【課題】 磁気抵抗効果素子のＰＷ５０をはじめとする電磁変換諸特性を向上させながら、磁気抵抗効果素子と一対の上下各磁気シールド層間の電気的絶縁性を十分に確保することができる薄膜磁気ヘッドを提供すること。
【解決手段】 本発明は、磁気抵抗効果素子１０と、磁気抵抗効果素子１０を挟む一対の磁気シールド層２３，２６とを備え、磁気抵抗効果素子１０と各磁気シールド層２３，２６との間には、電気的絶縁性を有するリードギャップ層２４，２５が、各磁気シールド層２３，２６側にそれぞれ設けられており、リードギャップ層２４，２５の少なくとも一方が多層積層絶縁体であり、多層積層絶縁体が、絶縁性軟磁性層２４ｂと、非磁性絶縁層２４ａとを交互に積層した構造である薄膜磁気ヘッド１である。 （もっと読む）

【課題】
スピンバルブ構造の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、再生出力を向上させる。また、バルクハウゼンノイズを抑制するための縦バイアス磁界を安定化させ、安定な特性を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】
スピンバルブ構造の磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、反強磁性層として少なくとも一部に面心正方晶を有するＭｎ合金を、固定層強磁性膜としてＣｏ原子を含む磁性薄膜を用いると、大きな交換結合磁界が得られ、再生出力が向上する。また、縦バイアス印加層として少なくとも一部に面心正方晶を有するＭｎ合金とＣｏ原子を含む磁性薄膜の積層膜を用いることにより縦バイアス磁界を安定化することができる。 （もっと読む）

【課題】トンネル磁気抵抗効果を用いたＭＲ素子において、ＭＲ比を大きくし且つ自由層の保磁力を小さくする。
【解決手段】ＭＲ素子５は、互いに反対側を向く２つの面を有するトンネルバリア層２４と、トンネルバリア層２４における一方の面に隣接するように配置され、外部磁界に応じて磁化の方向が変化する自由層２５と、トンネルバリア層２４の他方の面に隣接するように配置され、磁化の方向が固定された強磁性層である固定層２３とを備えている。自由層２５は、トンネルバリア層２４における一方の面に接して隣接するように配置された第１の軟磁性層４１と、この第１の軟磁性層４１におけるトンネルバリア層２４とは反対側に配置された高分極率層４２と、この高分極率層４２における第１の軟磁性層４１とは反対側に配置された第２の軟磁性層４３とを有している。 （もっと読む）

【課題】 素子の寿命を延ばすことができるＴＭＲ素子の使用方法、ＴＭＲ素子を有するセンサ装置、及びＴＭＲ読出しヘッド素子を有する磁気ディスクドライブ装置を提供し、ＴＭＲ素子製造における歩留を向上させることができるＴＭＲ素子の使用方法を提供する。
【解決手段】 ＴＭＲ素子がバリア層不良であることを検知した場合にこのＴＭＲ素子にバイアス電圧よりも高い電圧を印加してバリア層を短絡させ、以後はＴＭＲ素子をＣＰＰ構造のＧＭＲ素子として使用する。 （もっと読む）

【課題】 外部からスライダ基板に入ってくる外来ノイズの悪影響を防ぐことのでき、さらには基板側への放熱効果を増大させて磁気抵抗効果層への熱の伝搬をできるだけ制限することができる薄膜磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】 下部シールド層、上部シールド層および下部磁極層の後方部位（記録再生側面であるＡＢＳと反対方向）にヒートシンク層を備え、ヒートシンク層は、下部磁極層と接続されるとともに、ヒートシンク層を介して、下部磁極層と基板とを接続させてなるように構成される。 （もっと読む）

【課題】面積抵抗ＲＡの大幅な増大を招くことなく、高いＭＲ変化率を有する磁気抵抗効果素子を製造できる方法を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた絶縁層及び前記絶縁層を貫通する電流パスを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子において、前記スペーサ層の下側に位置する前記磁化固着層または前記磁化自由層は膜厚方向に延びる粒界によって分離された結晶粒を含み、前記結晶粒の一端の面内方向位置を０とし、前記結晶粒の他端に隣接する粒界の面内方向位置を１００としたとき、前記電流パスは面内方向位置が２０以上８０以下の範囲内にある領域上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】精密な膜厚制御を行うことが可能なＲｕ膜の形成方法及びトンネル磁気抵抗効果多層膜を提供する。
【解決手段】本発明は、基板２０上にトンネル磁気抵抗効果多層膜を形成する場合において、一対の強磁性膜に挟まれる非磁性Ｒｕ膜をスパッタリング法によって形成する際、前記基板２０に所定のバイアス電位を与える工程を有するものである。この場合、スパッタリングの際、基板２０に対して所定の高周波電力を印加し、基板２０の電位が−２０〜−１００Ｖとなるように制御することができる。 （もっと読む）

【課題】高速転送化に対応して高周波応答性の優れた再生ヘッドが必要とされる。また、垂直磁気記録では再生波形が矩形形状であることから高調波成分の再生が必要とされ、更に高周波再生特性の優れた再生ヘッドが必要とされる。本発明は、高密度化・高速転送化に対応した磁気ディスク装置に適用可能な高速応答性の優れた再生ヘッドを提供することを目的とする。
【解決手段】静電容量が２ｐＦ以下であることを特徴とする磁気ヘッド、または、上部磁気シールドと下部磁気シールドとが対向する面積が、５３００μｍ^２以下であることを特徴とする磁気ヘッドを提供する。 （もっと読む）

【課題】フリー磁性層の磁歪定数の増大を抑えつつ、磁気抵抗変化率を大きくすることのできる磁気検出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フリー磁性層３６を、非磁性材料層３５に接する第１エンハンス層３６ａ、第２エンハンス層３６ｂ、低保磁力層３６ｃの３層構造にする。第２エンハンス層３６ｂの磁歪定数λの値は第１エンハンス層３６ａの磁歪定数λの値よりも小さい。本発明ではエンハンス層を従来の１層構造から２層構造にし、第２エンハンス層３６ｂの磁歪定数λの値を第１エンハンス層３６ａの磁歪定数λの値よりも小さくすることによって、フリー磁性層の磁歪定数の増大を抑えつつ、磁気抵抗変化率を大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、当たり幅の中心と曲面の頂点を任意に設定でき、且つ摺動幅方向の曲面出しの研磨の加工精度を向上した薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供するものである。
【解決手段】 本発明の薄膜磁気ヘッド１は、薄膜磁気ヘッド１内のテープ摺動面２側で且つテープ摺動方向と交差する面の両端に、磁気ヘッド素子８を挟んでテープ摺動面研磨の進行に応じて抵抗値を変化させる検知素子４［４Ｒ，４Ｌ］が設けられてなることを特徴とする。 （もっと読む）