国際特許分類［G11C13/00］の内容
物理学 (1,541,580) | 情報記憶 (112,808) | 静的記憶 (17,688) | １１／００，２３／００，または２５／００に包含されない記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置 (1,014)
国際特許分類［G11C13/00］の下位に属する分類
化学変化に基づく素子を用いるもの (16)
光学的素子を用いるもの (45)
国際特許分類［G11C13/00］に分類される特許
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アナログ相変化メモリ
相変化材料を使ってアナログメモリを形成することができる。相変化材料は複数の抵抗状態のうちの一つをとり、それが保存すべき特定のアナログ特性を定義する。 
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１Ｔ‐ｎメモリセル積層構造体
本発明は、クロスポイントと１Ｔ‐１セルとの双方の設計に基づくある種の利点を導入するためのメモリ技術及びメモリアレイに関する新規な変更に関する。これらの設計のある特徴を組み合わせることにより、１Ｔ‐１セル設計における読出し時間の高速化及び信号対雑音比の増大と、クロスポイント設計における高記録密度化との双方が達成される。そのために、単一のアクセストランジスタ１６を用いて、“Ｚ”軸方向に配置された複数のメモリアレイ層で垂直方向に互いに上下に積み重ねうる多重メモリセルを読出すようにする。 
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可変抵抗メモリのセンシングのためのスキュード・センス増幅器
可変抵抗メモリ・センス増幅器は，抵抗メモリ・セルが低抵抗状態にあるときにセンス増幅器の切り換えを助けるために，組み込みオフセットを有する。組み込みオフセットは，センス増幅器内のトランジスタのサイズ，しきい電圧，関連キャパシタンス，または関連抵抗を変えることによって実現することができる。 
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