【課題】 高速記録消去が可能な書き換え型情報記録媒体に用いる相変化記録材料、及び前記相変化記録材料を用いた書き換え型情報記録媒体を提供する。
【解決手段】 結晶状態を未記録状態とし、非晶質状態を記録状態とする情報記録媒体に用いる相変化記録材料であって、所定のＳｂＳｎＧｅＴｅＭ１組成（Ｍ１はＩｎ等）を主成分とすることを特徴とする相変化記録材料。 （もっと読む）

【課題】ＰＲＡＭにおけるデータの記録／消去は、これまで、その記録材料であるＴｅを含むカルコゲン化合物の結晶状態とアモルファス状態の一次相変態により生じる物理的特性変化に基づいて行われてきたが、記録薄膜は、単結晶ではなく、多結晶から構成されているので、抵抗値にバラツキがあり、相転移の際に発生する体積変化により、記録読み出し回数に制限があった。
【解決手段】本願発明は、Ｓｂを含む薄膜とＴｅを含む薄膜を超格子構造により固体メモリを作成し、上記課題を解決し、繰り返し記録消去回数を１０^１５回とした。 （もっと読む）

【課題】高記録密度及び低消費電力の不揮発の情報記録再生装置を提供する。
【解決手段】本発明の例に関わる情報記録再生装置は、記録層と、前記記録層に電圧を印加して前記記録層に相変化を発生させて情報を記録する手段とを具備し、前記記録層は、少なくとも、化学式１：A_xM_yX₄ (0.１≦x≦2.2、1.0≦y≦2)で表されるスピネル構造を有する第１化合物を含むように構成されることを特徴とする。但し、Aは、Zn, Cd, Hgのグループから選択される少なくとも1種類の元素であり、Mは、Ti, Zr, Hf, V, Nb, Taのグループから選択される少なくとも１種類の遷移元素であり、Xは、Oである。 （もっと読む）

【課題】高記録密度及び低消費電力の不揮発性の情報記録再生装置。
【解決手段】電極層１１、１３Ａ及び記録層１２を有する積層構造と、電極層に付加されるバッファ層１０と、電圧を印加して記録層を相変化させて情報を記録する電圧印加部と、を備え、記録層は、Ａ_ｘＭ_ｙＸ_３（０．１≦ｘ≦１．１、０．７５≦ｙ≦１）で表されるイルメナイト構造であって、ＡとＭの少なくともいずれかは電子が不完全に満たされたｄ軌道を有する遷移元素であり、ＡはＢｅ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎよりなる群から選択された少なくともいずれかを含む元素であり、ＭはＴｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｒｈよりなる群から選択された少なくともいずれかを含む元素であり、ＸはＯ（酸素）、Ｎ（窒素）よりなる群から選択された少なくともいずれかを含む元素である第１化合物を含む第１の層を有する。 （もっと読む）

【課題】高記録密度及び低消費電力の不揮発の情報記録再生装置を提供する。
【解決手段】本発明の例に関わる情報記録再生装置は、記録層と、前記記録層に電圧を印加して前記記録層に相変化を発生させて情報を記録する手段とを具備し、前記記録層は、少なくとも、化学式１：A_xM_yX₄ (0.１≦x≦2.2、1.5≦y≦2)で表されるスピネル構造を有する第１化合物を含むように構成されることを特徴とする。但し、Aは、Zn, Cd, Hgのグループから選択される少なくとも1種類の元素であり、Mは、Cr, Mo, W, Mn, Reのグループから選択される少なくとも１種類の遷移元素であり、Xは、Oである。 （もっと読む）

本発明は情報の大容量記憶のための装置に関し、該装置は、基板３０と、基板３０の表面３１の上に、その表面と電気的に接触するように設けられる原子間力顕微鏡法のための導電性先端部１０と、上記先端部１０と上記基板３０との間の電位差を印可するための電圧発生器４１とを備える。該装置は、基板３０が電子タイプ及びイオンタイプの両方の導電率を有する材料から形成される表面３１を含むこと、及び、発生器４１が材料の酸化還元反応を引き起こすのに十分に高い電位差を印可し、それにより、基板３０の表面の導電率を変更するように適合されていることを特徴とする。該装置１は情報の大容量記憶のために用いることができる。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で、かつ、熱安定性が高い不揮発性の情報記録再生装置を提案する。
【解決手段】本発明に係る情報記録再生装置は、記録層１２と、記録層１２に電圧を印加して記録層１２に状態変化を発生させて情報を記録する手段とを備える。記録層１２は、ホランダイト構造を有する材料により構成される。 （もっと読む）

【課題】低消費電力かつ熱安定性が高い不揮発性の高記録密度情報記録再生装置を提案する。
【解決手段】記録層と、前記記録層に電圧を印加して前記記録層に相変化に起因した抵抗変化を発生させて情報を記録させる記録手段とを具備し、前記記録層は、ラムズデライト(Ramsdelite)構造を有する材料により情報記録再生装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で、かつ、熱安定性が高い不揮発性の情報記録再生装置を提案する。
【解決手段】記録層と、前記記録層に電圧を印加して前記記録層に相変化に起因して抵抗変化を発生させて情報を記録させる記録手段とを具備し、前記記録層は、少なくともＬｉＭｏＮ₂構造を有する第１化合物を含むようにして情報記録再生装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】高記録密度を実現するための高精度の位置制御技術を提案する。
【解決手段】本発明の例に係る情報記録再生装置は、導電材料から構成される導電領域を有する第１及び第２ヘッド１３と、第１ヘッド１３によりデータが読み出されるデータエリア及び第２ヘッド１３によりサーボバースト信号が読み出されるサーボバーストエリアを有する記録媒体と、サーボバースト信号に基づいて第１ヘッド１３と記録媒体との位置決めを行うドライバ１７と、第２ヘッド１３の導電領域の表面を覆う抵抗体とを備える。 （もっと読む）