説明

国際特許分類[H01J1/28]の内容

国際特許分類[H01J1/28]に分類される特許

1 - 10 / 11


【課題】カソードディスクと支持筒をろう材を用いて、ろう付けする時に支持筒の上端部に生じる変形、クッラクを防止した含浸型陰極構体を得る。
【解決手段】電子放射物質が含浸され表面を熱電子放出面11aとするカソードディスク11と、カソードディスクの裏面15側に配置されカソードディスクを加熱するヒータ20と、ヒータを収容し、カソードディスクを前記裏面15または側面で支持する支持筒13,14とを具備する含浸型陰極構体において、支持筒13,14は内周に張り出しカソードディスクの裏面の一部に突き合わされる突き合わせ面を有してろう付けにより裏面と接合される支持筒フランジ13a,14aを有し、カソードディスクは支持筒フランジの突き合わせ面に対応する裏面に環状に形成され前記突き合わせ面内に収まるように支持筒フランジ幅よりも幅狭にされた窪み21,22を有する。 (もっと読む)


【課題】ヒータと支持体との接合強度を高める。
【解決手段】含浸型陰極構体1は、電子放射物質が含浸された陰極基体10、支持体20、ヒータ40、埋め込み材50を有する。支持体20は、支持外筒24、および、支持外筒24との間に環状の収納空間22を形成するように支持外筒24の筒内に支持外筒24と同軸的に配置された支持内筒26を有する。支持体20は、支持外筒24および支持内筒26の一方の端部に陰極基体10が取り付けられて陰極基体10を支持する。支持内筒26の他方の端部には、支持内筒26の端面から突き出した突出部30が形成されている。ヒータ40は、一部が収納空間22に収納されて、一方の端部44が収納空間22の外部で突出部30に接合されている。埋め込み材50は、収納空間22を充填している。 (もっと読む)


【課題】ヒータと支持体との接合を外れにくくする。
【解決手段】含浸型陰極構体1は、電子放射物質が含浸された陰極基体10、支持体20、ヒータ40、埋め込み材50を有する。支持体20は、支持外筒24、および、支持外筒24との間に環状の収納空間22を形成するように支持外筒24の筒内に支持外筒24と同軸的に配置された支持内筒26を有する。陰極基体10は、支持体20に取り付けられて支持されている。ヒータ40は、一部が収納空間22に収納されて、一方の端部44が支持体20に対して電気的に接続されている。支持外筒24の内周面および支持内筒26の外周面には、それぞれ軸方向に延びた凹部24a,26aが形成されている。 (もっと読む)


【課題】時間的にも空間的にも均一な電子ビームを供給する電子源を提供する。さらに、射出面積の小さい電子源を提供する。
【解決手段】射出面4と、加熱されたときに仕事関数の低い粒子を放出する材料のためのリザーバ2と、このリザーバ2から前記射出面4への仕事関数の低い粒子の拡散を可能にするための少なくとも1つの通路7とを有するディスペンサ陰極であって、前記射出面4は、少なくとも1つの射出エリア9と、射出を抑える材料でカバーされ、前記射出エリア9を囲んでいる少なくとも1つの非射出エリア8とを有している。前記非射出エリア8は、少なくとも1つの通路7を有しており、前記通路7は、前記リザーバ2と前記非射出エリア8とを接続し、前記リザーバ2から前記射出エリア9への仕事関数の低い粒子の拡散を可能にするために、射出エリア9から拡散長の距離だけ離れて延びている。 (もっと読む)


【課題】ピアス式電子銃の円盤状のカソード2を、カソード2より大径の外周リング21に3本以上の支持ロッド22を介して支持させるカソード支持構造において、カソード及び支持ロッドの熱膨張により支持ロッドの座屈を生ずることを防止できると共に、カソードからの熱引けを効果的に抑制できるようにする。
【解決手段】各支持ロッド22を、カソード2と外周リング21との間に、支持ロッド22の軸線が該軸線と外周リング21の内周面との交点とカソード2の中心とを結ぶ直線Lに対しカソード2の周方向一方に傾むくように配置する。また、支持ロッド22の軸線に合致する直線とこの直線に平行でカソード2の中心を通る直線とをカソード2の軸線に直交する平面に射影したときの2直線間の距離を偏心量δとして、δが全ての支持ロッド22で等しくなるようにする。 (もっと読む)


【課題】電子銃のカソードの速動性が容易に向上する電子管用カソード構体を提供する。
【解決手段】電子銃においては管軸mを軸中心としてカソード11、その前方のアノード12が取り付けられ、カソード11の後方にカソードを加熱するヒータ13が配置されている。そして、ヒータ13を支持するヒータ支持用部材16ヒータ13からの熱を反射しカソード11を効率的に加熱するための反射筒17が取り付けられ、固定部材18によりヒータ支持用部材16は反射筒17に固定されている。ここで、ヒータ支持用部材16は多孔質セラミックス、繊維質材料含有セラミックス、あるいはPBNにより形成されている。 (もっと読む)


射出面と、加熱されたときに仕事関数の低い粒子を放出する材料のためのリザーバと、このリザーバから前記射出面への仕事関数の低い粒子の拡散を可能にするための少なくとも1つの通路とを有するディスペンサ陰極であって、前記射出面は、少なくとも1つの射出エリアと、射出を抑える材料でカバーされ、前記射出エリアを囲んでいる少なくとも1つの非射出エリアとを有している。前記非射出エリアは、少なくとも1つの通路を有しており、前記通路は、前記リザーバと前記非射出エリアとを接続し、前記リザーバから前記射出エリアへの仕事関数の低い粒子の拡散を可能にするために、射出エリアから拡散長の距離だけ離れて延びている。
(もっと読む)


カソード支持体3上に配されるカソードボディ4と、レニウム又はレニウム合金61及びスカンジウム酸化物又はスカンジウム合金61の1つ又は複数の交互配置層からなる層組織6と、カソードボディ4と層組織6との間に配される活性化促進層組織5を有するカソード被覆5,6とを有するスカンデート含浸型カソード。活性化促進層組織は、バリウム酸化物その他のアルカリ性土類金属酸化物を有する少なくとも1つの放出層52と、カソードボディの材料よりも高い耐酸化性を持つ障壁材料及びバリウム酸化物その他のアルカリ性土類金属酸化物を還元するための活性化材料を有する活性化層組織51とを有する。
(もっと読む)


300℃を超える温度を発生する加熱装置1,2、前記加熱装置1,2に接続された導電性を有する陰極支持部3、及び前記陰極支持部3に付けられ、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウムから成る群から選択される少なくとも一のアルカリ金属を有する電子放出材料4から成り、300℃から600℃の間の動作温度において10A/m以上の放出電流密度を有する陰極被膜、を有する電子放出用陰極である。
(もっと読む)


【課題】研磨処理を行なう必要がなく、かつろう材の流れの問題のない含浸型陰極基体の製造方法を提供すること。
【解決手段】高融点金属又はその合金の粉末を成形する工程、成形体を焼結する工程、銅を含有させることなく焼結体を酸化処理する工程、及び水素を含む高温雰囲気で還元処理する工程を具備することを特徴とする。 (もっと読む)


1 - 10 / 11