【課題】ナノ結晶を利用した情報記録媒体とその製造方法、及び情報記録装置を提供する。
【解決手段】導電層と、導電層上に形成される下部絶縁層と、下部絶縁層上に形成されるものであって、電荷をトラップしうる導電性のナノ結晶を含むナノ結晶層と、ナノ結晶層上に形成される上部絶縁層と、を備える情報記録媒体である。前記ナノ結晶層は、単一層または複合層で形成される。前記導電性のナノ結晶は、金属または半導体で形成される。前記金属は、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｏｓ、Ｐｈ、Ｉｒ、Ｔａ、Ａｕ及びＡｇからなるグループから選択された少なくとも一つの金属ナノ粒子である。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化型記録媒体の表面を複数のプローブを用いて走査を行うことによりデータの読み書きを行う走査型記憶装置において、構造を微細化して記録密度を増大させてもデータ読み出し時間の増加を回避し得る構成の走査型記憶装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る走査型記憶装置は、複数のビット線と複数のワード線との交差部にそれぞれ配設され、抵抗変化型の記録媒体の表面に接触させて、接触位置における上記記録媒体の抵抗値を検出するための複数のプローブと、上記各プローブごとに設けられ、検出された上記記録媒体の抵抗値のデータを記憶する複数の記憶バッファと、上記複数のビット線のうち、データ読み出しに用いられるビット線にそれぞれ接続され、上記各記憶バッファに記憶されたデータを読み出す複数のセンスアンプと、を備えているものである。 （もっと読む）

【課題】高記録密度及び低消費電力の不揮発の情報記録再生装置を提供する。
【解決手段】本発明の例に関わる情報記録再生装置は、記録層と、記録層に電圧を印加して記録層に抵抗変化を発生させてデータを記録する手段とを含む。記録層は、少なくとも２種類の陽イオン元素を有する複合化合物から構成され、陽イオン元素の少なくとも１種類は、電子が不完全に満たされたｄ軌道を有する遷移元素であり、隣接する陽イオン元素間の最短距離は、0.32nm以下である。 （もっと読む）

【課題】高精度の位置制御技術により高記録密度を実現する。
【解決手段】本発明の例に関わる情報記録再生装置は、第１及び第２ヘッド１４と、第１ヘッドにより記録データが読み出されるデータエリア、及び、第２ヘッドによりサーボバースト信号が読み出されるサーボバーストエリアを有する記録媒体１２と、サーボバースト信号に基づいて第２ヘッドの位置決めを行うドライバ１７と、サーボバーストエリアの表面を覆い、データエリアの表面を覆わない抵抗体とを備え、記録データ及びサーボバースト信号は、記録媒体１２の電気抵抗変動により記録される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高密度データ格納装置及びその記録／再生方法、より詳しくは、接触なしに高密度のデータを記録／再生して、接触によるデータの誤りが防止できる高密度データ格納装置及びその記録／再生方法を提供するためのものである。
【解決手段】本発明の高密度データ格納装置は、記録媒体と探針を用いたものであって、記録媒体は、相（phase）変換物質、または、酸化物抵抗変化物質で形成された薄膜であり、探針の下部には記録媒体の上部に離隔して移動するチップ（tip）が形成されたことを特徴とする。本発明によれば、探針のチップで発生される電場や熱放出により記録媒体と探針が直接接触しなくて、データの記録／再生を行って、記録媒体と探針の接触により発生する不安定性を除去し、記録媒体にデータをエラーなしに安定に記録／再生することができる効果がある。 （もっと読む）

本発明は、基板の表面において書き込まれるかまたは読み出されるポイントゾーンに近づく少なくとも１つの書き込みまたは読み出しマイクロティップを用いて書き込みおよび読み出しができ、書き込みもしくは消去の場合に、このゾーンの物理的状態を変化させるようにするか、または読み出しの場合に、ゾーンの物理的状態を決定するようにし、ゾーンに記憶されたデータがゾーンの物理的状態によって定義されるデータ記憶メモリに関する。基板の表面は、書き込みマイクロティップの作用下で状態を変化させ得る第１の感受性材料の層における個別の島（７５）のセットに細分され、各島（７５）は、書き込みマイクロティップの作用に敏感でないかまたはそれほど敏感でない第２の材料によって形成された井戸（８０）に囲まれるが、この第２の材料は、個別の島を互いに完全に分離する。井戸の材料は、島の材料と同じであるが、しかし差異化不純物が、それらを互いに区別する。島および井戸への組織化は、フォトリソグラフィによってか、または島へ自然に塊になることができる材料の自己組織化ステップによって達成してもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、記録密度の高い記録装置を提供することである。
【解決手段】金属イオン伝導体を含む記録層と、上記記録層から離間して配置され、電子伝導体を含む第１の電極とを具え、さらに、上記記録層の、上記第１の電極とは反対側に、上記金属イオン伝導体の電荷キャリアとなるイオンを供与する金属層を、上記金属イオン伝導体に接触した状態で具え、上記記録層と上記第１の電極とを接触させて、上記第１の電極と上記金属層との間に電圧を印加することにより、上記記録層上に金属製ドットを析出させて情報を記録し、および／または上記ドットを消滅させて情報を消去する。 （もっと読む）

【課題】大量の記録データを高密度でしかも確実かつ容易に記録し得るデータ記録方法を提供する。
【解決手段】情報記録媒体用基材（基材１０）の一面における複数の記録位置Ｐａ１，Ｐｂ１・・のうちから記録すべき記録データのデータ内容に対応して規定した第１の記録位置Ｐｂ１，Ｐｄ１・・に凹部４を形成する凹部形成処理と、記録マーク形成用ガスを一面に吹き付けると共に各記録位置Ｐａ１，Ｐｂ１・・のうちからデータ内容に対応して規定した第２の記録位置Ｐａ１，Ｐｂ１・・に記録用ビームを照射して記録用ビームの照射領域に記録マーク形成用ガス中の記録材料を堆積させることで一面とは電気抵抗値が相違する記録マーク５を第２の記録位置Ｐａ１，Ｐｂ１・・に形成するマーク形成処理とを実行することによって情報記録媒体用基材に記録データを記録する。 （もっと読む）

【課題】大量の記録データを容易に記録し得るデータ記録方法を提供する。
【解決手段】基材３ａ（情報記録媒体用基材）の一面に炭化水素ガスＧ（記録マーク形成用ガス）を吹き付けつつ、記録すべき記録データＤのデータ内容に対応して規定した一面上の所定位置にイオンビームＩＢ（記録マーク形成用ビーム）を照射してイオンビームＩＢの照射領域に炭化水素ガスＧ中の記録材料を堆積させることにより、基材３ａの一面とは電気抵抗値が相違する記録マークＭを所定位置に形成して記録データＤを記録する。 （もっと読む）

【課題】ハード・ディスク装置以上の大容量化が可能で、高速読み取りが可能な記録再生装置を提供する。
【解決手段】メモリ素子１は、導電性基板上に形成された、可逆的な電気抵抗の変化によって情報を記憶する金属酸化物からなるメモリ薄膜を備える。書込／読取回路４は、カンチレバー３とメモリ素子１の導電性部材との間に書き込み電圧を印加して、メモリ薄膜に情報を書き込み、カンチレバー３とメモリ素子１の導電性部材との間に読み出し電圧を印加して、カンチレバー３と導電性部材との間を流れる電流を測定することにより、メモリ薄膜に記録された情報を読み取る。 （もっと読む）