【課題】ヒンジが熱応力の影響を受けないようにし、温度特性の向上を図る。
【解決手段】方形状の縁部２４を有する可動部２１が、可動部２１の内側に位置して可動部２１と同一材料で形成されたヒンジ２２により支持され、入力加速度に応じて可動部２１が変位する加速度センサにおいて、ヒンジ２２は縁部２４の一辺２４ａと平行に延伸されて一直線上に位置された一対のヒンジ２２よりなり、一対のヒンジ２２の各一端は縁部の対向二辺２４ｂ，２４ｃにそれぞれ連結され、一対のヒンジ２２の各他端はヒンジ２２と同一材料で形成された枠部３１及び接続部３２を介して固定部２３に支持される。枠部３１は固定部２３のまわりに位置し、接続部３２によって固定部２３と連結され、接続部３２はヒンジ２２の延伸方向と直交する方向に設けられる。 （もっと読む）

【課題】改善されたスケール係数を備えた音叉ジャイロスコープを提供する。
【解決手段】基板の上に少なくとも１つの試験質量が支持される音叉ジャイロスコープ構造。少なくとも１つの駆動電極が試験質量に隣接した基板の上にも支持される。典型的には、試験質量と駆動電極は、交互配置された電極フィンガーを含む。試験質量の下の基板の上の感知プレートまたはシールド電極が、試験質量の電極フィンガーの範囲の下に完全に延在する。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べてスティッキング抑制効果の高いストッパ構造を有する物理量センサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 高さ方向に変位可能に支持された可動部２を有する機能層９と、前記機能層と高さ方向に間隔を空けて対向配置された対向部材３０と、を有し、前記対向部材３０には前記可動部と対向する位置に、前記可動部の高さ方向への変位を規制するストッパ部４６，４７が設けられており、前記ストッパ部は、突起基部４２，４３、前記突起基部の表面に形成された金属下地層４４、及び前記金属下地層の表面に形成された絶縁層４５の積層構造により形成されている。 （もっと読む）

【課題】静電容量型トランスデューサーの製造コストを抑制しつつ感度を高める。
【解決手段】基板層（１０１）と、基板層に積層された絶縁層（１０２）と、絶縁層に積層されたシリコン層（１０３）とを含むダイを備え、支持部１１ａと、支持部に少なくとも一辺が結合し基板層の主面と垂直である厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極１１ｂと、基板層の主面と平行な方向において可撓電極と対向し基板層の主面と垂直な側面を有する固定電極１０ａ、１０ｂとがシリコン層によって形成され、支持部と固定電極とが絶縁層によって前記基板層に結合され、可撓電極と基板層との間には絶縁層に対応する空隙（Ｇ）が形成されている、ナノシートトランスデューサ。 （もっと読む）

【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも１つを実現した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の機能素子１は、絶縁基板２と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、絶縁基板２上に設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を含み、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と、を含み、第１固定電極指と第２固定電極指とは、互いに離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】機械的な構造によって共振が発生する場合であっても電圧飽和を抑制して静電容量を計測する静電容量式加速度センサを提供する。
【解決手段】計測対象の加速度に応じて静電容量が変化するセンサ部１１と、センサ部１１に蓄積された静電容量を電圧に変換するオペアンプ２３と、オペアンプ２３により変換された電圧を増幅する増幅部１３と、増幅部１３により増幅された電圧の低周波数成分を通過させて出力値を生成するＬＰＦ部４０とを備え、オペアンプ２３は、静電容量を電圧に変換するオペアンプ２３を含み、当該オペアンプ２３の帰還部２６に並列して静電容量蓄積部３０を設けた。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図ることができる物理量センサー素子および物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子１は、支持基板３と、支持基板３上に互いに離間して設けられた第１固定電極４１および第２固定電極４２と、第１固定電極４１に対して第１間隙を介して対向するとともに、第２固定電極４２に対して第２間隙を介して対向する可動電極２２と、支持基板３に対して固定的に設けられた固定部２１と、固定部２１に対して可動電極２２を回動可能に連結する連結部２３、２４とを有し、可動電極２２には、可動電極２２の回動に際し第１間隙および第２間隙のうちの少なくとも一方の間隙に存在する気体の流動抵抗を低減する複数の流路が形成されている。 （もっと読む）

【課題】センシング部を複数の基板で封止した半導体装置において、基板の平面方向に配線を設けたとしても、配線のレイアウトを簡略化することができる構造、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】キャップ部３００は、センサ部１００に設けられた第１固定部と第２固定部とを電気的に接続したクロス配線部３２３を備え、クロス配線部３２３はキャップ部３００の一面３０１に配置されたクロス配線３２２を備えている。また、キャップ部３００は、キャップ部３００を貫通し、一端がクロス配線３２２に電気的に接続され、他端がキャップ部３００の他面３０２に配置された貫通電極３４４を備えている。これにより、貫通電極３４４を介してクロス配線３２２の電位、すなわち、センサ部１００の第１固定部および第２固定部の電位をキャップ部３００の他面３０２に取り出すことができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、かつ検出感度に優れる静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】内部に空洞１０を有する半導体基板２の表面部（上壁１１）に、互いに間隔を空けて噛み合うＺ固定電極６１とＺ可動電極６２とを形成する。そして、各Ｚ可動電極６２の電極部６６において、半導体基板２の表面から空洞１０へ向かう厚さ方向途中部まで、誘電層７０を埋め込む。これにより、Ｚ固定電極６１の電極部６４とＺ可動電極６２の電極部６６とが対向することによって構成されるキャパシタに、電極間距離ｄ１に基づく容量と、電極間距離ｄ２に基づく容量とを付与することによって、同一キャパシタ内において、静電容量の差を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】印加された物理量を高感度で検出するのに適した帰還コンデンサを選択することで、物理量の検出感度が向上された容量式物理量検出装置を提供する。
【解決手段】容量部と、該容量部の静電容量変化を電圧に変換する変換部と、を備える。変換部は、演算増幅器と、演算増幅器の入出力端子間に設けられたメインスイッチと、複数の帰還コンデンサと、各帰還コンデンサと直列接続され、対応する帰還コンデンサをメインスイッチと並列接続する帰還スイッチと、を備える。変換部の出力信号に基づいて、帰還スイッチの少なくとも１つを閉状態とすることで、変換部の出力信号の電圧が、その出力信号の飽和電圧よりも低く、且つ、閾値電圧よりも高くなるように、帰還スイッチを切り替える選択部を備えている。 （もっと読む）