説明

国際特許分類[G03F7/32]の内容

国際特許分類[G03F7/32]に分類される特許

21 - 30 / 682


【課題】1浴処理が可能で、耐刷性、インキ着肉性、印刷汚れにくさに優れた平版印刷版の製版方法を提供すること。
【解決手段】支持体上に、ビニルカルバゾール化合物由来のモノマー単位を有するアクリルポリマー、及び/又は、ウレタン−アクリルハイブリッドポリマーを含有する光重合性感光層を有するネガ型平版印刷版原版を作製する工程、前記ネガ型平版印刷版原版を画像様に露光する工程、及び、pH4〜10であり、(成分A)下記式(I)及び/又は下記式(II)で表される化合物、及び、(成分B)水、を少なくとも含み、有機溶剤の含有量が5重量%未満である現像液により、露光された前記ネガ型平版印刷版原版を現像する工程、を含み、前記現像工程の前後での水洗工程及びガム引き工程を含まないことを特徴とする平版印刷版の製版方法。
(もっと読む)


【課題】電子線あるいは極紫外線(EUV光)を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、優れたパターン形状、高解像性(高い限界解像性など)、高ラインウィズスラフネス(LWR)性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】(A)酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、(B)電子線又は極紫外線の照射により酸を発生する化合物と、(C)フッ素原子、フッ素原子を有する基、珪素原子を有する基、炭素数が6以上のアルキル基、炭素数が6以上のシクロアルキル基、炭素数が9以上のアリール基、炭素数が10以上のアラルキル基、少なくとも1個の炭素数3以上のアルキル基で置換された芳香環基、及び、少なくとも1個の炭素数5以上のシクロアルキル基で置換された芳香環基からなる群より選択される1つ以上の基を有する樹脂と、(D)溶剤とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程(1)、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程(2)、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程(4)をこの順番で有するパターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】現像スピードを低下させることなく、現像カスの発生が抑制され、耐汚れ性及び着肉性に優れた平版印刷版を与える平版印刷版原版及びそれを用いる平版印刷版の作製方法を提供する。
【解決手段】支持体上に、感光層及び保護層をこの順に有する平版印刷版原版であって、前記感光層が増感色素、重合開始剤、重合性化合物及びバインダーポリマーを含有し、前記保護層が下記一般式(1)で表される繰り返し単位及び下記一般式(2)で表される繰り返し単位を有するポリマーであって、且つ、一般式(1)で表される繰り返し単位と一般式(2)で表される繰り返し単位の合計が当該ポリマーを構成する全繰り返し単位に対して90モル%以上であるポリマーを含有する平版印刷版原版。


一般式(1)及び一般式(2)中、R及びRは各々水素原子又はメチル基を表す。R及びRは、同一でも異なってもよく、各々水素原子、メチル基又はエチル基を表す。 (もっと読む)


【課題】ダブルパターニングプロセスにおいて側壁部形成のための薄膜が堆積される対象構造を有機材料により形成した場合であっても、均一な側壁部を形成する。
【解決手段】基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜をアルカリ性の薬剤に曝す工程と、前記薬剤に曝された前記フォトレジスト膜を露光する工程と、露光された前記フォトレジスト膜を現像する工程とを含むフォトレジストパターン形成方法により上記の課題が達成される。 (もっと読む)


【課題】電子線あるいは極紫外線(EUV光)を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、かつパターン倒れ性能に優れ、更には、パターン下部に食い込みの生じない形状に優れたパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】(A)酸分解性繰り返し単位を含有し、酸の作用により有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂と、(B)電子線又は極紫外線の照射により酸を発生し、かつ酸の作用により分解し有機溶剤に対する溶解度が減少する低分子化合物とを含有する感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程(1)、該膜を電子線又は極紫外線を用いて露光する工程(2)、及び、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像して、ネガ型のパターンを形成する工程(4)をこの順番で有する、パターン形成方法、これに供される感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、これを用いて形成されたレジスト膜。また、上記パターン形成方法を用いた、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。 (もっと読む)


【課題】高感度、高解像性(高解像力など)、高ラインウィズスラフネス(LWR)性能を極めて高次元で同時に満足するパターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成方法は、(1)感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、(2)前記膜を電子線または極紫外線で露光することと、(3)有機溶剤を含んだ現像液を用いて前記露光された膜を現像することとを含み、前記感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物は、(A)電子線又は極紫外線の照射により分解して酸を発生する構造部位を備えた繰り返し単位(R)を有する樹脂と、(B)溶剤とを含有している。 (もっと読む)


【課題】自動現像機の現像浴や水洗浴等に堆積物の蓄積による汚れが少なく、長時間連続的に製版処理した場合においても、析出物の発生が抑制され、容易に洗浄が可能であり、且つ、得られた再生水は再利用が可能である製版処理廃液のリサイクル方法を提供する。
【解決手段】感光性平版印刷版の製版処理廃液を、蒸発濃縮装置中で加熱し、発生した水蒸気と製版処理廃液中に含まれる溶解成分とに分離し、分離された水蒸気を凝縮して再生水とする現像処理システムであって、沸点が100℃〜300℃の範囲である有機溶剤を5質量%〜30質量%の範囲で含む現像補充液を、現像浴に補充し、且つ、発生する製版処理廃液を容量基準で、1/2.5〜1/5(=濃縮後の製版処理廃液/濃縮前の製版処理廃液)の範囲に濃縮し、再生水を現像補充液の希釈水またはリンス水の少なくとも一方に使用する製版処理廃液のリサイクル方法。 (もっと読む)


【解決手段】酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、スルホン酸を発生するオニウム塩型光酸発生剤と、カルボン酸を発生するオニウム塩型光酸発生剤とを含有するレジスト組成物。
【効果】酸の作用により分解するアセタール保護基で保護されたヒドロキシ基をアセタール保護した繰り返し単位を含む高分子化合物と、高エネルギー線でスルホン酸を発生する化合物及びカルボン酸を発生する化合物を含むレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴と、ナノエッジラフネスを低減する特徴を有し、このことにより微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することを可能とする。 (もっと読む)


【解決手段】酸不安定基で置換されたビニルアルコールと無水マレイン酸及び/又はマレイミドを繰り返し単位として有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】酸不安定基で置換されたビニルアルコールと無水マレイン酸及び/又はマレイミドを繰り返し単位として有する高分子化合物と酸発生剤を含むフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よくかつ高感度で形成することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】黒欠陥の発生を抑制できる転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜は、ドライエッチングが可能な材料からなり、前記薄膜上にレジスト膜が形成されたマスクブランクを準備する準備工程と、前記レジスト膜に転写パターンを露光処理する露光工程と、前記露光処理されたレジスト膜に対し、エッチング阻害要因物質の濃度が0.3ppbよりも高く、pHが8以上である現像液を用いて現像処理を行う現像工程と、前記現像処理されたマスクブランクに対し、エッチング阻害要因物質の濃度が0.3ppb以下であり、pHが8以上である第1のリンス液を用いて処理を行う第1リンス工程と、前記第1リンス工程後、エッチング阻害要因物質の濃度が0.3ppb以下であり、pHが6より大きく8未満である第2のリンス液を用いて処理を行う第2リンス工程と、を有する。 (もっと読む)


21 - 30 / 682