと金属Ｇａとの量比を示す混合比ｒ＝０．４，０．７，０．９５にそれぞれ対応して決定される。圧力／温度相関図ＰＴ１〜ＰＴ３は、ＧａＮ結晶を溶解する領域（領域ＲＥＧ１１，ＲＥＧ２１，ＲＥＧ３１）と、ＧａＮ結晶を種結晶から結晶成長する領域（領域ＲＥＧ１２，ＲＥＧ２２，ＲＥＧ３２）と、柱状形状のＧａＮ結晶を結晶成長させる領域（領域ＲＥＧ１３，ＲＥＧ２３，ＲＥＧ３３）と、板状形状のＧａＮ結晶を結晶成長させる領域（領域ＲＥＧ１４，ＲＥＧ２４，ＲＥＧ３４）とを含む。混合比ｒが複数の混合比の範囲で決定され、その決定された混合比に応じた圧力／温度相関図に含まれる所望の圧力および温度を用いてＧＡＮ結晶が結晶成長される。 （もっと読む）

【課題】原料の溶媒に対する溶解速度を向上させ、十分な結晶の成長速度を安定して維持することができる結晶製造方法および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器中で、（１）超臨界状態および／または亜臨界状態の溶媒、並びに、（２）原料を用い、結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記反応容器は前記原料を充填する１以上の原料充填部を備え、且つ、前記原料充填部の各内部水平断面積の最大値の合計が、前記反応容器の内部水平断面積の１．１倍以上であることを特徴とする結晶製造方法およびこれに用いられる結晶製造装置。 （もっと読む）

現在、超臨界アンモニア含有溶液の雰囲気下において、Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ（０≦Ｘ＜１）の一般式を有する、ガリウム含有窒化物バルク単結晶を得るためのプロセスに使用される改良されたミネラライザが提案されている。
本発明によれば、確実に、Ｉ族元素のイオン、特にナトリウムのイオンが存在するように、Ｉ族元素をなす群から選択された他の元素及びII族元素と共に、Ｉ族元素イオン、好ましくはナトリウムイオンが存在するように、また任意ではあるがII族元素、好ましくはカルシウム若しくはマグネシウムのイオンと共に、超臨界溶媒のアンモノ塩基性を弱める酸素フリーの化合物を含む１以上の物質が存在するように、適当にミネラライザを選択することにより、得られる製品の成長速度及び品質を制御することができる。
このようにして得られた改良されたバルク単結晶は、オプトエレクトロニクスの分野において主に使用することが意図されている。
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本発明は、式Ａ_eＬｎ_fＸ_(3f+e)（この式のＬｎは一つ以上の希土類を表し、ＸはＣｌ、Ｂｒ又はＩのうちから選ばれる一つ以上のハロゲン原子を表し、そしてＡはＫ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ又はＣｓなどの一つ以上のアルカリを表し、ｅはゼロであってもよいが３ｆ以下であり、ｆは１以上である）の多結晶性ハロゲン化物ブロックであり、水とオキシハロゲン化物の含有量が少ない多結晶性ハロゲン化物ブロックの作製方法に関する。該方法は、少なくとも一つのＬｎ−Ｘ結合を有する少なくとも１種の化合物と、所望のオキシハロゲン化物含有量を得るために十分な量のＮＨ₄Ｘとの混合物を加熱する工程であり、結果として希土類ハロゲン化物を含む溶融物を生じさせる加熱工程を含み、この加熱工程の後には冷却工程が続き、前記加熱工程は、３００℃に到達した後は、前記溶融物が得られる以前には２００℃よりも低い温度に決して低下しない。結果として得られるブロックは、並外れたシンチレーション特性を備えた非常に純粋な単結晶の成長を可能にする。 （もっと読む）