【課題】ネガ現像において得られる親水性有機化合物で形成されるレジストパターンに適用できるだけでなく、従来のポジ現像で得られる疎水性化合物からなるレジストパターンにも適用できるレジスト下層膜形成用組成物、及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）成分：下記繰り返し単位を有するフェノール性水酸基発生可能な重合体、該重合体の加水分解物、及び前記重合体の加水分解縮合物のうち少なくとも一つ以上、及び


（Ｂ）成分：特定の加水分解性ケイ素化合物を含有する混合物を加水分解縮合することにより得られるケイ素含有化合物を含むものであることを特徴とするケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】高感度、高解像性（例えば、高い解像力、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、未露光部における残渣の低減を同時に満足したパターンを形成できるレジストパターン形成方法、レジストパターン、現像液、有機溶剤現像用の架橋性ネガ型化学増幅型レジスト組成物、ナノインプリント用モールド、及びフォトマスクを提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物、酸の作用により前記高分子化合物を架橋する、２個以上のベンゼン環と４個以上のアルコキシメチル基とを有するフェノール性化合物、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、露光後に、炭素数７又は８のエステル系溶剤を含む現像液を用いて現像する工程をこの順番で有する、レジストパターン形成方法。
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【課題】有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高いパターン形成方法を提供する。
【解決手段】単糖類のヒドロキシ基の１つがメタクリルエステルとして結合し、残りのヒドロキシ基が酸不安定基で置換された（メタ）アクリレートの繰り返し単位を含む高分子化合物と酸発生剤を含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】良好なラインウィズスラフネス（Ｌｉｎｅ Ｗｉｄｔｈ Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ：ＬＷＲ）を有し、かつ矩形なプロファイルを有するパターンを形成し得るパターン形成方法、それにより形成される積層レジストパターン、前記パターン形成方法に好適に用いられる有機溶剤現像用の積層膜、前記パターン形成方法に好適に用いられるレジスト組成物、電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（ア）基板上に第１の樹脂組成物（Ｉ）を用いて第１の膜を形成する工程、
（イ）前記第１の膜上に、前記樹脂組成物（Ｉ）とは異なる第２の樹脂組成物（ＩＩ）を用いて第２の膜を形成する工程、
（ウ）前記第１の膜と前記第２の膜とを有する積層膜を露光する工程、及び
（エ）前記露光された積層膜における前記第１の膜と前記第２の膜とを、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】 ラフネス性能、露光ラチチュード、耐膜減り性能及びパターン寸法の面内均一性に優れたパターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び感活性光線性又は感放射線性膜を提供すること。
【解決方法】 （ア）シクロデキストリン骨格と酸分解性基を有する化合物（Ａ）、及び、活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、（イ）該膜を露光する工程、及び（ウ）露光した前記膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含む、パターン形成方法。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有するシクロオレフィンを重合してなる繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含む、あるいは酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有するシクロオレフィンを重合してなる繰り返し単位とスルホニウム塩の繰り返し単位を含有する高分子化合物と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明によるフォトレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高くエッチング耐性が高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング耐性及び露光ラチチュード（ＥＬ）のいずれにも優れるパターン形成方法、該パターン形成方法に供せられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該パターン形成方法により形成されるレジスト膜、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（ア）多環芳香族基を有する繰り返し単位（ａ）及び酸の作用により分解してカルボキシル基を生じる基を有する繰り返し単位（ｂ）を有する樹脂（Ａ）、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
（イ）該膜をＡｒＦエキシマレーザーにより露光する工程、及び
（ウ）該露光された膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程
を有するパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤現像において溶解コントラストが大きく、かつ高感度なフォトレジスト組成物及び有機溶剤による現像によってポジネガ反転によるホールパターンを形成するパターン形成方法を提供する。
【解決手段】分岐状アルキレン基もしくは脂環式基上のヒドロキシ基が酸不安定基で置換された側鎖を有するアクリル系繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】上記パターン形成方法で得られるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高い特徴を有する。 （もっと読む）

【課題】ネガ型レジストのパターン形成に際し、ラフネスが小さく、レジストパターンの倒壊やブリッジ形成を招くことなく安定的に微細パターンを形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】
（ア）架橋反応によりネガ化する化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、および
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程
を含むレジストパターン形成方法であって、前記レジスト組成物が、
（Ａ）分子量５００〜５０００の低分子量化合物、
（Ｂ）可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線（ＥＵＶ）、Ｘ線およびイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的または間接的に酸を発生する酸発生剤、
（Ｃ）酸架橋剤、および
（Ｄ）溶剤
を含有することを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】基板上のレジスト膜を高精度で現像しつつ、当該レジスト膜にレジストパターンを適切に形成する。
【解決手段】現像処理装置３０は、ウェハＷを収容して処理する処理容器１１０と、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック１４０と、ウェハＷ上に有機溶剤を含有する現像液を供給する現像液ノズル１６０と、ウェハＷ上にリンス液を供給するリンス液ノズル１６４と、処理容器１１０内に酢酸ブチルガスを供給する処理ガス供給部１２２と、処理容器１１０内に窒素ガスを供給するパージガス供給部１２６と、処理容器１１０内の酢酸ブチルガスの濃度を測定する濃度測定器１３０と、処理容器１１０内のガス濃度を所定の濃度に制御する濃度制御部１３１と、処理容器１１０から流出した酢酸ブチルガスを再度処理容器１１０内に供給して循環させるガス循環部１５１と、を有する。 （もっと読む）