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国際特許分類[G06F5/06]の内容

物理学 (1,541,580) | 計算;計数 (381,677) | 電気的デジタルデータ処理 (228,215) | 処理するデータの順序または内容を変更することなくデータ変換を行うための方法または装置 (126) | データ・フローの速度を変えるためのもの,すなわち速度調整のためのもの (33)

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【課題】 本発明は、ホストシステムの動作クロックに同期したアクセスが可能なメモリコントローラ、及び当該メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステムを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明に係るメモリコントローラは、ホストシステムが前記フラッシュメモリに格納しようとするデータを、前記ホストシステムの動作の基準となる第1のクロックに同期して受け取り、該受け取ったデータを前記メモリコントローラの内部における動作の基準となる第2のクロックに同期して出力する第1のFIFO(First In First Out)71と、前記ホストシステムが前記フラッシュメモリから読み出そうとするデータを、前記第2のクロックに同期して受け取り、該受け取ったデータを前記第1のクロックに同期して出力する第2のFIFO72と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 ハードウェア構造を変化させることなく種々の送信元および送信先に対応することができる。
【解決手段】 メモリ装置1は、データの送受信に用いられる装置であり、データ送信元2から出力されるデータを格納し、データの出力先であるデータ送信先3に対してデータを出力するデータバッファ4と、データ送信元2が受動的にデータを出力するものであるとき、出力されるデータに対して配列処理を行う送信元アドレス変換部5と、データ送信先3が受動的にデータを入力するものであるとき、データ送信先3に入力するデータに対して配列処理を行う送信先アドレス変換部6と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 TSを一時的に蓄積する際に、オーバーフローが発生した場合であっても後段の処理回路に負担をかけない。
【解決手段】 FIFOメモリ装置20は、TSパケットをアドレス順に格納するメモリ41と、メモリ41に格納されている各TSパケットの先頭アドレスを記憶するとともに最も古いTSパケットの先頭アドレスを記憶するパケット先頭位置記憶回路45と、メモリ41に格納されているTSの読み出しアドレスを発生する読み出しアドレス生成回路43と、書き込みアドレスと読み出しアドレスとを比較して、オーバーフローをするか否かを判定するオーバーフロー判定回路44とを備える。読み出しアドレス発生回路43は、オーバーフロー判定回路44がオーバーフローをすると判定した場合には、最も古いパケットの先頭アドレスからメモリ41に格納されているデータの読み出しを行う。 (もっと読む)


処理回路は、データ生成プロセス及びデータ消費プロセスを実行する。前記データ生成プロセスはデータのストリームを生成し、前記データ消費プロセスは前記ストリームの生成と並行して前記データのストリームを消費する。先入れ先出しバッファは、前記データ生成プロセスと前記データ消費プロセスとの間の前記ストリームからデータを渡す。前記バッファはバッファメモリを備え、前記バッファは前記ストリームからデータ項目を循環式に前記バッファメモリ内に書き込む。消費プロセスインターフェイスは、前記データ消費プロセスが前記ストリームからのデータグレーンを使用すること、を可能にするためのコマンドを処理するように配置される。前記インターフェイスは、アクセスされるべき前記グレーン内のデータのアドレスが前記循環FIFOバッファ内でラップアラウンドするかどうかをテストすることにより前記コマンドに応答する。前記インターフェイスは、もし前記アドレスがラップアラウンドするならば、前記FIFOバッファから前記補助メモリ領域に前記グレーンを、コピーされたグレーン内で前記ラップアラウンドが除去されることになるようにコピーする。前記インターフェイスは、前記アドレスが前記グレーン内でラップアラウンドしないときに、前記FIFOバッファから前記グレーンを読み取るよう前記消費プロセスに指示を返し、又は前記アドレスがラップアラウンドするときに、前記補助メモリ領域から読み取るよう指示を返す。
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【課題】CAとCMのMPU間の通信を高速化するとともに、両MPUの負荷を軽減すること。
【解決手段】CA−メモリとCM−メモリに同一構成のリングバッファを設け、CMI110に送信用リングバッファのメッセージ書き込み位置を指定するTOPポインタを格納するTOPポインタ格納レジスタ111と送信用リングバッファのメッセージ読み出し位置および受信用リングバッファの書き込み位置を指定するBTMポインタを格納するBTMポインタ制御レジスタ112を設け、TOP/BTM比較部114がTOPポインタとBTMポインタを比較して値が異なる場合に、メッセージリングバッファリードモジュール116が送信用リングバッファからBTMポインタで指定されるメッセージを読み出して受信用リングバッファのBTMポインタで指定される位置に書き込むよう構成する。 (もっと読む)


FIFOメモリ装置(300)は、複数の不揮発性記憶部又はラッチを有する不揮発性FIFOである記憶装置(321)を有する。FIFOメモリ装置(300)はまた、揮発性FIFOである入力ステージ(315)を有し、複数の揮発性記憶部を有する。入力ステージ(315)は、データの一時的な記憶をし、これにより記憶装置(321)の待ち時間を隠す。
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【目的】 ジッタの変動に追従して読出しパルスの出力制御を自動的に行い、メモリの使用容量を最少に抑えるとともに、スリップエラーを起こすことなくメモリの伝搬遅延時間を小さくする。
【構成】 メモリ容量制御部4は書込みアドレスカウンタ部2からの書込みパルスcと読出しアドレスカウンタ部3からの読出しパルスdとの位相差を算出し、その算出結果に基づいて読出しパルスdを出力するタイミングを調整するための制御信号eを生成して読出しアドレスカウンタ部3に出力する。読出しアドレスカウンタ部3はメモリ容量制御部4からの制御信号eにしたがって読出しパルスdを出力する。 (もっと読む)


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