【課題】不要にリフレッシュ周期が変更されることによる無駄な消費電流を削減する。
【解決手段】複数の半導体チップを備え、複数の半導体チップのうちの第１の半導体チップは第１の温度センサを有し、第１の半導体チップとは異なる第２の半導体チップはリフレッシュ動作を必要とする半導体チップであって、第１の半導体チップの第１の温度センサの出力結果に応じて第２の半導体チップのリフレッシュ周期が変更される。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュモード入り後初期期間に周期が制御されたセルフリフレッシュパルスを生成することにより、リフレッシュフェイルを防止することが可能なセルフリフレッシュパルス生成回路を提供する。
【解決手段】セルフリフレッシュパルス生成回路は、セルフリフレッシュモード入り後初期期間の終了時点でレベルが遷移する制御信号を生成する制御信号生成部と、前記セルフリフレッシュモードにおいて、前記制御信号に応答して、周期が制御されたセルフリフレッシュパルスを生成するセルフリフレッシュパルス生成部とを備える。 （もっと読む）

【課題】独立パーシャルアレイリフレッシュ機能を有する改善されたダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)を提供する。
【解決手段】DRAMデバイスが、複数のメモリサブブロックを有する。各サブブロックは、複数のワード線を有し、これらのワード線に、複数のデータ記憶セルが接続される。パーシャルアレイセルフリフレッシュ(PASR)構成セッティングが、独立に作られる。PASRセッティングに従って、メモリサブブロックが、リフレッシュのためにアドレッシングされる。PASRセッティングは、メモリコントローラによって作られる。サブブロックアドレスのすべての種類の組合せを選択することができる。したがって、メモリサブブロックは、完全に独立にリフレッシュされる。データ保持に関するユーザ選択可能メモリアレイは、特に低消費電力モバイル応用の有効なメモリ制御プログラミングをもたらす。 （もっと読む）

【課題】 リフレッシュの有無をリアルタイムに判定でき、しかも、優先データを扱うことが可能なパケットバッファ装置を提供する。
【解決手段】 対象としているパケットバッファ装置は、メモリ空間を複数のブロックに分け、メモリブロック単位で書込みデータのリフレッシュを行うものである。そして、メモリブロック毎に、書込みデータ数と読出しデータ数との一致、不一致を判定する一致・不一致判定手段と、書込みデータ数と読出しデータ数とが一致しているメモリブロックのリフレッシュを禁止し、書込みデータ数と読出しデータ数とが不一致のメモリブロックのリフレッシュを許可するリフレッシュ制御手段とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】温度情報出力装置の面積を増やさなくとも動作可能な温度範囲を増やすことができる、温度情報出力装置の温度情報出力方法を提供する。
【解決手段】温度を感知し、当該温度に対応する第１の電圧ＶＴＥＭＰを出力するステップと、第１の電圧ＶＴＥＭＰと第２の電圧ＤＡＣＯＵＴとを比較するステップと、この比較結果に基づいて、デジタルコードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥを加減するステップと、デジタルコードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥによって変化する第２の電圧ＤＡＣＯＵＴを生成するステップとを含み、デジタルコードＤＩＧＩＴＡＬ＿ＣＯＤＥによって変化する第２の電圧ＤＡＣＯＵＴの変化幅が温度区間別に異なる。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュ（ＳＲ）モードにおける不要な電流消費を最小化できる半導体メモリ素子の駆動方法を提供する。
【解決方法】１）各行のリフレッシュタイム特性に対応する第１格納値を初期化し、２）第１格納値が設定された行のうちの第１行目に対して、各列のデータを第２格納値として格納し、３）リフレッシュ周期の設定のための検出動作を行い、その結果に応じて第１格納値を設定し、４）第２格納値を第１行に再格納し、５）残りの全ての行に対して第１格納値の設定が完了するまで、又は、ＳＲモードが終了するまで２）〜４）を繰り返し、６）ＳＲモードを脱出した後、ノーマルアクティブモードで書き込み動作を行う行に対応する第１格納値を「０」に設定し、７） ２）〜６）をＳＲモードの度に繰り返す工程を含み、第１格納値によって選択されたリフレッシュ周期によって残りの行に対するリフレッシュ動作の実行又は省略の可否を決定する。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュモードからの復帰時間を高速化する。
【解決手段】例えば、コントローラ５０は、半導体装置１０に対してセルフリフレッシュコマンドＳＲＥを発行することによってセルフリフレッシュモードにエントリさせる。半導体装置１０は、セルフリフレッシュモードにエントリすると、オシレータ１５０を用いてリフレッシュ動作を周期的に実行する。セルフリフレッシュモードにおいて１回のリフレッシュ動作に要する時間をオートリフレッシュの１／４に短縮するとともに、リフレッシュ動作の実行頻度を４倍とする。これにより、セルフリフレッシュイグジットコマンドＳＲＸを発行した後、ロウ系のコマンドの投入が禁止される期間を短縮することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュモードからの復帰時間を高速化する。
【解決手段】例えば、コントローラ５０は、半導体装置１０に対してセルフリフレッシュコマンドＳＲＥとセルフリフレッシュイグジットコマンドＳＲＸを交互に周期的に発行する。半導体装置１０は、セルフリフレッシュコマンドＳＲＥに同期してリフレッシュ動作を例えば１回だけ実行し、セルフリフレッシュイグジットコマンドＳＲＸに応答してＤＬＬ回路２００の状態更新を実行する。これにより、セルフリフレッシュイグジットコマンドＳＲＸを発行した後、ロウ系のコマンドや位相制御された内部クロック信号ＩＣＬＫ１を必要とするコマンドを短時間で発行することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】アクセス頻度が高いプレートのリフレッシュ動作頻度を上げる技術を提供する。
【解決手段】半導体装置において、プレートへのアクセス頻度を検出し、アクセス頻度が所定の閾値を超えたときに活性信号を出力するディスターブカウンタ回路と、オートリフレッシュコマンド時に活性信号を検出すると、アクセス頻度が所定の閾値以上のプレートについてのリフレッシュ割り込み信号を出力するリフレッシュカウンタ回路とを提供する。 （もっと読む）

【課題】エラー訂正回路を具備したオンチップ・データ・スクラビング装置及び方法を提供する。
【解決手段】半導体メモリ装置のチップ内部でデータ・スクラビングを行うエラー訂正回路を具備したオンチップ・データ・スクラビング装置及び方法であって、該メモリ装置のリフレッシュ方法は、メモリ装置の対応する部分について、スクラビングのない少なくとも１つのリフレッシュを行う段階と、メモリ装置の対応する部分について、スクラビングを有する少なくとも１つのリフレッシュを行う段階と、を含む。 （もっと読む）