【目的】半導体基板を用いた耐光性に優れ、高速の映像信号書込みが可能な液晶ライトバルブを提供、高精細で高品質の画像が表示可能な投射型ディスプレイを提供すること。
【構成】スイッチング素子領域を有する半導体基板上にスリットで分割された金属層を３層設け、各層のスリットを半導体基板と平行な方向にずらして配置し、半導体基板を遮光した。半導体基板上にスリットで分割された金属層を２層設け、スリットからの入射光が半導体基板に達する場所に基準電位の半導体領域を設けた。スイッチング素子領域の基板電位領域及び保持容量領域に基板電位を供給する基板給電線を前記金属層のいずれかで形成した。前記基板給電線と映像信号線を互いに平行に配置した。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、配線構造及びその製造方法に関し、導電粒子と電極端子間のＵＶ接着剤を硬化させて導電粒子と電極端子を強固に接着することができ、熱的ストレス及び機械的ストレスが加わっても導電粒子と電極端子を長期に渡って剥がれ難くすることができ、導電粒子と電極端子間の接続信頼性を長期に渡って安定させることができる配線構造及びその製造方法を提供することを目的とする。
【構成】 第１の配線基板上に形成された第１の電極端子と第２の配線基板上に形成された第２の電極端子とが対向して配置され、該第１の配線基板と該第２の配線基板とがＵＶ光透過性導電部材が分散されたＵＶ光硬化性接着部材により接着され、該第１の電極端子と該第２の電極端子が該ＵＶ光透過性導電部材により電気的接続されてなるように構成する。 （もっと読む）

【目的】 本発明は、配線構造及び導電部材の製造方法に関し、加圧時に導電部材の金属層を破壊しないようにすることができるとともに、下地の電極端子にクラック等のダメージを生じないようにすることができ、電極端子とこの電極端子と対向する電極端子間での導電部材による接続信頼性を向上させることができる配線構造及び導電部材の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】 第１の配線基板上に形成された第１の電極端子と、第２の配線基板上に形成された第２の電極端子とが対向して配置され、該第１の配線基板と該第２の配線基板とが絶縁性接着部材により接着され、該第１の電極端子と該第２の電極端子とが絶縁性核材表面に予め該核材一部が露出するように導電膜が被覆された導電部材により電気的接続されてなるように構成する。 （もっと読む）

【目的】回路基板のパターン配線領域を確保しながら、回路基板を小さくする。
【構成】液晶表示パネル，ゼブラコネクタ，回路基板，ＩＣ，からなる表示装置において、回路基板の第一の面にＩＣを実装し、回路基板の第二の面に接触端子を設け、接触端子と液晶表示パネルをゼブラコネクタで接続し、回路基板の第一，第二の面に設けた配線パターンをスルーホールまたは断面スルーホールで結合し、第二の面の接触端子または接触端子とスルーホールまたは断面スルーホールを結ぶ配線パターンと、第一の面のＩＣとスルーホールまたは断面スルーホールを結合する配線パターンが平面的に重なっている。また、回路基板の第二の面に設けた接触端子と、第一の面に設けた配線パターンを、スルーホールまたは断面スルーホールで結合した。 （もっと読む）

【目的】 接続配線等による性能低下がなく、簡便な製造方法で安価に製造しうるダブルゲート型の半導体装置を周辺回路に使用した液晶表示装置を提供する。
【構成】 多孔質Ｓｉ基体上にエピタキシャル成長させて得られた単結晶Ｓｉ薄膜の中間部にイオン注入によって絶縁層を形成し、該絶縁層より下の基板側単結晶Ｓｉ層を第２ゲート、上側を第１ゲートとしてＮＭＯＳ及びＰＭＯＳトランジスタを形成し、ＮＭＯＳトランジスタ群及びＰＭＯＳトランジスタ群のそれぞれの第２ゲートを電気的に分離し且つそれぞれ電位を取って制御し、周辺駆動回路を構成すると共に、画素電極のスイッチング素子としてＰＭＯＳトランジスタを使用した液晶表示装置。 （もっと読む）

【目的】 外部信号入力端子から遠い方の駆動用ドライバーＩＣまでのバスラインにインピーダンスのアンバランスを補正するための補正パターンを有することによって、駆動用ドライバーＩＣへの供給電源電圧を等しくし、ＦＰＣ接触抵抗やＣＯＧ実装抵抗の経時変化に対する十分な動作余裕度を確保し、信頼性を改善する。
【構成】 外部入力端子であるＦＰＣ１１からバスライン５を通して駆動用ドライバーＩＣ（６−１，２，３，４，５，６）に信号が入力される。本発明ではＦＰＣ１１から遠い方のＹドライバーＩＣ（６−１）までのバスラインインピーダンスと近い方のＹドライバーＩＣ（６−２）までのバスラインインピーダンスが等しくなるように補正用パターン１５を有する。 （もっと読む）