【課題】
重力の影響を補償することのできるアクチュエータ及び記憶装置を提供する。
【解決手段】
実施形態のアクチュエータは、第１方向と、前記第１方向とは異なる第２方向とに略直
交する第３方向に垂直な一対の第１の面と第２の面とを有する櫛歯状の第１の電極と、前
記第１の電極の櫛歯と交互に離間して設けられ、前記第３方向に垂直な一対の第３の面と
第４の面とを有する櫛歯状の第２の電極とを備える。また、前記第１の面及び前記第２の
面は、それぞれ前記第３の面及び前記第４の面に対して、前記第３方向に偏差を有し、前
記偏差の量は、重力の前記第３方向の成分が最大となる際に、前記重力により生じる前記
可動部の前記第３方向への変位量の最大値よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】本発明の主な目的は、エレクトロクロミック装置、記憶装置及びその製造方法を提供することにより、メモリ機能を有しており、記憶装置は、２個以上のメモリ構成を有して、メモリ密度を大幅に向上させることができる。
【解決手段】本発明は、エレクトロクロミック装置を提供する。前記エレクトロクロミック装置は、第一基板と、エレクトロクロミック層と、電極と、電解質層と、第二基板と、を含む。前記エレクトロクロミック層は、前記第一基板に形成される。前記電極は、前記エレクトロクロミック層に配置される。前記電解質層は、前記電極と前記第二基板との間に配置される。 （もっと読む）

【課題】高記録密度及び低消費電力の情報記録再生装置を提案する。
【解決手段】実施形態に係わる情報記録再生装置は、記録層１２と、記録層１２に電圧を印加して記録層１２に相変化を発生させて情報を記録する記録回路とを備える。記録層１２は、少なくとも１種類の陽イオン元素と少なくとも1種類の陰イオン元素を有する化合物から構成され、陽イオン元素の少なくとも１種類は、電子が不完全に満たされたｄ軌道を有する遷移元素であり、隣接する陽イオン元素間の平均最短距離は、0.32nm以下である。記録層１２は、(i) A_xM_yX₄ (0≦x≦2.2、1.8≦y≦3)、(ii) A_xM_yX₃ (0≦x≦1.1、0.9≦y≦3)及び(iii) A_xM_yX₄ (0≦x≦1.1、0.9≦y≦3)のうちから選択される材料を備える。 （もっと読む）

【課題】高精度に多値化を制御可能な情報記録装置を提案する。
【解決手段】本開示の情報記録装置は、第1及び第2電極1a, 1bと、これらの間の可変抵抗層1cと、第1及び第2電極1a, 1b間の抵抗値をn（nは2以上の自然数）通りに制御する制御回路2とを備える。可変抵抗層1cは、第1及び第2電極1a, 1b間に満たされる高抵抗材料1dと、高抵抗材料1dよりも低い抵抗値を有し、高抵抗材料1d内で第1電極1aから第2電極1bに向かって配置される第1、第2、…第n低抵抗粒子1eとを備える。制御回路2は、第1電極1aと第1、第2、…第n低抵抗粒子1eの少なくとも1つとを短絡させることによりn通りの抵抗値を制御する。 （もっと読む）

【課題】大データ容量の近接場光記録用の機器及び方法を提供する。
【解決手段】第１表面を有する構成部品と、前記第１表面に隣接して位置決めされた相変化記憶媒体と、前記第１表面に隣接する焦点に電磁放射を方向づけて、近接場放射を利用して前記相変化記憶媒体の一部の相を変化させる第１導波路と、前記相変化記憶媒体に隣接して第１端部が位置決めされた第１電極と、前記記憶媒体の導電率の変化に応じて変化する前記第１電極内の電流を検出する検出器とを備える、機器。 （もっと読む）

【課題】高記録密度かつ低消費電力を実現した情報記録再生装置を提供する。
【解決手段】情報記録再生装置は、電圧パルスの印加によって所定の抵抗値を持つ第１の状態とこの第１の状態よりも高い抵抗値を持つ第２の状態との間を可逆的に遷移する記録層からなるメモリセルを備える。前記記録層は、組成式A_xM_yX₄（0.1≦x≦1.2、2＜y≦2.9）で表される第１化合物層を含む。前記Aは、Mn（マンガン）、Fe（鉄）、Co（コバルト）、Ni（ニッケル）、及びCu（銅）のグループから選択される少なくとも１種類の元素である。前記Mは、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、Ti（チタン）、Ge（ゲルマニウム）、及びSn（スズ）のグループから選択される少なくとも１種類の元素であり、かつ、前記Aとは異なる元素である。前記Xは、O（酸素）であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プロセス中の熱処理による記録層の特性劣化を低減する。
【解決手段】本発明の例に係る情報記録再生装置は、第１の電極層１３と、第２の電極層１１と、第１の電極層１３と第２の電極層１１との間にある記録層１２と、第１及び第２の電極層１１，１３間に電圧を印加して記録層１２の抵抗を変化させて情報を記録する手段とを備える。第１及び第２の電極層１１，１３は、P型或いはn型キャリアーがドープされたIV族或いはIII-V族の半導体から構成される。 （もっと読む）

【課題】新規な構造による高密度の情報記録が可能な抵抗変化型の不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】印加される電界及び通電される電流の少なくともいずれかによって抵抗が変化する記憶層と、前記記憶層の第１主面に設けられた複数の第１電極と、前記複数の第１電極に対向して設置され前記第１電極との相対的な位置関係が可変の複数のプローブ電極と、前記複数のプローブ電極に接続され、前記複数のプローブ電極を介して前記複数の第１電極のうちの少なくとも２つの間で、前記第１主面に対して平行な成分を有する電界及び前記第１主面に対して平行な成分を有する方向に流れる電流の少なくともいずれかを生じさせることによって前記記憶層に情報の記録を行う駆動部と、を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】プローブ電極の位置精度を緩和して書き込み及び読み出し不良を低減したプローブ型の不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】印加される電界及び通電される電流の少なくともいずれかによって抵抗が変化する記憶層７と、記憶層の第１主面に設けられた複数の第１電極８と、記憶層の第１主面とは反対の側の第２主面に設けられた第２電極６と、前記複数の第１電極に対向して設置され前記第１電極との相対的な位置関係が可変のプローブ電極９と、駆動部１０と、を備えた不揮発性記憶装置が提供される。駆動部は、前記プローブ電極と前記第２電極とに接続され、前記プローブ電極を介して前記複数の第１電極のうちの少なくともいずれかと前記第２電極との間で、前記記憶層に電界を印加及び電流の通電の少なくともいずれかを生じさせることによって前記記憶層に情報の記録を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面形状によりデータを記憶するためのデータ記憶媒体を基板の表面に製造する方法を対象とする。本発明はさらに、本方法により得られるデータ記憶媒体およびこのデータ記憶媒体を含むデータ記憶装置を対象とする。
【解決手段】本方法は、少なくとも３つのアルキン基を含む架橋剤を基板の表面に付着する第１のステップを含む。第２のステップでは、付着した架橋剤を硬化して基板の表面に架橋ポリマ層の形のデータ記憶媒体を得る。 （もっと読む）