【課題】 非破壊的読取りが可能でデータ損失のない安定な非揮発性の強誘電メモリ装置を提供する。
【解決手段】 ゼロ電界キャパシタンスに到達する充電経路に制御可能に依存するゼロ電界キャパシタンスを特徴とするラマー・ドラブ効果を有する強誘電材料で構成された絶縁体を有する強誘電キャパシタ52と、異なった記憶データ値を示す２つの異なったキャパシタンス状態を強誘電キャパシタ52へ異なった回数、制御可能に書込む書込み回路54と、強誘電キャパシタ52のキャパシタンスを読取る読取り回路62とを具備する。 （もっと読む）

【目的】強誘電体キャパシタの絶縁膜に対してスクリーニングを行う場合に、スクリーニング時間の短縮、スクリーニングコストの低減を図り得る強誘電体メモリを提供する。
【構成】通常動作モードおよびスクリーニングモードを有する強誘電体メモリにおいて、スクリーニングモード時に通常動作モード時に選択されるメモリセルＭＣより多数のメモリセルを同時に選択し、その強誘電体キャパシタＣの絶縁膜の両端間に極性が交互に反転するパルス電圧を任意の回数印加するスクリーニング回路（２１、２２、２３）を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 製品歩留りおよびデータの信頼性を格段に向上できる不揮発性ＤＲＡＭ装置を実現する。
【構成】 不揮発性ＤＲＡＭ１に電源が投入され、リフレッシュ要求発生回路６からマイクロプロセッサ２にリフレッシュ要求指令があると、該マイクロプロセッサ２から不揮発性ＤＲＡＭ１のバーＣＥピン、バーＯＥピン、バーＷＥピン、バーＮＥピンに制御信号が与えられ、これにより、まず、全ビットのリコール動作が行われ、続いて、リコール状態をリセットした後に、ストア動作を行う。 （もっと読む）