【課題】固体電解質中のイオンの動きを高精度で制御できるデバイス構造とすることにより、記憶あるいはスイッチの機能ができる半導体装置の性能を向上させ、多層化した３次元構造も低コストで高集積化することができる技術を提供する。
【解決手段】半導体素子として、縦方向（Ｚ軸方向）に離れて配置された電極１０１，１０３間に成分の異なる層１０８，１０９を２層以上形成し、電極１０１，１０３間にパルス電圧を印加して導電パスを形成し、抵抗値を情報信号に対応して変化させる素子とする。さらに、上記導電パスの途中に導電率を上げる成分が蓄積した領域１０４を形成し、それによって抵抗率を情報信号に正確に対応させる。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向の少なくとも一方向にも電極を形成し、制御電圧を印加するとさらに好ましい。 （もっと読む）

【課題】読み出し時におけるＳ／Ｎ比が改善された分子電池メモリ装置を提供する。
【解決手段】分子電池メモリ装置の各メモリセルＭＣは、分子電池１１と選択トランジスタ１２との組み合わせからなり、分子電池１１には寄生容量２６が存在している。選択トランジスタ１２にはＰＮ接合１２ａが存在し、逆バイアスされていることから接合リーク電流ｉ_Ｌが流れる。そのため、寄生容量２６に蓄積された電荷は選択トランジスタ１２の接合リークによって徐々に放電され、ノードＳの最終的な電位はトランジスタの基板電位Ｖｓに向かって低下する。しかし、基板電位Ｖｓと基準電位Ｖｐとの差（＝Ｖｓ−Ｖｐ）が分子電池１１の開放電圧Ｖｏｃとほぼ等しく設定されており、ノードＳの電位は、プレート配線ＰＬから見て必ず開放電圧Ｖｏｃに収束することから、データの読み出し時におけるＳ／Ｎ比を高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】アプリケーションに頻繁にアクセスされるワーク領域と、プログラムコードを記憶させる領域とを、従来に比較して小型なチップサイズにて、１チップで構成することができる不揮発性ＲＡＭを提供する。
【解決手段】本発明の不揮発性ＲＡＭは、ランダムにデータの読み書きを行う不揮発性メモリであり、電源を切っても記憶内容が失われない不揮発性モード、及び電源を切ると記憶内容が失われる揮発性モードのデータ保持状態に、データ保持の状態を制御可能なメモリ素子からなるメモリ領域と、該メモリ領域において、不揮発性モード書込及び揮発性モード書込各々の対象となるアドレス範囲の領域が設定されるアドレス設定レジスタと、該アドレス設定レジスタを参照して、それぞれのアドレス範囲に対応したデータの書き込みを行うメモリ制御回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリにおけるベリファイ時間を短縮し、高速書込を実現する。
【解決手段】相変化メモリセル（ＭＣ）において、選択メモリセル（ＭＣ）が接続されるビット線（ＢＬ）に、書込電圧を書込電圧発生回路（２４）から伝達した後、ワード線（ＷＬ）を選択状態へ駆動し、書込電流をメモリセルに供給する。書込電圧発生回路（２４）とビット線とを分離し、ビット線電圧をメモリセルの抵抗状態に応じた電圧レベルに設定した後、ワード線を非選択状態へ駆動する。この後、ベリファイ列選択回路（ＶＣＳ）を介して、ベリファイ回路（４）に選択列のビット線を接続して基準電圧（ＶＲＥＦ）と比較する。 （もっと読む）

【課題】 多値データの書き込みおよび読み出しができる不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】 電解質膜５０と、その両面に形成された材質の異なる第１および第２電極
とを有するメモリセル１３と、メモリセル１３に第１電流を供給する第１電流源２０と、
第１電流の供給時間を計測する第１カウンタ２１とを備えたデータ書き込み手段２２と、
メモリセル１３に第１電流と反対方向の第２電流を供給する第２電流源２３と、第２電流
の供給時間を計測する第２カウンタ２４と、ビット線１１の電位を検出する電位センサ２
５とを備えたデータ読み出し手段２６とを具備する。
データの書き込みは書き込むデータに応じて第１電流の供給時間を制御して行い、データ
の読み出しはビット線１１の電位が所定の電位と等しくなるまでの第２電流の供給時間を
検出して行う。 （もっと読む）

【課題】情報の記録とベリファイに要する時間を短縮することができる記憶装置のベリファイ方法を提供する。
【解決手段】メモリセルを複数有する記憶装置に対してベリファイ動作を行う際に、情報を記録するべき所定のメモリセル５のアドレス配線１２に所定の電圧を印加するプリチャージ過程を、メモリセル５に情報を記録する記録過程において、アドレス配線１２にこのプリチャージ過程の所定の電圧を印加することにより同時に行って、その後にアドレス配線１２の電位を検出する検出過程を行う。 （もっと読む）

【課題】ＲＦＩＤが商品管理に用いられている場合には、買い物をし終わり、店を出た後にＲＦＩＤリーダ／ライタにより何を買ったかを読み取られる可能性がある。このような条件下では、ＲＦＩＤはＲＦＩＤリーダ／ライタから書き込み要求や、読み込み要求が送られてきてもその要求を実行しない事が望ましい。よって、商品を購入した後にＲＦＩＤチップの動作を停止させ、その時点からＲＦＩＤチップのデータを変化させないようにする必要がある。
【解決手段】ＲＦＩＤチップはＲＦＩＤリーダ／ライタから動作停止命令を受信した時、制御回路によってその命令をデコードし動作停止命令を実行する。また、ＲＦＩＤチップは動作停止かどうかの設定を保持するレジスタに有機メモリ等のライトワンス機能を持ち、一度値が書き込まれると物理的に元の状態に戻らないレジスタを用いる。 （もっと読む）

２つの制御ワイヤと、２つの制御ワイヤを横切り、各制御ワイヤとの接合部を形成する信号ワイヤとから成る分子クロスバーラッチが提供される。そのラッチは更に、信号入力をラッチに制御可能に電気的に接続および切断し、かくして信号がラッチされた後に、信号ワイヤがそのラッチされた値を保持している間に、入力がその論理値を変更することが可能になるための制御機構を含む。各接合部はスイッチを形成し、かつナノメートル単位の機能寸法を有する。当該クロスバーラッチによって、信号ワイヤ上に論理値をラッチすることが可能になる。更に、ロジックアレイ内の論理値をラッチするための方法、論理値を反転するための方法、及びナノスケールワイヤ内の信号の電圧値を復元するための方法も提供される。 （もっと読む）

本発明のスイッチング素子は、電気化学反応に用いられる金属イオンが伝導するためのイオン伝導体と、イオン伝導体に接して、所定の距離だけ離れて設けられた第１の電極および第２の電極と、イオン伝導体に接して設けられた第３の電極とを有する構成である。オン状態に遷移させる電圧が第３の電極に印加されると、第１の電極および第２の電極の間に金属イオンによる金属を析出させて第１の電極および第２の電極を電気的に接続する。また、オフ状態に遷移させる電圧が第３の電極に印加されると、析出した金属を溶解させて第１の電極および第２の電極の電気的接続を切る。
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【課題】電気的スイッチング・オンがスイッチング素子（１００）内に確立される導電路（１０１）により行われる電気的スイッチング・デバイスを提供すること。
【解決手段】スイッチング素子（１００）は、第１の電極ユニット（２０１）と、第２の電極ユニット（２０２）と、第１および第２の電極ユニット（２０１，２０２）の間に配置されてこれらの電極ユニットに接触接続している電解質層（２０３）とを有する。導電路（１０１）は、第１の電極ユニット（２０１）から電解質層（２０３）内に拡散している導電素子（１０２）により、電解質層（２０３）を介して、第１の電極ユニット（２０１）と第２の電極ユニット（２０２）との間に形成される。加熱装置（４００）は、スイッチング動作中、スイッチング素子（１００）を加熱する。 （もっと読む）