【課題】基板への磁性原子の導入時間を短縮することができるとともに、室温でも使用可能な磁性半導体を実現する磁性半導体用基板、磁性半導体用基板の製造方法及び磁性半導体用基板の製造装置を提供する。
【解決手段】レーザが照射される照射面に磁性原子の薄膜が形成される半導体の被拡散層１０３と、被拡散層の照射面とは反対の面に接し、被拡散層よりも熱伝導性が低い熱伝導抑制層１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】化学的に安定で、然も安定な磁気構造を有するハーフメタリック反強磁性体を提供する。
【解決手段】本発明に係るハーフメタリック反強磁性体は、２種類以上の磁性元素とハロゲンとを含む化合物であって、前記２種類以上の磁性元素には、有効ｄ電子数が５より少ない磁性元素と有効ｄ電子数が５より多い磁性元素とが含まれている。そして、前記２種類以上の磁性元素の有効ｄ電子数の総和は１０或いは１０に近い値である。 （もっと読む）

【課題】室温下での動作が可能な強磁性半導体素子及びその制御方法を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に設けた二酸化チタン層１５と、二酸化チタン層１５上に設けた遷移元素ドープ二酸化チタン層１２と、遷移元素ドープ二酸化チタン層１２上に設けた電解液１３と、電解液１３と接触するよう設けたゲート電極１４と、を含む。電解液１３は、ＣｓＣｌ_４、Ｓｒ（ＣｌＯ_４）_２、ＫＣｌＯ_４、ＮａＣｌＯ_４、ＬｉＣｌＯ_４の一以上の電解質を溶媒に溶かしてなる。ゲート電極１４へのゲート電圧印加の有無に応じて、遷移元素ドープ二酸化チタン層１２の強磁性の強さが変化する。遷移元素はコバルトが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板と格子整合し、キュリー温度Ｔｃが室温であるＩＩ−ＩＶ−Ｖ_２族化合物磁性半導体材料で量子井戸層あるいは強磁性電極を構成した磁性半導体素子を提供する。
【解決手段】
磁性半導体素子１０は、ＩｎＰからなる基板１１と、Ｍｎが添加されたＺｎＳｎＡｓ_２からなりかつ基板１１の上に結晶成長された量子井戸層１３と、ＩｎＡｌＡｓ及び／又はＩｎＧａＡｓからなり基板１１の上に結晶成長されかつ量子井戸層１３を挟持する一組の障壁層１２，１４と、を備える。障壁層１２，１４にＩｎＡｌＡｓを採用した場合、Ａｌ組成は０．４３〜０．５３％であることが好ましくは、ＩｎＧａＡｓを採用した場合、Ｇａ組成が０．４２〜０．５２％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】室温以上の温度で磁性特性を表わす磁性半導体の製造を可能にする。
【解決手段】磁性原子が導入された半導体に対してレーザ照射を行うことで磁性半導体を得る製造方法および製造装置であって、磁性原子が導入された半導体１ａ表面に対し、磁場を印加しながらレーザを照射する。 （もっと読む）

【課題】強磁性から常磁性への転移が必要とされる、強磁性体を用いたデバイスを小型化することが可能な磁性制御方法を提供する。
【解決手段】強磁性半導体１１０の強磁性を常磁性に転移させる方法であって、光照射又は電界印加により強磁性半導体１１０に強磁性半導体１１０のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを与えて強磁性半導体１１０内に伝導電子を発生させ、該伝導電子により強磁性半導体１１０における強磁性を担うイオンの価数を変化させて強磁性半導体１１０の強磁性を常磁性に転移させる。 （もっと読む）

【課題】磁化イオン濃度を高めることができる強磁性半導体材料の提供。
【解決手段】ＩＩ−ＶＩ族、または、ＩＶ族、または、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料を主成分とし、遷移金属（主成分をＩＶ族とした場合Ｍｎを除く）、または、希土類元素の少なくとも一方を添加元素として含み、アモルファスとする。 （もっと読む）

【課題】反強磁性を有し、且つハーフメタリックな新規なスピントロニクス材料である反強磁性ハーフメタリック半導体を提供する。
【解決手段】本発明に係る反強磁性ハーフメタリック半導体は、カドミウムを含有するカルコゲナイド半導体にｄ電子数が５より少ない磁性元素とｄ電子数が５より多い磁性元素とを含む２種類以上の磁性元素を添加して、前記カルコゲナイド半導体が含有するカドミウム成分一部を前記２種類以上の磁性元素で置換することにより作製される。 （もっと読む）

【課題】希薄強磁性半導体及びそれと同様の構造を有する希薄常磁性絶縁体を含む希薄磁性体を提供する。
【解決手段】本発明の希薄磁性体は、Ga₂O₃を母相とし、該母相のGaのうちの0.5%〜15%がV, Cr, Mn, Fe, Co, Niのうちのいずれか１種又は複数種の原子に置換することにより得られる。この希薄磁性体は、酸化雰囲気中又は還元雰囲気中で熱処理をする／しないことによりOの欠損数を調整することができ、それによりほぼ同じ構造を有する希薄強磁性半導体及び希薄常磁性絶縁体の双方を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】室温以上の温度で強磁性転移を示し、その強磁性−常磁性間の転移を外部電界などのパラメーターで制御できる荷電制御強磁性半導体を実現する。
【解決手段】ＧａＡｓで形成された基板上に、II-VI族半導体であるＺｎＴｅにＣｒを添加した半導体であり、Ｃｒ組成５％の結晶で、ドーパントを同時に添加して成る薄膜を、分子線エピタキシー法により、結晶成長させて荷電制御強磁性半導体を製造し、添加するドーパントがｐ型の場合には、強磁性転移温度は低下し、逆にｎ型の場合には強磁性転移温度は上昇し、Ｃｒ組成を一定にしたまま、添加したドーパントの型および濃度により強磁性転移温度を変化させることが可能である。 （もっと読む）