Ｘ線画像収集装置は、第１の電極と、第２の電極と、上記第１の電極と上記第２の電極との間に固定される光伝導体とを有するパネルを備える。上記光伝導体は、高エネルギーレベルにある放射Ｘ線を吸収するように形成される厚さを有する。上記第１の電極と上記第２の電極とは、光伝導体において作り出される電荷を画素ユニットに移動させるための電界を作り出すように形成され、それにより、低エネルギーレベルあるいは高エネルギーレベルの放射Ｘ線を使用する場合に、電荷を効率良く収集することができる。

（もっと読む）

加速電子検出器はＣＭＯＳ構造のモノリシックセンサのアレイを備え、各センサは基板（１０）と、エピ層（１１）と、ｐ＋ウェル（１２）と、エピ層（１１）によってｐ＋ウェル（１２）から分離されたｎ＋ウェル（１３）とを含む。ｐ＋ウェルには複数のＮＭＯＳトランジスタが集積される。センサはまた、バイアス電圧の印加によりエピ層内に発生する電荷担体がｎ＋ウェル（１３）にドリフトされるように、エピ層内に欠乏層を確立する深いｎ領域（１５）をｐ＋ウェル（１２）の下に含む。検出器は改善された放射線耐性を有し、したがってそれは電子顕微鏡のような加速電子の検出および撮像に適する。 （もっと読む）

本発明は、X線放射の検出器素子に関し、この素子は、特にフラットダイナミックX線検出器（FDXD）に利用される。検出器素子において、直接変換式変換層（2）は、電極層（1）と画素電極（4）のマトリクスの間に配置され、画素電極（4）と変換層（2）の間には、光導電性分離層（3）が配置される。未照射状態では、分離層（3）は、変換層（2）の自由電荷キャリアに対する電気的なバリアとして作用する。この自由電荷キャリアは、X線放射によって生じ、電極（1、4）間で電場内を移動する。画素電極（4）内を移動する電荷の読み出しが行われた後、分離層（3）には、ダイオード配列（6）からのリセット光の照射によって導電性が付与され、その界面に蓄積された電荷が除去される。リセット操作を繰り返すことにより、分離層（3）が摂動ダーク電流を防ぎ、同時に電荷の蓄積が解消される。
（もっと読む）

【課題】Ｘ線吸収率がよく、製造も容易なＸ線撮像パネルを提供する。
【解決手段】Ｘ線撮像パネル１２は基板４０上に形成された光導電性を有する光導電層６２と、この光導電層と基板との間であって、２次元的に配列された蓄積用コンデンサ２４とスイッチング素子２６とで構成される。この蓄積用コンデンサ、スイッチング素子およびこれらの上面に位置する光導電層とによって、Ｘ線像を電気信号に変換する変換セル２０が構成される。光導電層は基板上に塗布しながら所定の厚みとなされた塗布層である。光導電層としては、ＺｎＯ，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＰｂＯ，ＨｇＩ₂，ＣｄＴｅ，ＣｄＺｎＴｅ，ＰｂＩ₂，ＴｌＩ₂，Ｂｉ₁₂ＧｅＯ₂₀，Ｂｉ₁₂ＳｉＯ₂₀ などのようにＸ線吸収率の高い光導電性無機化合物で構成されている。光導電層がＸ線吸収率の高い光導電性物質であるためにＸ線画像信号のＳ／Ｎがよい。光導電層は塗布工程で形成されるため、その製造が容易で、製造時間も短縮されるためコストダウンを図れる。 （もっと読む）