国際特許分類[G03F7/32]の内容
物理学 (1,541,580) | 写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ (245,998) | フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置 (42,984) | フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化またはパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置 (38,375) | 感光材料の処理;そのための装置 (4,777) | 液体手段を用いる画像様除去 (1,233) | そのための液体組成物,例.現像剤 (682)
国際特許分類[G03F7/32]に分類される特許
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パターン形成方法及びレジスト組成物
【解決手段】置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子を含むウレア結合、アミド結合、又はウレタン結合を有する化合物と、ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得ることを特徴とするパターン形成方法。
【効果】本発明に係るレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。
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レジストパターン形成方法
【課題】本発明の目的は、感度を十分に満足し、かつEL、DOF、CDU及びMEEFに優れる感放射線性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、有機溶媒が80質量%以上の現像液を用いるレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物であって、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]酸解離性基を有する重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有し、かつ上記有機溶媒で現像した場合のレジスト感度曲線から算出されるコントラスト値γが、5.0以上30.0以下であることを特徴とするレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物である。上記有機溶媒は、炭素数3〜7のカルボン酸アルキルエステル及び炭素数3〜10のジアルキルケトンからなる群より選択される少なくとも1種の有機溶媒であることが好ましい。
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パターン形成方法及びこれに用いるレジスト組成物
【解決手段】酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明の酸不安定基と結合する窒素原子を有する繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤とを含むレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、即ち溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する効果が非常に高い特徴を有する。このレジスト膜を用いてドットパターン又は格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。
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レジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物
【課題】本発明の目的は、感度を十分に満足し、かつEL、DOF、CDU及びMEEFに優れる感放射線性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、有機溶媒が80質量%以上の現像液を用いるレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物であって、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]酸解離性基を有する重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有し、かつ上記有機溶媒で現像した場合のレジスト感度曲線から算出されるコントラスト値γが、5.0以上30.0以下であることを特徴とするレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物である。上記有機溶媒は、炭素数3〜7のカルボン酸アルキルエステル及び炭素数3〜10のジアルキルケトンからなる群より選択される少なくとも1種の有機溶媒であることが好ましい。
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レジストパターン形成方法
【課題】本発明の目的は、感度を十分に満足し、かつEL、DOF、CDU及びMEEFに優れる感放射線性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】本発明は、有機溶媒が80質量%以上の現像液を用いるレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物であって、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]酸解離性基を有する重合体、及び[B]感放射線性酸発生体を含有し、かつ上記有機溶媒で現像した場合のレジスト感度曲線から算出されるコントラスト値γが、5.0以上30.0以下であることを特徴とするレジストパターン形成用感放射線性樹脂組成物である。上記有機溶媒は、炭素数3〜7のカルボン酸アルキルエステル及び炭素数3〜10のジアルキルケトンからなる群より選択される少なくとも1種の有機溶媒であることが好ましい。
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フォトレジスト上塗り組成物および電子デバイスを形成する方法
【課題】フォトレジスト上塗り組成物および、前記上塗り組成物でコーティングされた基体、並びにネガティブトーン現像プロセスによって電子デバイスを形成する方法の提供。
【解決手段】以下の一般式(I)のモノマーを重合単位として含むポリマー、有機溶媒および塩基性クエンチャーを含む上塗り組成物。
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フォトリソグラフィ方法
【課題】電子デバイス製造における微細パターンの形成を可能にするネガティブトーン現像のための改良されたフォトリソグラフィ方法の提供。
【解決手段】フォトレジスト上塗り組成物、前記上塗り組成物でコーティングされた基体、並びにネガティブトーン現像プロセスによって電子デバイスを形成する方法。即ち(a)パターン形成される1以上の層を含む半導体基体と、(b)前記パターン形成される1以上の層上にフォトレジスト層を形成し、(c)前記フォトレジスト層上にフォトレジスト上塗り組成物をコーティングし、前記上塗り組成物は塩基性クエンチャー、ポリマーおよび有機溶媒を含んでおり、(d)前記層を化学線に露光し、並びに(e)前記露光された膜を有機溶媒現像剤で現像することを含む。
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パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜
【課題】ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ露光により形成されるパターン部の膜厚低下、いわゆる膜べりを抑制するパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】(ア)下記一般式(I)で表される繰り返し単位(a)を有する樹脂(P)及び活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物(B)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物によって膜を形成する工程、
(イ)該膜を露光する工程、及び
(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を含む、パターン形成方法。
上記一般式(I)中、R0は、水素原子又はメチル基を表す。
R1、R2及びR3は、各々独立に、直鎖状又は分岐状のアルキル基を表す。
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パターン形成方法及びレジスト組成物
【解決手段】酸不安定基により水酸基が保護された構造を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、光酸発生剤と、有機溶剤と、フッ素原子を有する繰り返し単位を含有し、かつ水酸基を含有しない高分子添加剤とを含み、高分子添加剤の含有量が全高分子化合物の含有量に対して1〜30質量%であるレジスト組成物を基板に塗布し、塗布後加熱処理をして作製したレジスト膜を高エネルギー線で露光し、露光後加熱処理を施した後に、有機溶剤を含有する現像液によりレジスト膜の未露光部分を選択的に溶解させるネガ型パターン形成方法。
【効果】本発明のレジスト組成物は、液浸露光可能な高い後退接触角を示すと共に、有機溶剤ネガ現像と組み合わせることで高い解像性、微細トレンチパターンやホールパターンの広い焦点深度を示し、ラインパターン側壁の垂直性を高め、パターン倒れ耐性を向上させることが可能である。
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レジストパターン形成方法及びフォトレジスト組成物
【課題】感度、解像性等の基本特性のみならず、MEEF、DOF等を指標としたリソグラフィー性能に優れ、より良好な断面形状のパターンを形成することができるフォトレジスト組成物、及びこの組成物を用いたネガ型のレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】(1)フォトレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、(2)上記レジスト膜に露光する工程、及び(3)上記露光されたレジスト膜を、有機溶媒含有現像液を用いて現像する工程を含むネガ型のレジストパターン形成方法であって、上記フォトレジスト組成物が、[A]下記式(1)で表される構造単位(I)を有する重合体、及び[B]酸発生体を含有する。
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