フッ素化ホスフェートまたはホスホネートのコーティングを有するフォトツールおよび前記フォトツールの使用方法。

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【課題】 マスクと半導体基板とを挟ギャップ化し高解像の露光を実現すると共に、万が一マスクと半導体基板とが接触した場合にもマスクの破損を回避できるリソグラフィー用のダイヤモンドウェハ、マスクブランクス及びマスク並びにダイヤモンドウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンドウェハ１３は、透過膜１２の被転写体側の面であって照射光等の吸収体１６を配設する部位にガスクラスターイオンビームの照射によって表面粗さがＲｍｓ＝０．１〜１０ｎｍの底面１７ｃを有する凹部１７が設けられたことを特徴とする。マスクブランクス１０ａは、ダイヤモンドウェハ１３の凹部１７の底面１７ｃ上に吸収膜１６ａが形成されたことを特徴とする。マスク１０は、吸収膜１６ａを所望の転写パターンに形成してなる吸収体１６の厚さをＴ、凹部１７深さをＨとすると、Ｔ≦Ｈであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エバネッセント光と伝播光の両方を用いた露光において、均一な大小パターン形成を実現する、パターン作製方法及び、パターン作製装置を提供する。
【解決手段】 フォトマスクを透過する光の主成分がエバネッセント光となる微小開口と伝播光となる開口を有したフォトマスクを用いたパターン作製方法において、フォトレジストを微小開口の幅以下の膜厚形成し、露光用光をフォトマスクに入射させ、フォトレジストを露光した後に現像を行い、被加工基板上にフォトレジストのパターンを作製した。 （もっと読む）

【課題】 セルロース誘導体を有するペリクルにおいて、セルロース誘導体の有機溶媒溶液を容易に濾過できるペリクルの製造方法、及びその製法によって得られる異物の少ない光線透過率の高いペリクル、を提供する。
【解決手段】 放射線照射処理したセルロース誘導体を用いてペリクルを製造する。 （もっと読む）

【目的】 本発明はペリクル枠の粘着層に貼付されるシート材料の切断に伴なう微細な切断くずの発生を防止したシート材料を使用するペリクル構造体の提供を目的とするものである。
【構成】 本発明のペリクル構造体は、ペリクル枠の一端面に形成された粘着層表面に、所定形状に切断し、その切断面を溶融処理するか、またはその切断面に塗料をコーティングしてなる、離型性を有するシート材料を貼付してなることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【目的】 本発明はリソグラフィー用ペリクルを異物の付着なく、かつ成膜用基板をいためることなく製造する方法の提供を目的とするものである。
【構成】 本発明によるリソグラフィー用ペリクルの製造方法は、基板上に成膜したペリクル膜を、加熱機構を有する切断治具を用いて切断加工することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【目的】 本発明は紫外線、エキシマレーザーの照射でも粘着層の粘着力が低下せず、また使用に際してセパレーターが容易に剥離できるペリクルの提供を目的とするものである。
【構成】 本発明の第１発明は、ペリクル枠の一端面にペリクル膜を張設し、他端面にシリコーン系粘着剤層を形成してなるペリクルに関するものであり、この第２発明はその粘着層をフッ素変性シリコーン系離型剤をコーティングしたセパレーターで保護していることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【目的】 フォトマスクの裏面を数箇所で支持し、真空吸着で固定する方式のマスクホルダーでは、マスクの自重によるたわみや、マスク自体の持つ凹凸により、マスク上に形成されたパターンの位置はマスク上方からみたとき変化する。このため、パターン位置座標や長寸法の測定誤差が生じる。本発明は、このマスクのたわみや凹凸をなくすことのできるマスクホルダーを提供する。
【構成】 マスク３の裏面全体が密着される大きさの基準平面をもち、この平面内にマスク３を真空吸着するための吸着孔２を支持台１に複数個設けて、この基準平面にマスク３の裏面全体を密着させる構造を有するマスクホルダーである。 （もっと読む）